Ograniczanie wyników
Czasopisma help
Autorzy help
Lata help
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 225

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 12 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  silicon carbide
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 12 next fast forward last
1
Content available remote Przekształtniki tranzystorowe działające w trybie prądu trójkątnego
PL
Przekształtniki oparte na węgliku krzemu mogą być analizowane jako źródła napięcia lub prądu niezależnie od topologii przy odpowiednich parametrach filtru wyjściowego. Szczególnie interesujące są falowniki napięcia działające w trybie prądu trójkątnego. W referacie przedstawiono sterowanie trójfazowym falownikiem napięcia posiadającym właściwości źródła prądu. Pokazano, jak dobrać parametry filtru wyjściowego falownika. Oceniono sprawność systemów z falownikami działającymi w trybie prądu trójkątnego.
EN
Converters based on silicon carbide can be analysed as voltage or current sources, regardless of topology with appropriate parameters of the output filter. Voltage inverters operating in triangular mode are particularly interesting. The paper presents control of a three-phase voltage inverter having the properties of a current source. It was shown how to choose the parameters of the inverter output filter. The efficiency of systems with inverters operating in triangular current mode was assessed.
2
Content available remote Measurements of transient thermal impedance of SiC BJT
EN
The paper presents the computer-aided method of measuring of the transient thermal impedance of SiC BJTs. The advantages of this method are illustrated by means of measurements of the silicon carbide BJT operating at the different cooling conditions.
PL
W pracy przedstawiono komputerową metodę pomiaru przejściowej impedancji termicznej tranzystora SiC BJT. Zalety tego sposobu zilustrowano za pomocą pomiarów tranzystora SiC BJT pracującego w różnych warunkach chłodzenia.
PL
W pracy zaproponowano metodę przygotowywania topionych pereł do analizy chemicznej metodą XRF dla materiałów ogniotrwałych zawierających węglik krzemu. Opracowana metoda utleniania SiC zawartego w próbce za pomocą mieszaniny węglanu sodu i boraksu pozwala na uzyskanie stopu bez zniszczenia platynowych tygli. Z tak otrzymanego stopu przygotowuje się perły litowo-boranowe odpowiednie do analizy chemicznej metodą XRF. Poprawność uzyskiwanych wyników potwierdzono, wykonując analizy certyfikowanych materiałów odniesienia zawierających SiC.
EN
This paper proposes a method for the preparation of fused beads for chemical analysis using the XRF method for refractory materials containing silicon carbide. The developed method of oxidizing SiC contained in the sample with a mixture of sodium carbonate and borax allows to obtain an alloy without destroying the platinum crucibles. From the alloy thus obtained lithium-borate beads suitable for chemical analysis by XRF are prepared. The correctness of the obtained results was confirmed by the analysis of certified reference materials containing SiC.
4
Content available remote Płaski filtr ceramiczny – nowe rozwiązanie
PL
Przeprowadzono badania nad opracowaniem sposobu otrzymywania płaskiego filtra ceramicznego w postaci wielowarstwowej, dwustronnej membrany ceramicznej, charakteryzującego się tym, że jego wewnętrzną warstwę drenażową stanowi porowata, otwarta struktura, umożliwiająca uzyskanie wyższej wydajności filtracji z jednostki powierzchni filtracyjnej w porównaniu z rozwiązaniem obecnym na rynku. Na podstawie prób, wykonanych z wykorzystaniem znanych metod otrzymywania porowatych tworzyw z SiC, uzyskano prototypowy dysk filtracyjny. Przeprowadzone badania jego własności filtracyjnych potwierdziły, że w porównaniu z rozwiązaniem obecnym na rynku, umożliwia on uzyskanie wyższej wydajności filtracji z jednostki powierzchni oraz charakteryzuje się korzystniejszą zdolnością do regeneracji.
EN
Research has been carried out on developing a method for obtaining a flat ceramic filter in the form of a multilayer, double-sided ceramic membrane with an internal drainage layer with a porous, open structure. This structure allows higher filtration efficiency per filter surface unit compared to a solution available on the market. Based on the conducted trials, using the commonly applied methods of obtaining porous products from silicon carbide, a proto-type filtration disc was developed. Investigations into its filtration properties confirmed that compared to the solution currently available on the market, it enables obtaining a much higher filtration efficiency and is characterized by a better ability to regenerate.
