Ograniczanie wyników
Czasopisma help
Autorzy help
Lata help
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 56

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 3 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  semiconductor devices
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 3 next fast forward last
PL
W pracy zaproponowano sposób modelowania właściwości elementów półprzewodnikowych przy uwzględnieniu wpływu zewnętrznego pola elektromagnetycznego. Przedstawiono koncepcję modelowania rozważanych elementów za pomocą programu SPICE oraz pokazano postać hybrydowego modelu elementu półprzewodnikowego uwzględniającego oddziaływanie rozważanego pola na przebiegi napięcia i prądu elementu półprzewodnikowego. Rozważania szczegółowe przeprowadzono na przykładzie diody p-n. Przedstawiono i przedyskutowano wyniki obliczeń charakterystyk statycznych i dynamicznych tej diody. Wskazano, przy jakich wartościach parametrów pola elektromagnetycznego widoczny jest jego wpływ na rozważane charakterystyki.
EN
This paper proposes the manner of the modelling properties of semiconductor devices with an influence of the external electromagnetic field taken into account. The idea of modelling considered devices by means of the SPICE software is presented and the form of the hybrid model of the semiconductor device taking into account the influence of considered field on courses of the voltage and the current of this device is shown. Detailed considerations were passed on the example of the p-n diode. Results of calculations of dc and dynamic characteristics of this diode are presented and discussed. It is shown, at which values of parameters characterising electromagnetic field its influence on considered characteristics is visible.
EN
In the paper the problem of modelling thermal properties of semiconductor devices with the use of compact models is presented. This class of models is defined and their development over the past dozens of years is described. Possibilities of modelling thermal phenomena both in discrete semiconductor devices, monolithic integrated circuits, power modules and selected electronic circuits are presented. The problem of the usefulness range of compact thermal models in the analysis of electronic elements and circuits is discussed on the basis of investigations performed in Gdynia Maritime University.
PL
W artykule przedstawiono historię kolejnych opracowań i wprowadzenia do zastosowań praktycznych pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych w latach 1954-2000. Są to germanowe i krzemowe diody prostownicze, fotodiody, diody Zenera i przyrządy mikrofalowe dla uzbrojenia radioelektronicznego, głównie dla radiolokacji (waraktory, diody ładunkowe, diody Schottky’ego, diody i generatory Gunna, diody PIN, tranzystory).
EN
Article describes history of successive studies and introduction to practical applications of first Polish semiconductor devices in the period of 1954-2000. They are german and silicon rectifying diodes, photodiodes, Zener diodes and microwave devices for radioelectronic military egwiment mailny for radiolocation (varactors, charge storage diodes, Schottky diodes, Gunna diodes and generators, PIN diodes, transistors).
PL
W artykule przedstawiono historię kolejnych opracowań i wprowadzenia do zastosowań praktycznych pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych w latach 1964-2000. Są to germanowe i krzemowe diody prostownicze, fotodiody, diody Zenera i przyrządy mikrofalowe dla uzbrojenia radioelektronicznego, głównie dla radiolokacji (waraktory, diody ładunkowe, diody i generatory Gunna, diody PIN, tranzystory).
EN
Article describes history of successive studies and introduction to practical applications of first Polish semi-conductor devices in the period of 1964-2000. They are germanous and siliceous rectifying diodes, photodiodes, Zener diodes and microwave devices for radioelectronic weaponry mainly for radiolocation (varactors, charge storage diodes, Gunna diodes and generators, PIN diodes, Schottky diodes, transistors).
5
Content available remote Elektryczność statyczna (ESD)
PL
W pracy przedstawiono podstawowe informacje na temat zagrożeń dla elementów i układów elektronicznych ze strony wyładowań elektrostatycznych. Wskazano mechanizm powstawania takich wyładowań oraz sposób pomiaru odporności elementów elektronicznych na te wyładowania. Opisano również sposoby zabezpieczania tych elementów przed uszkodzeniem na skutek wyładowań elektrostatycznych na etapie wytwarzania oraz ich eksploatacji.
