Ograniczanie wyników
Czasopisma help
Autorzy help
Lata help
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 37

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  przyrządy półprzewodnikowe
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Content available remote Elektryczność statyczna (ESD)
PL
W pracy przedstawiono podstawowe informacje na temat zagrożeń dla elementów i układów elektronicznych ze strony wyładowań elektrostatycznych. Wskazano mechanizm powstawania takich wyładowań oraz sposób pomiaru odporności elementów elektronicznych na te wyładowania. Opisano również sposoby zabezpieczania tych elementów przed uszkodzeniem na skutek wyładowań elektrostatycznych na etapie wytwarzania oraz ich eksploatacji.
EN
In the paper the basic information on failures caused by electrostatic discharge (ESD) in semiconductor devices and electronic circuits is given. Mechanism of discharging, ways of measuring the resistance of devices and circuits to the ESD are described. The methods how to protect devices and circuits against ESD during their production and operation are discussed as well.
PL
W pracy przestawiono model fizyczny tranzystora tunelowego polowego (TFET). Model bazuje na rozwiązaniu równania Poissona oraz równań ciągłości dla prądu elektronów i dziur w dwóch wymiarach. Tunelowanie zostało uwzględnione poprzez nielokalny model generacji międzypasmowej. Omówiono zasadę działania tranzystora TFET oraz przedstawiono wyniki obliczeń. Wygenerowano przykładowe charakterystyki wyjściowe oraz przejściowe dla różnych parametrów struktury DG (double gate).
EN
In this work a physical model of tunnel field effect transistor (TFET) was introduced. The model is based on the solution of Poisson equation and electron and hole continuity equations in two dimensions. The tunneling process has been taken into account by non -local interband generation model. Working principle of TFET has been discussed and numerical results were presented. Output and transfer characteristics for DG (double gate) structure with various parameters were generated.
PL
W pracy przedstawiono wyniki symulacji komputerowej przeprowadzonej dla laserów półprzewodnikowych o emisji powierzchniowej z pionowym rezonatorem z obszarem czynnym GaInAsSb/GaSb emitujących promieniowanie o długości fali z zakresu 2,6–2,8 μm otrzymane za pomocą samouzgodnionego trójwymiarowego modelu obejmującego zjawiska elektryczne, termiczne, rekombinacyjne i optyczne. Przeprowadzone obliczenia pokazały, że wraz ze wzrostem długości fali emitowanego promieniowania coraz trudniej jest uzyskać stabilną pracę lasera na modzie podstawowym. Wyraźnemu zawężeniu ulega nie tylko przedział temperatur pracy przyrządu, ale także możliwość wyboru poprzecznych rozmiarów złącza tunelowego. Już dla lasera zaprojektowanego do emisji promieniowania o długości fali około 2,7 μm stosowanie złącza tunelowego o średnicy powyżej 4 μm sprawia, że preferowany jest mod LP11, natomiast w skrajnym przypadku, dla długości fali około 2,8 μm, praca na modzie LP01 występuje jedynie dla złącza tunelowego o średnicy 2 μm.
EN
In this work results of the computer simulation of semiconductor-based vertical-cavity surface-emitting lasers with GaInAsSb/GaSb active region and emission in the 2.6–2.8 μm wavelength range obtained with the use of comprehensive fully self-consistent optical-electrical-thermal -recombination numerical model have been presented. The resulting calculations showed that with the increasing emission wavelength the stable fundamental mode operation becomes more difficult to achieve due to reduction of the temperature operation range. Furthermore, the range of the lateral dimensions of the tunnel junction for which the LP01 mode operation can be obtained is also decreased. In the case of laser designed for 2.7-μm operation, using the tunnel junction with diameter wider than 4 μm leads to the situation when the LP11 mode is the preferred one. For the emission wavelength around 2.8 μm, the LP01 mode operation is limitted only to devices with tunnel junction with diameter equal to 2 μm.
PL
W artykule przedstawiono historię pierwszych polskich urządzeń półprzewodnikowych opracowanych i wytwarzanych przez Autora i jego współpracowników.