EN
Four municipal waste incineration plants were visited in Belgium. Facilities mainly consist of grate furnaces. During stopping for maintenance, in situ observations were mainly realized in two plants, refractory and slag samples were collected. These samples were observed and analysed in laboratory: ICP chemical analysis, X-ray diffraction, scanning electron microscopy, EDS analysis, thermo-optical analysis. Three mechanisms of degradation were identified. Their appearance mainly depends on the location in the furnace. On site observation and laboratory investigations allow to understand and to model the degradation mechanisms of materials versus composition, temperature, and their locations in the furnaces.
PL
Odwiedzono cztery belgijskie spalarnie odpadów komunalnych. Obiekty składają się głównie z pieców rusztowych. Podczas postoju z powodu konserwacji w dwóch zakładach przeprowadzono głównie obserwacje in situ i pobrano próbki materiałów ogniotrwałych i żużla. Próbki te obserwowano i analizowano w laboratorium: analiza chemiczna ICP, dyfrakcja rentgenowska, skaningowa mikroskopia elektronowa, analiza EDS, analiza termooptyczna. Zidentyfikowano trzy mechanizmy degradacji. Ich występowanie zależy głównie od lokalizacji w piecu. Obserwacje na miejscu i badania laboratoryjne pozwalają zrozumieć i modelować mechanizmy degradacji materiałów w zależności od składu, temperatury i ich lokalizacji w piecach.
EN
The characteristics of abrasive tools (the type of grinding wheel, granulation of the super hard grain, type of structure, hardness, and the type of binder) contain information on the type of supporting body materials used (e.g., dural, ceramic, steel). In this work, diamond wheels were obtained on ceramic supporting bodies, containing a sintered mixture of white alumina 99A granulation F320, green silicon carbide 99A granulation F320, and binder Ba23 bis, together with modifiers. The mechanical properties (hardness, bending strength) of ceramic supporting bodies were tested. The structure of the phase boundary of the ceramic supporting body–abrasive grinding tool was analyzed on a BEC (backscattered electron composition) image by using SEM (Scanning Electron Microscopy). It was found that the hardness of the supporting body was slightly lower (70–75 HRB) than the diamond wheels (76–81 HRB). The bending strength of the supporting bodies was high (85 2 MPa). The BEC image from the scanning microscope did not show a sharp transition between the ceramic supporting body and the grinding wheel. Preliminary operational tests showed significant improvement in grinding wheel efficiency in comparison to diamond tools with the same ceramic binder on a duralumin supporting body during machining of G30 sintered carbide bush.
EN
This paper presents the results of the processes of treating aluminum matrix casting materials with the addition of a ceramic phase. The matrix of the composite material was an Al-Si7 casting alloy with addition of 2 mass% Mg. The volume fraction of the reinforcing phase in the form of silicon carbide ranged from 5 to 15 vol.%. Preliminary machining tests were carried out at the Mori Seiki NL2000SY turning and milling center. The cutting properties were evaluated during longitudinal turning. Cutting tests were carried out using tools made of polycrystalline diamond, regular boron nitride, and cemented carbides. The nature of VBB wear was checked in accordance with PN-ISO 3685:1996. The influence of machining parameters (cutting speed, feed, cutting depth) on the value of cutting tools temperature was determined. An analysis of the chip shaping mechanism during machining was performed at various cutting parameters. The tests were carried out using the FLIR A655 thermal imaging camera and the fast Phantom MIRO M310 fast camera. Cast composite materials were also subjected to the processes of waterjet cutting, EDM cutting, and EDM drilling (EDM electro discharge machining).
8
Content available remote SiC-based composites made with SHS derived powders
EN
The applications of silicon carbide-based composites at extremely high temperatures and under high partial pressure of water vapor require some modifications of the silicon carbide structure and microstructure in order to increase the reliability of the composite component. One of the methods of such modification could be to introduce phases containing yttria or chromia compounds into the composite microstructure. The presented paper reports the results of investigations on the SHS of silicon carbide powders enriched with yttrium or chromium precursors. It was experimentally proven that it is possible by the means of the SHS technique to obtain powders containing only silicon carbide and dispersions of yttrium silicate or yttrium silicide. Such powders were consequently compacted by hot-pressing or the U-FAST technique. The level of densification and the phase compositions of the materials were characterized. It was found that the sintering conditions determine the phase compositions of the sintered samples. Consolidation using the hot-pressing technique leads to the decomposition of silicon carbide and reduction of the remaining starting phases. As an effect, free graphite and carbide phases (YC2 or Cr3C2) appear in the sintered samples. Applying the U-FAST technique and short sintering times lasting a few minutes allows some yttium-silicon phases from the SiC-Y system (oxide, carbide, silicide) to be preserved in the sintered material. In the SiC-Cr system after U-FAST consolidation the CrSi2 silicide phase was preserved, which is not desirable in the final material because of its relatively low melting point of 1470°C.