EN
In the paper the basic information on failures caused by electrostatic discharge (ESD) in semiconductor devices and electronic circuits is given. Mechanism of discharging, ways of measuring the resistance of devices and circuits to the ESD are described. The methods how to protect devices and circuits against ESD during their production and operation are discussed as well.
PL
W pracy przestawiono model fizyczny tranzystora tunelowego polowego (TFET). Model bazuje na rozwiązaniu równania Poissona oraz równań ciągłości dla prądu elektronów i dziur w dwóch wymiarach. Tunelowanie zostało uwzględnione poprzez nielokalny model generacji międzypasmowej. Omówiono zasadę działania tranzystora TFET oraz przedstawiono wyniki obliczeń. Wygenerowano przykładowe charakterystyki wyjściowe oraz przejściowe dla różnych parametrów struktury DG (double gate).
EN
In this work a physical model of tunnel field effect transistor (TFET) was introduced. The model is based on the solution of Poisson equation and electron and hole continuity equations in two dimensions. The tunneling process has been taken into account by non -local interband generation model. Working principle of TFET has been discussed and numerical results were presented. Output and transfer characteristics for DG (double gate) structure with various parameters were generated.
PL
W pracy przedstawiono wyniki symulacji komputerowej przeprowadzonej dla laserów półprzewodnikowych o emisji powierzchniowej z pionowym rezonatorem z obszarem czynnym GaInAsSb/GaSb emitujących promieniowanie o długości fali z zakresu 2,6–2,8 μm otrzymane za pomocą samouzgodnionego trójwymiarowego modelu obejmującego zjawiska elektryczne, termiczne, rekombinacyjne i optyczne. Przeprowadzone obliczenia pokazały, że wraz ze wzrostem długości fali emitowanego promieniowania coraz trudniej jest uzyskać stabilną pracę lasera na modzie podstawowym. Wyraźnemu zawężeniu ulega nie tylko przedział temperatur pracy przyrządu, ale także możliwość wyboru poprzecznych rozmiarów złącza tunelowego. Już dla lasera zaprojektowanego do emisji promieniowania o długości fali około 2,7 μm stosowanie złącza tunelowego o średnicy powyżej 4 μm sprawia, że preferowany jest mod LP11, natomiast w skrajnym przypadku, dla długości fali około 2,8 μm, praca na modzie LP01 występuje jedynie dla złącza tunelowego o średnicy 2 μm.
EN
In this work results of the computer simulation of semiconductor-based vertical-cavity surface-emitting lasers with GaInAsSb/GaSb active region and emission in the 2.6–2.8 μm wavelength range obtained with the use of comprehensive fully self-consistent optical-electrical-thermal -recombination numerical model have been presented. The resulting calculations showed that with the increasing emission wavelength the stable fundamental mode operation becomes more difficult to achieve due to reduction of the temperature operation range. Furthermore, the range of the lateral dimensions of the tunnel junction for which the LP01 mode operation can be obtained is also decreased. In the case of laser designed for 2.7-μm operation, using the tunnel junction with diameter wider than 4 μm leads to the situation when the LP11 mode is the preferred one. For the emission wavelength around 2.8 μm, the LP01 mode operation is limitted only to devices with tunnel junction with diameter equal to 2 μm.
PL
W artykule omówiono budowę modułów termoelektrycznych i zjawisko Peltiera. Położono nacisk na analizę zjawiska zachodzącego na elemencie półprzewodnikowym. Zaprezentowano także ułożenie ogniw w stos oraz model matematyczny wykorzystany do opracowania programów symulacyjnych. Przedstawiono również aktualne zastosowania ogniw oraz omówiono możliwości wykorzystania modułów Peltiera jako elementów chłodzących w transporcie.