EN
In this paper the history of first Polish semiconductor devices is presented.
PL
W pracy przedstawiono wyniki modelowania zjawisk elektryczno-cieplnych w diodzie elektroluminescencyjnej emitującej promieniowanie w zakresie bliskiego ultrafioletu i wykonanej na bazie azotku galu. W szczególności skupiono się na sprawdzeniu wpływu na pracę modelowanego przyrządu takich parametrów jak: szerokość kontaktów, położenie kontaktów, szerokość mesy, głębokość trawienia mesy, grubość podłoża. Otrzymane wyniki pozwoliły wybrać do dalszych prac technologicznych rozwiązania konstrukcyjne rokujące otrzymanie przyrządu o dobrych parametrach eksploatacyjnych.
EN
In the present paper presents results of modelling of thermal and electrical processes in the GaN-based electroluminescent diode emitting in the near-ultraviolet range. An influence of design parameters, such as: thickness and position of contacts, etching depth and thickness of mesa, thickness of the substrate, on the device operation has been analyzed. The obtained results enable to choose promising designs providing good operation properties of the considered device which may be a subject of further technological research.
PL
W niniejszej pracy zaprezentowano samouzgodniony elektryczno-termiczno-optyczno-wzmocnieniowy model lasera o emisji krawędziowej emitującego promieniowanie ultrafioletowe. Model ten pozwala głębiej zrozumieć nie tylko zjawiska fizyczne zachodzące w wykorzystanej do analizy numerycznej strukturze laserowej, ale także wzajemne powiązania między tymi zjawiskami. Ponadto może on zostać zastosowany do sprawdzenia użyteczności wybranych modyfikacji struktury lasera i ich wpływu na oferowane przez ten przyrząd charakterystyki wyjściowe. Przedstawiony model stanowi zatem wygodne narzędzie do projektowania laserów o emisji krawędziowej emitujących promieniowanie ultrafioletowe i do optymalizacji ich struktur w celu uzyskania wymaganych charakterystyk eksploatacyjnych.
EN
In the present paper, a self-consisted electrical-thermal-optical-gain model of the ultraviolet edge-emitting laser has been presented. This model supports deeper understanding not only the physical phenomena occurring in the laser structure used for numerical analysis but also mutual interactions between these phenomena. Furthermore, it may be used to verify an utility of selected structure modifications and their influence on the laser output characteristics. The presented model is therefore a useful tool to design ultraviolet edge-emitting lasers and to optimise their structures in order to achieve required output characteristics
PL
W artykule omówiono proces technologiczny wytwarzania diody elektroluminescencyjnej Al(In)GaN/GaN o emisji promieniowania w zakresie 380…400 nm z maksimum dla 384 nm oraz dostosowanych do niej kryształów fotonicznych. Zastosowanie kryształu fotonicznego w formie współśrodkowych pierścieni o stałej sieci 3 μm i wypełnieniu 60% wytrawionych w strukturze DEL pozwoliło na ponad dwukrotny wzrost mocy promieniowania, ograniczenie stożka emisji ze 150 do 90° oraz uzyskanie pojedynczego maksimum emisji w kierunku normalnym do powierzchni diody.
EN
This communication describes the fabrication of an Al(In)GaN/GaN light emitting diode (LED) emitting in the range 380...400 um with a maximum at 384 um along with the fabrication of appropriate photonic crystals. The etching of photonic crystals with a concentric ring structure with a 3 μm lattice constant and 60% filling factor in the LED structure yielded a more than doubled radiation power, more focused radiation cone of 90 instead of the initial 150° and a single energy maximum normal to the LED surface.
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań dotyczące możliwości wytworzenia laserów złączowych emitujących w zakresie 2...3,5 μm powstałych na bazie technologii fosforkowej. Obszary czynne tych laserów stanowią tzw. rozcieńczone azotki (w szczególności związek GaInNAs) dopasowane sieciowo do podłoża InP. Jak pokazują wyniki wstępnych badań tak wykonane emitery światła spójnego mogą stanowić poważną alternatywę dla obecnie stosowanej technologii antymonkowej. Zaprojektowane i zamodelowane numerycznie obszary czynne laserów wykazywały w podanym obszarze na tyle duże wzmocnienie materiałowe, że na ich bazie można myśleć nie tylko o wytworzeniu laserów o emisji krawędziowej ale i laserów typu VCSEL.