PL
Zastosowania materiałów kompozytowych na bazie węglika krzemu w warunkach ekstremalnie wysokich temperatur i pod wysokim ciśnieniem parcjalnym pary wodnej wymagają pewnej modyfikacji struktury oraz mikrostruktury węglika krzemu, w celu zwiększania niezawodności kompozytowego komponentu. Jednym ze sposobów takiej modyfikacji może być wprowadzenie do mikrostruktury kompozytowej faz zawierających itr lub chrom. Niniejsza praca prezentuje wyniki badań, otrzymanych syntezą SHS, proszków kompozytowych na osnowie węglika krzemu wzbogaconej prekursorami itru i chromu. Dowiedziono eksperymentalnie, że jest możliwe uzyskanie metodą SHS proszków zawierających tylko węglik krzemu i wtrącenia krzemianu itru lub krzemku itru. Wytworzone proszki zostały poddane zagęszczaniu za pomocą dwóch różnych metod, tj. prasowania na gorąco (HP) oraz techniki U-FAST. Scharakteryzowano poziom zagęszczenia otrzymanych spieków kompozytowych oraz ich skład fazowy. Stwierdzono, że warunki spiekania determinują skład fazowy spieków. Zagęszczanie przez hot-pressing prowadzi do rozkładu węglika krzemu i do redukcji pozostałych faz wyjściowych, w wyniku czego w spiekach pojawia się wolny grafit oraz fazy węglikowe (YC2 lub Cr3C2). Zastosowanie techniki U-FAST i krótkich, kilkuminutowych czasów spiekania pozwala na zachowanie w spiekach z układu SiC-Y faz itrowo-krzemowych (tlenku, węglika i krzemku). W spiekach z układu SiC-Cr zachowana zostaje faza krzemkowa CrSi2, która nie jest pożądana w finalnym materiale ze względu na niską temperaturę topnienia 1470°C.
EN
In this work, in order to obtain breakdown voltage values of the 4H-SiC p-i-n diodes above 1.7 kV, three designs have been examined: single-zone junction termination extention (JTE), double-zone JTE and a structure with concentric rings outside each of the areas of the double-zone JTE (space-modulated JTE). The influence of geometry and the level of p-type doping in the JTE area as well as the charge as the interface between the p-type JTE area and the passivation layer on the diode breakdown voltage was studied. The effect of statistical dispersion of drift layer parameters (thickness, doping level) on diodes breakdown voltage with various JTE structures was investigated as well. The obtained results showed that the breakdown volatge values for a diode with single zone JTE are very sensitive both to the dose of JTE area and charge accumulated at the JTE/dielectric interface. The use of a double zone or space-modulated JTE structures allows for obtaining breakdown voltage above 1.7 kV for a much wider range of doping parameters and with better tolerance to positive charge at the JTE/dielectric interface, as well as better tolerance to statistical dispersion of active layer parameters compared to a single zone JTE structure.
EN
This paper presents the results of studies concerning the production and characterization of Al-SiC/W and Cu-SiC/W composite materials with a 30% volume fraction of reinforcing phase particles as well as the influence of corrosion and thermal shocks on the properties of selected metal matrix composites. Spark plasma sintering method (SPS) was applied for the purpose of producing these materials. In order to avoid the decomposition of SiC surface, SiC powder was coated with a thin tungsten layer using plasma vapour deposition (PVD) method. The obtained results were analysed by the effect of the corrosion and thermal shocks on materials density, hardness, bending strength, tribological and thermal properties. Qualitative X-ray analysis and observation of microstructure of sample surfaces after corrosion tests and thermal shocks were also conducted. The use of PVD technique allows us to obtain an evenly distributed layer of titanium with a constant thickness of 1.5 µm. It was found that adverse environmental conditions and increased temperature result in a change in the material behaviour in wear tests.