EN
The article discusses the construction of thermoelectric modules and Peltier effect. Emphasis on the analysis of the phenomena occurring on the semiconductor element. Also presented configuration of cells in the stack and a mathematical model used to develop simulation programs. It also presents the current cell use, and discussed the possibility of using modules as a Peltier cooling elements in transport.
9
Content available remote Modelowanie i optymalizacja antymonkowych laserów typu VCSEL
PL
W niniejszej pracy zaprezentowano wyniki komputerowej symulacji progowej pracy antymonkowego lasera o emisji powierzchniowej z pionową wnęką rezonansową z wykorzystaniem samouzgodnionego modelu lasera opisującego zjawiska elektryczne, termiczne, rekombinacyjne i optyczne. Obliczenia wykonano dla struktury dostosowanej do emisji promieniowania o długości fali 2,6 μm. Pokazane zostały zalety wprowadzenia ograniczenia dla rozpływu prądu w postaci złącza tunelowego oraz zbadano wpływ przesunięcia warstw powstałego na skutek jego wytworzenia na ograniczanie wzbudzania się modów wyższego rzędu. Zmniejszanie przesunięcia, o wartości początkowej wynoszącej 55 nm, o 35 nm spowodowało wzrost strat dla modów LP11 i LP21 odpowiednio 7 i 25 razy przy wzroście prądu progowego jedynie o 10%. Dalsza redukcja przesunięcia przyczynia się do wyraźnego wzrostu prądu progowego: 20% dla 40 nm oraz 50% dla 45 nm.
EN
In this work results of the threshold operation of antimonide-based vertical-cavity surface-emitting laser have been presented with the aid of the comprehensive fully self-consistent optical-electrical-thermal-recombination numerical model. Calculations have been carried out for the structure emitting at 2.6 μm. The advantages of incorporating the tunnel junction for current confinement have been shown and the influence of a layer shift caused by presence of the tunnel junction on the mode selectivity has been examined. It was shown that reducing the layer shift, with initial height equal to 55 nm, by the 35 nm leads to 7 and 25 times higher mode losses for LP11 and LP21 modes, respectively, and only 10% higher threshold current for the LP01 mode. Further reduction of the layer shift leads to high increment of the threshold current value: 20% for 40 nm reduction and 50% for 45 nm one.
EN
In the paper selected methods of measuring the thermal resistance of an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) are presented and the accuracy of these methods is analysed. The analysis of the measurement error is performed and operating conditions of the considered device, at which each measurement method assures the least measuring error, are pointed out. Theoretical considerations are illustrated with some results of measurements and calculations.
11
Content available remote Measurements of thermal resistance of solar cells
EN
In the paper the problem of measurement of thermal resistance of solar cells is considered. The electric dc method of measurement of thermal resistance of semiconductor devices with the p-n junction is presented and the infrared and contact methods are described. Measurements of the dependence of thermal resistance of 3 types of solar cells on the current are made and the analysis of uncertainty of the measurement of the considered parameter is performed. It results from the carried out investigations that the use of the electric method is justified with big values of the current of the solar cell, assuring a significant rise of its internal temperature.
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań wpływu sposobu mocowania elementu półprzewodnikowego na jego przejściową impedancję termiczną. Opisano zastosowaną przez autorów metodę pomiaru tego parametru oraz wyniki pomiarów cza-sowych przebiegów przejściowej impedancji termicznej wybranych typów tranzystorów pracujących przy różnych warunkach mocowania. Przy wykorzystaniu autorskiego programu ESTYM wyznaczono wartości parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej i przeanalizowano wpływ sposobu mocowania na wartości tych parametrów. Badania przeprowadzono zarówno dla elementów pracujących pojedynczo, jak i dla analogowego układu scalonego oraz tranzystorów pracujących na wspólnym radiatorze.
