PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Czasopismo
2010 | 8 | 1 | 57-60
Tytuł artykułu

Germanium segregation in CVD grown SiGe layers

Treść / Zawartość
Warianty tytułu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
A 2D layer of spherical, crystalline Ge nanodots embedded in a SiO2 layer was formed by low pressure chemical vapour deposition combined with furnace oxidation and rapid thermal annealing. The samples were characterized structurally by using transmission electron microscopy and Rutherford back scattering spectrometry, as well as electrically by measuring C-V and I-V characteristics. It was found that formation of a high density Ge dots took place due to oxidation induced Ge segregation. The dots were situated in the SiO2 at the average distance 5–6 nm from the substrate. Strong evidence of charge storage effect in the crystalline Ge-nanodot layer was demonstrated by the hysteresis behavior of the high-frequency C-V curves.
Słowa kluczowe
Wydawca

Czasopismo
Rocznik
Tom
8
Numer
1
Strony
57-60
Opis fizyczny
Daty
wydano
2010-02-01
online
2009-11-15
Twórcy
  • Belarusian State University, prosp. Nezavisimosti, 4, 220030, Minsk, Belarus, nowikow@biz.by
autor
  • Belarusian State University, prosp. Nezavisimosti, 4, 220030, Minsk, Belarus, gaiduk@phys.au.dk
Bibliografia
  • [1] L. Rebohle, J. von Borany, H. Fröb, W. Skorupa, Appl. Phys. B 71, 131 (2000) http://dx.doi.org/10.1007/PL00006966[Crossref]
  • [2] J. de Blauwe, IEEE T. Nanotechnol. 1, 72 (2002) http://dx.doi.org/10.1109/TNANO.2002.1005428[Crossref]
  • [3] S. Tiwari et al., Appl. Phys. Lett. 68, 1377 (1996) http://dx.doi.org/10.1063/1.116085[Crossref]
  • [4] S. Tiwari, F. Rana, K. Chan, L. Shi, H. Hanafi, Appl. Phys. Lett. 69, 1232 (1996) http://dx.doi.org/10.1063/1.117421[Crossref]
  • [5] P. Normand et al., Appl. Phys. Lett. 83, 168 (2003) http://dx.doi.org/10.1063/1.1588378[Crossref]
  • [6] V. Beyer, J. von Borany, Phys. Rev. B 77, 014107 (2008) http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.77.014107[Crossref]
  • [7] T. Baron et al., Appl. Phys. Lett. 83, 1444 (2003) http://dx.doi.org/10.1063/1.1604471[Crossref]
  • [8] W. K. Choi et al., Appl. Phys. Lett. 80, 2014 (2002) http://dx.doi.org/10.1063/1.1459760[Crossref]
  • [9] A. Kanjilal et al., Appl. Phys. Lett. 82, 1212 (2003) http://dx.doi.org/10.1063/1.1555709[Crossref]
  • [10] A. Kanjilal et al., Appl. Phys. A 81, 363 (2005) http://dx.doi.org/10.1007/s00339-004-2924-3[Crossref]
  • [11] H. Fukuda, T. Kobayashi, T. Endoh, Y. Ueda, Appl. Surf. Sci. 776, 130 (1998)
  • [12] H. Fukuda et al., J. Appl. Phys. 90, 3524 (2001) http://dx.doi.org/10.1063/1.1399024[Crossref]
  • [13] B. E. Deal, A. S. Grove, J. Appl. Phys. 36, 3770 (1965) http://dx.doi.org/10.1063/1.1713945[Crossref]
  • [14] H. K. Liou, P. Mei, U. Gennser, E. S. Yang, Appl. Phys. Lett. 59, 1200 (1991) http://dx.doi.org/10.1063/1.105502[Crossref]
  • [15] Z. Tan, S. K. Samanta, W. J. Yoo, S. Lee, Appl. Phys. Lett. 86, 013107 (2004) http://dx.doi.org/10.1063/1.1846952[Crossref]
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.-psjd-doi-10_2478_s11534-009-0082-0
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.