EN
A superior SiC based thermal protection coating process for carbon composite, which can be especially effective in a hot oxidizing atmosphere, was established in this study. A multi-coating process based on a combination of Chemical Vapor Reaction (CVR) and Chemical Vapor Deposition (CVD) was developed. Various protective coating layers on carbon composite were tested in hot oxidizing surroundings and the test results verified that the thermal ablation rate could be dramatically reduced down to 3.8% when the protective multi-coating was applied. The thermal protection mechanism of the coating layers was also investigated.
PL
Jakość powierzchni materiałów po wykonaniu procesów technologicznych jest ważnym zagadnieniem niezbędnym do zoptymalizowania przy próbie wykonania dobrej jakości przyrzadów półprzewodnikowych. W zależnosci od parametrów procesu, jakość powierzchni się zmienia. W niniejszej pracy zaprezentowano wpływ parametrów suchego trawienia RIE (ang. reactive ion etching) wspomaganego plazmą BCl₃ na jakość powierzchni węglika krzemu 4H-SiC. Podczas prac modyfikowano moc dostarczaną do reaktora, ciśnienie w reaktorze stosunek gazów roboczyhc oraz czas trawania procesu. Powierzchnia materiału po trawieniu została zobrazowana za pomocą wysokorozdzielczego skaningowego mikroskopu elektronowego SEM (ang. scanning electron microscope). Chropowatość została zmierzona za pomocą mikroskopu sił atomowych AFM (ang. atomic force microscope).
EN
The quality of material surface after technological process is one of the most important issue, during semiconductors device manufacturing. The quality of the surface is changing depending on parameters of process that was realized. This paper presents influence of the RIE (reactive ion etching) parameters using BCl3 plasma on the 4H-SiC surface quality. After the process, the SiC surface using high resolution SEM (scanning electron microscope) was investigated. The roughness of the surface was measured using AFM (atomic force microscopy).
PL
W pracy zaprezentowano analizę wytrzymałości trzech rezystów na oddziaływanie plazmy chlorowej. Przeprowadzono serie procesów trawienia SiC, w których maskę zrealizowano przy użyciu materiałów PMMA 950, ZEP 520 oraz HSQ. W ramach opracowanych eksperymentów zbadano różne dawki naświetlania rezystów. Na potrzeby analizy wykonane zostały badania przy użyciu skaningowej mikroskopii elektronowej. Ponadto wykorzystano profilometrię w celu określenia parametrów wyjściowych trawienia – szybkości trawienia rezystu i węglika krzemu. Pomiary zrealizowano przed i po usunięciu maski z rezystu. Wyznaczono zakresy głębokości trawienia przy założonej grubości użytego materiału maskującego.
EN
The paper presents an analysis of the durability of three resists on the effect of chlorine plasma. A series of SiC etching processes were carried out, where using PMMA 950, ZEP 520 and HSQ materials the mask was made. As part of the experiments developed, various doses of irradiation were tested. For etching characterization scanning electron microscopy were performed. In addition, to determine the parameters like the etching speed of the resist and silicon carbide, profilometry was used. Measurements before and after removing the mask were realized. Possible etching depth ranges were determined at the assumed thickness of the masking material used.
14
Content available remote Przegląd metod czyszczenia powierzchni podłoży SiC
PL
Zapewnienie wysokiego poziomu uzysku produkcyjnego w technologii półprzewodnikowej wymaga opracowania poszczególnych procesów technologicznych wytwarzania przyrządu oraz wysokiej jakości podłoża. Podstawowymi wskaźnikami jakości podłoży półprzewodnikowych jest gęstość określonego rodzaju defektów oraz poziom czystości powierzchni podłoży przed kolejnymi procesami. W niniejszym komunikacie dokonano przeglądu obecnego stanu wiedzy na temat metod przygotowania i czyszczenia powierzchni węglika krzemu.
EN
Fabrication of an efficient, reliable and durable semiconductor device requires not only the development of specific technological processes used during its production, but also a high quality substrate. The quality of the substrate can be determined by the level of contamination of their surfaces and the presence of defects. They can interfere with proper operation or shorten the life of the instruments. This article reviews the current state of knowledge on the methods of preparation and cleaning of silicon carbide surfaces.