EN
In the paper some results of investigations of the influence of the manner of mounting semiconductor devices on its transient thermal impedance are presented. The applied by the authors the method of measurements of this parameter is described and some results of measurements of waveforms of the transient thermal impedance of selected types of transistors operating at different mounting conditions are shown. With the use of the authors’ program ESTYM the values of parameters of the model of the transient thermal impedance were estimated. The influence of the manner of mounting manner on the value of these parameters is analysed. Investigations were passed both for devices operating one by one, as and for the analog integrated circuit and transistors situating on the common heat-sink.
PL
W artykule zaprezentowano wybrane wyniki prac naukowo-badawczych prowadzonych w Katedrze Elektroniki Morskiej (KEM) Akademii Morskiej w Gdyni w zakresie pomiarów oraz modelowania przyrządów półprzewodnikowych wykonanych z węglika krzemu, a także przykładowych układów elektronicznych z tymi przyrządami.
EN
In this papers, selected results of scientific research performed in the Department of Marine Electronics of Gdynia Maritime University in the field of measurements and modelling of semiconductor devices made of silicon carbide are presented. Some results of analyses and calculations of electronic circuits containing such devises are shown, as well.
PL
W artykule przedstawiono historię pierwszych polskich urządzeń półprzewodnikowych opracowanych i wytwarzanych przez Autora i jego współpracowników.
EN
In this paper the history of first Polish semiconductor devices is presented.
PL
W pracy zaprezentowano autorski system pomiarowy do wyznaczania parametrów termicznych przyrządów półprzewodnikowych przy wykorzystaniu metod elektrycznych. Przedstawiono koncepcję działania proponowanego systemu oraz zaprezentowano przykładowe rozwiązanie konstrukcyjne do pomiaru parametrów termicznych diod oraz tranzystorów JFET. Poprawność działania opracowanego systemu pomiarowego zweryfikowano poprzez porównanie wyników pomiarów przejściowej impedancji termicznej diody Schottky’ego i diody MPS oraz tranzystora JFET, uzyskanych za pomocą opracowanego systemu pomiarowego oraz przy wykorzystaniu metody pirometrycznej.
EN
In the paper the measuring system, elaborated by the authors, for determining thermal parameters of semiconductor devices with the use of electrical methods, is presented. The concept of operation of the system and sample circuits solution dedicated for measurements of diodes and JFET s are described. Correctness of the system operation was verified by comparing the results of transient thermal impedance measurements of some semiconductor devices: Schottky diode, MPS diode and JFET, obtained through the developed measuring system and pyrometric method.
PL
W pracy przedstawiono wyniki modelowania zjawisk elektryczno-cieplnych w diodzie elektroluminescencyjnej emitującej promieniowanie w zakresie bliskiego ultrafioletu i wykonanej na bazie azotku galu. W szczególności skupiono się na sprawdzeniu wpływu na pracę modelowanego przyrządu takich parametrów jak: szerokość kontaktów, położenie kontaktów, szerokość mesy, głębokość trawienia mesy, grubość podłoża. Otrzymane wyniki pozwoliły wybrać do dalszych prac technologicznych rozwiązania konstrukcyjne rokujące otrzymanie przyrządu o dobrych parametrach eksploatacyjnych.
EN
In the present paper presents results of modelling of thermal and electrical processes in the GaN-based electroluminescent diode emitting in the near-ultraviolet range. An influence of design parameters, such as: thickness and position of contacts, etching depth and thickness of mesa, thickness of the substrate, on the device operation has been analyzed. The obtained results enable to choose promising designs providing good operation properties of the considered device which may be a subject of further technological research.
