PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Czasopismo
2008 | 6 | 4 | 792-796
Tytuł artykułu

On a current mechanism in Ta2O5 thin films

Treść / Zawartość
Warianty tytułu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
Electrical conduction in the temperature range of 120–370 K has been studied in sandwiched structures of Al/Ta2O5/Si. The tantalum oxide films were prepared by evaporation of tantalum on a p-Si crystal substrate, followed by oxidation at a temperature of 600°C. The temperature-dependent current-voltage (I–V) characteristics are explained on the basis of a phonon-assisted tunnelling model. The same explanation is given for I–V data measured on Ta2O5 films by other investigators. From the comparison of experimental data with theory the density of states in the interface layer is derived and the electron-phonon interaction constant is assessed.
Słowa kluczowe
Wydawca

Czasopismo
Rocznik
Tom
6
Numer
4
Strony
792-796
Opis fizyczny
Daty
wydano
2008-12-01
online
2008-09-27
Twórcy
  • Department of Physics, Vilnius Pedagogical University, Studentu 39, LT-08106, Vilnius, Lithuania, pipiniai@takas.lt
  • Department of Physics, Vilnius Pedagogical University, Studentu 39, LT-08106, Vilnius, Lithuania, ftfdekanas@vpu.lt
Bibliografia
  • [1] J. Robertson, Rep. Prog. Phys. 69, 327 (2006) http://dx.doi.org/10.1088/0034-4885/69/2/R02[Crossref]
  • [2] D.M. Hughes, M. N. Jones, J. Phys. D-Appl. Phys. 7, 2081 (1974) http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/7/15/313[Crossref]
  • [3] P.L. Young, J. Appl. Phys. 47, 235 (1976) http://dx.doi.org/10.1063/1.322354[Crossref]
  • [4] H. Matsumoto, S. Tanaka, T. Yabumoto, Jpn. J. Appl. Phys. 17, 1543 (1978) http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.17.1543[Crossref]
  • [5] G.S. Oehrlein, J. Appl. Phys. 59, 1587 (1986) http://dx.doi.org/10.1063/1.336468[Crossref]
  • [6] R. Brazis, P. Pipinys, A. Rimeika, V. Lapeika, J. Mater. Sci. Lett. 9, 266 (1990) http://dx.doi.org/10.1007/BF00725819[Crossref]
  • [7] S. Ezhilvalavan, T.Y. Tseng, J. Appl. Phys. 83, 4797 (1998) http://dx.doi.org/10.1063/1.367272[Crossref]
  • [8] C. Chaneliere et al., J. Appl. Phys. 83, 4823 (1998) http://dx.doi.org/10.1063/1.367277[Crossref]
  • [9] M.J. Lee et al., J. Korean Phys. Soc. 39, 686 (2001)
  • [10] A. Paskaleva, A. Atanassova, M. Georgieva, J. Phys. D-Appl. Phys. 38, 4210 (2005) http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/38/23/011[Crossref]
  • [11] N. Novkovski, A. Paskaleva, E. Atanassova, Semicond. Sci. Technol. 20, 233 (2005) http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/20/2/023[Crossref]
  • [12] N. Novkovski, Semicond. Sci. Technol. 21, 945 (2006) http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/020[Crossref]
  • [13] D. Spassov, E. Atanassova, D. Virovska, Appl. Phys. A-Mater. 82, 55 (2006) http://dx.doi.org/10.1007/s00339-005-3300-7[Crossref]
  • [14] P. Pipinys, V. Lapeika, A. Rimeika, Phys. Status Solidi B 242, 1447 (2005) http://dx.doi.org/10.1002/pssb.200440020[Crossref]
  • [15] P. Pipinys, A. Rimeika, V. Lapeika, J. Phys. D-Appl. Phys. 37, 828 (2004) http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/37/6/003[Crossref]
  • [16] A. Kiveris, Š. Kudžmauskas, P. Pipinys, Phys. Status Solidi A 37, 321 (1976) http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2210370140[Crossref]
  • [17] M. Mero, J. Liu, W. Rudolph, D. Ristau, K. Starke, Phys. Rev. B 71, 115109 (2005) http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.71.115109[Crossref]
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.-psjd-doi-10_2478_s11534-008-0113-2
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.