15
Content available remote Modelowanie tranzystora SiC-JFET w programie PSPICE
PL
W pracy omówiono problematykę modelowania charakterystyk tranzystora JFET wykonanego z węglika krzemu. Przeprowadzono ocenę dokładności modelu tranzystora JFET wbudowanego w programie PSPICE poprzez porównanie wyników symulacji z wynikami pomiarów wybranych charakterystyk statycznych tranzystora SiC-JFET typu SJEP170R550 firmy SemiSouth w szerokim zakresie zmian temperatury otoczenia. Zaproponowano autorskie modyfikacje tego modelu wpływające na zwiększenie jego dokładności.
EN
In the paper, the problem of characteristics modelling of a JFET transistor made of silicon carbide, is presented. The accuracy of the builtin in SPICE model of JFET by comparing the results of simulations and measurements of selected static characteristics of SiC-JFET (SJEP170R550) fabricated by SemiSouth in a wide range of the ambient temperature, is evaluated. Proprietary modifications of the model, improving its accuracy, have been proposed.
PL
Sieć Badawcza Łukasiewicz – ITME posiada wieloletnie doświadczenie w homoepitaksji warstw węglika krzemu na przewodzących podłożach 4H-SiC o średnicy do 3 cali. Technologia wzrostu obejmuje warstwy nieintencjonalnie domieszkowane, warstwy typu „n” oraz warstwy typu „p”. Koncentracja powierzchniowa defektów wynosi ~7000 cm-2 dla przypadku podłoża odchylonego o 4° od płaszczyzny (0001) w kierunku [11-20]. Nowoczesne wyposażenie laboratoryjne pozwala na kompleksową charakteryzację w oparciu o techniki AFM, SEM, SIMS, DLTS, spektroskopię Ramana oraz pomiar charakterystyk I-V i C-V.
EN
Lukasiewicz Research Network – ITME has had many years of experience in silicon carbide homoepitaxy on conducting up to 3-in 4H-SiC substrates. The growth technology covers unintentionally doped layers, n-type layers and p-type layers. Surface etched pit density is below 7000 cm- 2 for a substrate that is 4° off-axis from the (0001) plane towards the [11-20] direction. Modern laboratory equipment allows for a comprehensive characterisation based on AFM, SEM, SIMS, DLTS, Raman spectroscopy, and I-V and C-V measurements.
17
EN
In recent years silicon carbide and gallium nitride transistors have become a popular choice for power converters, such as LLC resonant converters, power factor correction circuits, etc. This paper presents a direct comparison of silicon, silicon carbide and gallium nitride field effect transistors (FETs) in a 900 W, two-phase, zero-voltage switching boost converter with a switching frequency range of (300 – 500) kHz. Through analysis, calculations and experimental examination, it is shown, that using gallium nitride and silicon carbide transistors results in a significant increase in converter efficiency, as well as other benefits, such as lower power consumed by the driving circuits and lower working temperature.
PL
W ostatnich latach wzrosła popularność tranzystorów półprzewodnikowych wykonanych z węglika krzemu (SiC) i azotku galu (GaN) w zastosowaniach takich, jak przekształtniki rezonansowe LLC, układy PFC, itp. Niniejszy artykuł prezentuje bezpośrednie porównanie tranzystorów krzemowych, z węglika krzemu oraz z azotku galu w dwufazowym przekształtniku typu boost ZVS o częstotliwości przełączania w zakresie (300 – 500) kHz i mocy 900 W. Poprzez analizę, obliczenia i weryfikację eksperymentalną wykazano, że zastosowanie tranzystorów SiC i GaN skutkuje znaczącym wzrostem sprawności przekształtnika, oraz innymi korzyściami, takimi, jak niższa moc pobierana przez obwody sterowników bramkowych oraz niższa temperatury pracy.
EN
In the paper, the effect of vibro-compaction in processing of sintered SiCp – aluminium matrix composite was presented. The composite with 15% vol. of SiCp, obtained with three stages: vibro-compaction with use of different amplitude (0.75 mm, 1.125 mm and 1.5 mm), cold pressing and pressure less sintering. The obtained composites were characterized by porosity measurements, microhardness, quantitative metallography analysis and dry sliding tests. It was proved that the application of chosen compaction method, for powder mixture consisting of powders with different density (Al and SiC), allows to obtain graded structure composite. An increase of SiC particles volume fraction as well as microhardness increase was observed towards the bottom of the sample. The most beneficial effect, in SiCp distribution and microhardness values, was noted for the sample were the amplitude of vibro-compaction was 1.5 mm. Moreover, the tribological examinations showed differences in friction coefficients and mass losses for opposite surfaces of composite samples, due to different SiCp volume fraction across the sample. The vibro-compacted material revealed lower porosity, higher mean value of friction coefficient and lower mass loss comparing to the reference composite.