PL
W niniejszej pracy zaprezentowano samouzgodniony elektryczno-termiczno-optyczno-wzmocnieniowy model lasera o emisji krawędziowej emitującego promieniowanie ultrafioletowe. Model ten pozwala głębiej zrozumieć nie tylko zjawiska fizyczne zachodzące w wykorzystanej do analizy numerycznej strukturze laserowej, ale także wzajemne powiązania między tymi zjawiskami. Ponadto może on zostać zastosowany do sprawdzenia użyteczności wybranych modyfikacji struktury lasera i ich wpływu na oferowane przez ten przyrząd charakterystyki wyjściowe. Przedstawiony model stanowi zatem wygodne narzędzie do projektowania laserów o emisji krawędziowej emitujących promieniowanie ultrafioletowe i do optymalizacji ich struktur w celu uzyskania wymaganych charakterystyk eksploatacyjnych.
EN
In the present paper, a self-consisted electrical-thermal-optical-gain model of the ultraviolet edge-emitting laser has been presented. This model supports deeper understanding not only the physical phenomena occurring in the laser structure used for numerical analysis but also mutual interactions between these phenomena. Furthermore, it may be used to verify an utility of selected structure modifications and their influence on the laser output characteristics. The presented model is therefore a useful tool to design ultraviolet edge-emitting lasers and to optimise their structures in order to achieve required output characteristics
PL
W pracy przedstawiono metodykę opisu transportu ciepła ze struktury półprzewodnikowej elementu elektronicznego do otoczenia. Uwzględniono wielodrogowość transportu ciepła oraz zaproponowano uniwersalną postać modelu termicznego elementu półprzewodnikowego stanowiącego część urządzenia elektronicznego znajdującego się w obudowie. Pokazano postać modeli termicznych elementu półprzewodnikowego z dwoma różnymi systemami chłodzenia oraz zaproponowano sposób wyznaczania wartości parametrów takiego modelu.
EN
In the paper the methodics of description of the heat transport from the interior of semiconductor devices to the surroundings is presented. The universal form of the thermal model of semiconductor device operating in any electronic equipment located inside any box with multipath heat transfer taken into account is proposed. Moreover, the form of the thermal model of the semiconductor device operated with two different cooling conditions is described. For this model also the manner of obtaining the values of parameters of such model is shown.
PL
W artykule omówiono proces technologiczny wytwarzania diody elektroluminescencyjnej Al(In)GaN/GaN o emisji promieniowania w zakresie 380…400 nm z maksimum dla 384 nm oraz dostosowanych do niej kryształów fotonicznych. Zastosowanie kryształu fotonicznego w formie współśrodkowych pierścieni o stałej sieci 3 μm i wypełnieniu 60% wytrawionych w strukturze DEL pozwoliło na ponad dwukrotny wzrost mocy promieniowania, ograniczenie stożka emisji ze 150 do 90° oraz uzyskanie pojedynczego maksimum emisji w kierunku normalnym do powierzchni diody.
EN
This communication describes the fabrication of an Al(In)GaN/GaN light emitting diode (LED) emitting in the range 380...400 um with a maximum at 384 um along with the fabrication of appropriate photonic crystals. The etching of photonic crystals with a concentric ring structure with a 3 μm lattice constant and 60% filling factor in the LED structure yielded a more than doubled radiation power, more focused radiation cone of 90 instead of the initial 150° and a single energy maximum normal to the LED surface.
20
PL
W pracy opisano źródła narażeń elementów półprzewodnikowych i układów scalonych na promieniowanie jonizujące, a następnie omówiono klasyfikacje mechanizmów uszkodzeń wywołanych tym promieniowaniem. Podano przykłady szkodliwego wpływu promieniowania jonizującego na wybrane elementy i układy. Pokazano zastosowanie promieniowania neutronowego do wytwarzania domieszkowanego krzemu oraz wykorzystanie krzemu do konstrukcji półprzewodnikowych detektorów promieniowania jonizującego.
EN
In the paper sources of ionization radiation exposures of semiconductor devices and integrated circuits are presented, and classifications of failures caused by radiation are disscused. Some examples of destcructive influence of radiation on semiconductor devices and integrated circuits are given. Application of neutron radiation to obtain doped n-type silicon and use of silicon to construct ionization detectors are described as well.
first rewind previous Strona / 3 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.