Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 7

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  quantum metrology
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Przyszłość w metrologii kwantowej
PL
Kontynuujemy prezentację wzorców wielkości elektrycznych, utrzymywanych w Laboratorium Elektryczności i Magnetyzmu GUM. Po rezystancji przyszedł czas na wzorzec napięcia elektrycznego stałego.
EN
The Bulletin "Metrology and Hallmarking” continues to present national measurement standards of electrical quantities, maintained in the Laboratory of Electricity and Magnetism Laboratory. This time we are talking about National DC voltage standard.
EN
Graphene, due to its one-atom layer thickness, naturally behaves as a two-dimensional (2D) semiconductor system, where quantum Hall effect (QHE) can be observed. One of the most remarkable features of graphene is that its carrier concentration can be tuned to either hole or electron system by applying external electric field, which is not possible in typical semiconductor 2D structures. The aim of this work is to present our experiments concerning graphene application in electrical quantum metrology as a resistance standard based on QHE. We describe fabrication steps of graphene devices. The so-called exfoliation method of obtaining monolayer graphene flakes is used. In this technology graphite pieces are reduced to graphene flakes by mechanical peeling of material using a sticky tape. Finally graphene is transferred onto a dielectric substrate and electrical contacts are formed by electron beam lithography. Two different types of substrates were utilized: Si/SiO₂ and a GaAs/AIAs heterostructure. A GaAs/AIAs multilayer, designed to render the exfoliated graphene flakes visible, provided the required back-gate insulation and good carrier tuneability, despite the barrier limited height compared to the usual SiO2 oxide barrier on doped silicon. We also present measurements of integer quantum Hall effect in graphene deposited on both types of substrate.
PL
Grafen zbudowany jest tylko z jednej warstwy atomów węgla. Z tego powodu charakteryzuje się typowymi właściwościami dwuwymiarowych systemów półprzewodnikowych, w których występuje kwantowy efekt Halla. Jednak w odróżnieniu od nich, w grafenie istnieje możliwość łatwego sterowania gęstością nośników zarówno typu elektronowego jak i dziurowego za pomocą zewnętrznego pola elektrycznego. W pracy przedstawiono wyniki badań zmierzających do zastosowania grafenu w metrologii kwantowej jako wzorca oporu elektrycznego. Zostały omówione etapy wytworzenia przyrządu. Płatki grafenu były otrzymywane metodą eksfoliacji z naturalnego grafitu, w której za pomocą taśmy klejącej odrywano kolejne warstwy węglowe aż do osiągnięcia tylko jednej warstwy grafenowej. Wyizolowany grafen przeniesiono na podłoże dielektryczne i wytworzono kontakty elektryczne metodą elektronolitografii. W badaniach zostały wykorzystane dwa rodzaje podłoża: Si/SiO₂ oraz specjalnie spreparowana heterostruktura GaAs/AlAs. Heterostruktura została wykonana w postaci naprzemiennie ułożonych warstw GaAs i AlAs tak, aby umożliwić szybką lokalizację grafenu na podłożu za pomocą mikroskopu optycznego, a także aby zapewnić wystarczającą izolację między grafenem a bramką sterującą gęstością nośników. W pracy zostały przedstawione wyniki pomiarów całkowitego kwantowego efektu Halla w grafenie naniesionego na obydwa wymienione podłoża.
PL
Metrologia kwantowa obejmuje zagadnienia teoretyczne, jak niepewność pomiaru według zasady Heisenberga, oraz urządzenia techniczne- kwantowe wzorce i przyrządy pomiarowe o największej czułości. Metrologia kwantowa daje pod stawową wiedzę przy tworzeniu nowego systemu miar - kwantowego systemu Sl. W artykule opisano stosowane wzorce kwantowe. Wskazano także na kierunki rozwoju metrologii kwantowej.
EN
The quantum metrology embraces such theoretical problems, as the uncertainty of the measurement according to the Heisenberg's Uncertainty Principle, and technical devices, quantum standards and measuring instruments about the extreme sensitivity. Trie quantum metrology brings basic knowledge for establishing a new system of units. In the paper directions for a progress in quantum metrology are shown.
PL
Obecna definicja jednostki prądu, wiążąca ampera z wielkościami nieelektrycznymi, nie jest możliwa do odtworzenia w warunkach laboratoryjnych. Od wielu lat dąży się do wprowadzenia nowej, opartej na zjawiskach kwantowych definicji, zakładającej przepływ określonej ilości ładunku w czasie. Intensywne prace nad stworzeniem kwantowego wzorca prądu elektrycznego dla proponowanej nowej definicji, skupiają się na budowie układu współpracujących ze sobą tranzystorów jednoelektronowych, które potrafiłyby zapewnić odpowiednio duży prąd z bardzo małą niepewnością. Autorzy przedstawili zasadę działania jednoelektronowego tranzystora SET, wyniki prac związanych ze zwielokrotnieniem obecnie otrzymywanego prądu wyjściowego oraz korzyści, jakie dla światowej metrologii przyniesie przedefiniowanie jednostki prądu elektrycznego.
EN
The definition of the electric current, which binds ampere with non-electrical quantities, can not be reproduced in the laboratory. Because of this, the new, based on quantum phenomena definition is wanted. Electric current should be defined as number of elementary charges transported in a period of time. Intensive work to develop a quantum standard for the proposed new definition focus on building a system of cooperating single-electron transistors with sufficiently large current and very little uncertainty. This paper gives a basic knowledge about quantum metrology triangle, single-electron transistor and primary current standards and also shows the advantages of redefinition the ampere.
7
Content available remote Quantum Hall effect: the fundamentals
EN
The basic understanding of the physics behind and the reasons for very high precision of the resistivity ρxy quantisation in integer quantum Hall effect (IQHE) and the application of the effect in metrology to define a quantum resistance standard will be briefly discussed. We also mention some recent proposals concerning the application of the quantum Hall device as an efficient qubit for future quantum computers and end up with few remarks about the contribution of single electron devices to the realisation of standards and quantum metrology which seeks the ways to beat the accuracy of classic measurements.
PL
W pracy przedstawiono podstawy zjawiska i fizyczne powody pozwalające na precyzyjny pomiar oporności ρxy w warunkach całkowitego kwantowego zjawiska Halla. Omówiono zastosowanie zjawiska w metrologii jako wzorca oporności elektrycznej oraz propozycje zastosowania kwantowego zjawiskaHall do budowy qubitu - podstawowego elementu przyszłych komputerów kwantowych. Na zakończenie wykładu przedstawię kilka zagadnień związanych z zastosowaniem urządzeń jednoelektronowych w metrologii i tzw. metrologią kwantową, która w wykorzystaniu kwantowych praw szuka metod pomiaru z precyzją większą niż 1/√N.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.