PL
Głównym obszarem zastosowania kompozytów na osnowie aluminium zbrojonych cząstkami ceramicznymi są skojarzenia ślizgowe i cierne, takie jak grupa tłokowo-cylindrowa maszyn tłokowych i łożyska ślizgowe, a w przemyśle samochodowym klocki hamulcowe, sprzęgła, przekładnie pasowe czy bloki silnika. W wielu elementach nie są wymagane takie same właściwości tribologiczne materiału na całym przekroju lub nie jest technologicznie możliwe uzyskanie ekstremalnie wysokich parametrów użytkowych związanych z dużą zawartością cząstek w całej objętości. W takich przypadkach rozwiązaniem mogą być materiały charakteryzujące się gradientowym rozmieszczeniem cząstek ceramicznych i istnieje wiele koncepcji technologicznych pozwalających uzyskać ten typ mikrostruktury. W pracy przedstawiono możliwość uzyskania metodą metalurgii proszków struktury gradientowej w kompozycie Al–SiCp, dla udziału zbrojenia w mieszaninie wyjściowej 15% obj. Założono, że gradientowe zróżnicowane rozmieszczenie zbrojenia w osnowie powstanie dzięki różnicy gęstości komponentów (Al 2,7 g/cm3, SiC 3,21 g/cm3), podczas zgęszczania wibracyjnego, dzięki bardziej intensywnemu w porównaniu z proszkiem aluminium przemieszczaniu się cząstek SiC w dół formy.
EN
Flexible composites from high performance fibres were developed and targeted to replace the wall of existing rigid ceramic Particulate Filters. The composites are made from E Glass fibre webs of different density in the middle, with standard SiC Ceramic fibres webs in in the outer layers, forming a sandwich structure. Different needling densities were applied to form nonwoven composites, and they were stitched diagonally on the surface at specified intervals with continuous glass fibre filament yarn. In total, nine novel flexible composites were developed and evaluated for their structural, surface, mechanical and thermal properties. Based on the results and statistical analysis, the B2 sample is considered to be taken for further research to develop Particulate Matter (PM) filters.
PL
W pracy opracowano giętkie kompozyty wzmocnione włóknami ceramicznymi i szklanymi do zastosowania w ścianach filtrów cząstek stałych. Kompozyty tworzące strukturę wielowarstwową zostały wykonane ze wstęg z włókna szklanego o różnej gęstości (warstwa wewnętrzna) i włókien ceramicznych (warstwa zewnętrzna). Zastosowano różne gęstości igłowania w celu utworzenia kompozytów włókninowych i zszyto je ukośnie na powierzchni w określonych odstępach za pomocą ciągłej przędzy z włókna szklanego. Opracowano dziewięć nowych giętkich kompozytów i oceniono ich właściwości: strukturalne, powierzchniowe, mechaniczne i termiczne. Na podstawie wyników i analizy statystycznej stwierdzono, że do dalszych badań w celu opracowania filtrów materii cząstek stałych (PM) należy wytypować próbkę B2.
EN
This paper discusses selected problems regarding a high-frequency improved current-fed quasi-Z-source inverter (iCFqZSI) designed and built with SiC power devices. At first, new, modified topology of the impedance network is presented. As the structure is derived from the series connection of two networks, the voltage stress across the SiC diodes and the inductors is reduced by a factor of two. Therefore, the SiC MOSFETs may be switched with frequencies above 100 kHz and volume and weight of the passive components is decreased. Furthermore, additional leg with two SiC MOSFETs working as a bidirectional switch is added to limit the current stress during the short-through states. In order to verify the performance of the proposed solution a 6 kVA laboratory model was designed to connect a 400 V DC source (battery) and a 3£400 V grid. According to presented simulations and experimental results high-frequency iCFqZSI is bidirectional – it may act as an inverter, but also as a rectifier. Performed measurements show correct operation at switching frequency of 100 kHz, high quality of the input and output waveforms is observed. The additional leg increases efficiency by up to 0.6% – peak value is 97.8%.
first rewind previous Strona / 12 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.