EN
In the present paper, results of our investigations concerning possible manufacturing of InP-based diode lasers emitting the 2...3.5 μm radiation are presented. Their active regions are produced from dilute nitrides (from GaInNAs in particular) lattice matched to the InP substrate. According to initial results of our investigations, the above koherent light emitters may become a serious alternative for currently used antimony technology. Computer simulations of their performance confirm such a high optical gain within their active regions that they may be used not only to produce edge-emitting lasers but vertical-cavity surface-emitting lasers as well.
PL
W pracy omówiono wiele zagadnień dotyczących niezawodności podzespołów i modułów elektronicznych stosowanych w pojazdach samochodowych. Dużą uwagę zwrócono na niezawodność układów scalonych, od których w znacznym stopniu zależy jakość, niezawodność i właściwości funkcjonalne stosowanych modułów elektronicznych. Podkreślono konieczność kompleksowego podejścia do zagadnień niezawodności przyrządów półprzewodnikowych przez uwzględnienie fazy ich produkcji, pomiarów i różnorodnych badań oraz analizy wpływu warunków eksploatacji. Dotyczy to przede wszystkim działań technicznych, ale także i organizacyjnych.
EN
In the work several problems related to reliability of components and electronic modules used in the cars are described. An attention is specially paid to the reliability of integrated circuits, which in significant range determined the quality, reliability and functionality of used electronic modules. The need of complex approach to reliability of semiconductor devices is underlined. It involves regard of fabrication phase, measurements and various investigations as well as analysis of exploitation conditions influence. Both technical and organizational sides are important.
PL
Kontynuując omawianie zagadnień związanych z elektroniką w samochodach, w niniejszej części pracy przedstawiono przegląd magistrali (szyn) komunikacyjnych wykorzystywanych obecnie w instalacjach elektrycznych pojazdów samochodowych oraz rodzajów stosowanych przyrządów półprzewodnikowych i ich mechanizmów uszkodzeń. Uwagę zwrócono na zagadnienia niezawodności układów scalonych, od których w dużym stopniu zależy jakość, niezawodność i właściwości funkcjonalne stosowanych modułów i układów elektronicznych.
EN
Continuing consideration of some problems related to car electronics, in this part of work a review of communication buses used in vehicles installation is given. It is followed by consideration of applied semiconductor components and possible mechanisms of their failures. An attention is specially paid to the reliability of semiconductor devices and integrated circuits, which in significant range determined the quality, reliability and functionality of electronic modules and circuits in the cars.
PL
W pracy przedstawiono wyniki modelu termiczno-elektrycznego lasera kaskadowego wykonanego w technologii arsenkowej. Szczególny nacisk położono na zbadanie wpływu montażu lasera na jego własności cieplne. Rozpatrywano wpływ takich elementów jak: rozmiary przekładki diamentowej, grubość warstwy lutu, odległość między wytrawionymi kanałami definiującymi obszar czynny, stopień wypełnienia kanałów lutem. Wykonano też analizę porównawczą struktur montowanych z przekładką diamentową i montowanych na ind.
EN
In the present paper, results of thermo-electrical modelling of GaAs-based quantum cascade laser are given. In particular, an impact of bonding of this laser on its thermal properties is investigated. An influence of such laser elements as sizes of the diamond heat spreader, solder thickness, a distance between etched channels defining active area and an extent of filling channels with the solder is analysed. Besides a comparative analysis of structures bonded with the diamond heat spreader and those simply soldered has been carried out.
