PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Czasopismo
2013 | 11 | 2 | 231-238
Tytuł artykułu

Distributions of electric parameters in MOS structures on 3C-SiC substrate

Treść / Zawartość
Warianty tytułu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
In this work studies of some electrical parameters of the MOS structure based on 3C-SiC substrate are presented. The effective contact potential difference ϕMS, the barrier height at the gate-dielectric interface E BG and the flat-band in semiconductor voltage V FB were measured using several electric and photoelectric techniques. Values of these parameters obtained on structures with different gate areas decrease monotonically with increasing parameter R, defined as the ratio of the gate perimeter to the gate area. Such behavior confirmed results obtained on MOS structures on silicon substrate and also supported our hypothesis that the mechanical stress in the dielectric layer under the metal gate causes non uniform distribution of some parameters over the gate area of MOS structure.
Wydawca

Czasopismo
Rocznik
Tom
11
Numer
2
Strony
231-238
Opis fizyczny
Daty
wydano
2013-02-01
online
2013-02-09
Twórcy
  • Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, 02-668, Warsaw, Poland, kpisk@ite.waw.pl
  • Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, 02-668, Warsaw, Poland
  • ACREO AB, Electrum 236, SE-164 40, Kista, Sweden
  • ACREO AB, Electrum 236, SE-164 40, Kista, Sweden
Bibliografia
  • [1] H. Morkoc, S. Strite, G. B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994) http://dx.doi.org/10.1063/1.358463[Crossref]
  • [2] M. Ruff, H. Mitlehner, R. Helbig, IEEE T. Electron Dev. 41, 1040 (1994) http://dx.doi.org/10.1109/16.293319[Crossref]
  • [3] M. Shur, SiC parameters handbook, http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/SiC
  • [4] R. Schorner, P. Friedrichs, D. Peters, IEEE T. Electron Dev. 46, 533 (1999) http://dx.doi.org/10.1109/16.748873[Crossref]
  • [5] S. M. Hu, J. Appl. Phys. 70, R53 (1991) http://dx.doi.org/10.1063/1.349282[Crossref]
  • [6] I. de Wolf, H.E. Maes, S.K. Jones, J. Appl. Phys. 79, 7148 (1996) http://dx.doi.org/10.1063/1.361485[Crossref]
  • [7] K. F. Dombrowski, I. de Wolf, B. Dietrich, J. Appl. Phys. 75, 2450 (1999)
  • [8] C. H. Bjorkman, J. T. Fitch, G. Lucovsky, Appl. Phys. Lett. 56, 1983 (1990) http://dx.doi.org/10.1063/1.103228[Crossref]
  • [9] H. M. Przewlocki, H. Z. Massoud, J. Appl. Phys. 92, 2198 (2002) http://dx.doi.org/10.1063/1.1489499[Crossref]
  • [10] A. Kudla, H.M. Przewlocki, L. Borowicz, D. Brzezinska, W. Rzodkiewicz, Thin Solid Films 450, 203 (2004) http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2003.10.147[Crossref]
  • [11] H. M. Przewlocki, A. Kudla, D. Brzezinska, H. Z. Massoud, Microelectron. Eng. 72, 165 (2004) http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2003.12.031[Crossref]
  • [12] H. M. Przewlocki, A. Kudla, D. Brzezinska, H. Z. Massoud, J. Telecommun. Inf. Technol. 1, 34 (2005)
  • [13] K. Piskorski, H. M. Przewlocki, Bull. Pol. Acad. Sci.-Te. 54, 461 (2006)
  • [14] K. Piskorski, H. M. Przewlocki, J. Telecommun. Inf. Technol. 3, 49 (2007)
  • [15] H. M. Przewlocki, A. Kudla, K. Piskorski, D. Brzezinska, Thin Solid Films 516, 4184 (2008) http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.11.005[Crossref]
  • [16] S. Porebski, P. Machalica, J. Zajac, L. Borowicz, A. Kudla, H. M. Przewlocki, IEE Proc.-Sci. Meas. Technol. 150, 148 (2003) http://dx.doi.org/10.1049/ip-smt:20030623[Crossref]
  • [17] E. H. Nicollian, J. R. Brews, MOS Physics and Technology (J. Wiley, New York, 1982)
  • [18] H. M. Przewlocki, J. Appl. Phys. 85, 6610 (1999) http://dx.doi.org/10.1063/1.370169[Crossref]
  • [19] H. M. Przewlocki, Solid State Electron. 45, 1241 (2001) http://dx.doi.org/10.1016/S0038-1101(00)00274-4[Crossref]
  • [20] A. Jakubowski, H. M. Przewlocki, S. Krawczyk, Rev. Phys. Appl. 17, 473 (1982) http://dx.doi.org/10.1051/rphysap:01982001708047300[Crossref]
  • [21] R. H. Fowler, Phys. Rev. 38, 45 (1931) http://dx.doi.org/10.1103/PhysRev.38.45[Crossref]
  • [22] V. V. Afanas’ev, Internal Photoemission Spectroscopy. Principles and Applications (Elsevier, Amsterdam, 2008)
  • [23] E. D. Palik et al., Handbook of optical constants of solids (Academic Press Handbook Series, Orlando Fl., 1985)
  • [24] O. S. Heavens, Optical properties of thin solid films (Academic Press, New York, 1955)
  • [25] C. N. Berglund, R. J. Powell, J. Appl. Phys. 40, 5093 (1969) http://dx.doi.org/10.1063/1.1657358[Crossref]
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.-psjd-doi-10_2478_s11534-012-0116-x
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.