PL
W pracy przedstawiono model termiczny azotkowej diody laserowej oraz analizę transportu ciepła zarówno przez jej warstwy jak i wykorzystane elementy montażowe. Modelowany laser to przyrząd o emisji krawędziowej z falowodem grzbietowym o szerokości 20 µm. Laser zaprojektowany jest do pracy z falą ciągłą 411 nm w temperaturze pokojowej przy niskiej gęstości prądu progowego 4,2 kA/cm2 [1]. Obliczenia przeprowadzono wykorzystując zarówno model dwu- jak i trójwymiarowy bazujący na metodzie elementu skończonego. Modelowany laser został umieszczony w pięciu różnych układach monażowych, które zawierały miedziane radiatory oraz diamentowe przekładki w celu lepszego odprowadzenia ciepła z przyrządu. Analiza porównawcza modelowania dwu- i trójwymiarowego wykazała istotne różnice w wartości maksymalnej temperatury złącza lasera, zależne od jego montażu.
EN
In this paper the thermal model of nitride laser diode and its heat-flux spreading analysis are presented. Thermal analysis involves laser structure as well as used high-thermal-conductivity materials in mounting schemes. Analyzed structure is the edge-emitting 20 µm wide ridge-waveguide laser. The laser diode is designed to operate room-temperature continous-wave at 411 nm under very low 4.2 kA/cm2 threshold current density [1]. The calculations based on finite-element method are used to compare heat-flux spreading mechanism of two- and three-dimensional models and five different laser mounting schemes with copper heat-sinks and diamond heat-spreaders that enhances efficiency of heat-flux extraction from laser volume. Comparative analysis of two- and three-dimensional models shows significant differences of the maximal active-region temperature depending on used heat-sinking laser diode configuration.
PL
Unikalne właściwości azotku galu (GaN) i roztworów stałych na jego bazie stwarzają możliwość produkcji nowej generacji przyrządów półprzewodnikowych. Tranzystory HEMT, w których stosuje się warstwę epitaksjalną wysokorezystywnego azotku galu charakteryzują się dużym współczynnikiem wzmocnienia i możliwością pracy w zakresie bardzo wysokich częstotliwości. Znajdują one coraz szersze zastosowanie we współczesnych systemach elektronicznych. Celem pracy jest przedstawienie problemów materiałowych związanych z wytwarzaniem tranzystorów HEMT z wykorzystaniem heterostruktur AlGaN/GaN oraz zaproponowanie metody charakteryzacji centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN. Omówiono budowę sieci krystalicznej oraz właściwości aplikacyjne azotku galu. Opisano strukturę tranzystora HEMT ze szczególnym uwzględnieniem właściwości elektrycznych i strukturalnych wysokorezystywnej warstwy buforowej GaN. Pokazano znaczenie jakości warstwy epitaksjalnej wysokorezystywnego GaN w tranzystorze HEMT. Przedstawiono wpływ rodzaju podłoża na gęstość dyslokacji w warstwie GaN. Zaproponowano sposób charakteryzacji centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN. Przedstawiono strukturę defektową warstwy epitaksjalnej GaN dla tranzystora HEMT osadzonej na podłożu Al2O3.
EN
Unique properties of gallium nitride (GaN) create the possibility for production of the new generation of semiconductor devices. The AlGaN/GaN HEMT structures with a layer of highresistivity GaN enable high gain at high operational frequencies to be achieved. This layer is used to separate the device active layer, usually doped with silicon, from the nucleation layer with a high defect density. Moreover, the semiinsulating properties of the layer minimize power losses of the microwave signal. An important advantage of the AlGaN/GaN heterostructure is that it makes possible a large charge to be flowed through the channel, which allows for the transistor's work at higher current densities. Simultaneously, the high breakdown voltage makes the AlGaN/GaN HEMTs very suitable for applications in high power circuits. The quality of the high-resistivity GaN epitaxial layer is of great importance in terms of HEMTs operational characteristics. This quality is determined mainly by the density and properties of lattice defects, in particular dislocations, as well as extrinsic and intrinsic point defects. The extrinsic defects are related to atoms of impurities introduced in uncontrollable way. The intrinsic defects, such as vacancies, interstitials and antisites, are formed by shifting the native atoms from their regular positions in the crystal lattice. Epitaxial layers of GaN are usually obtained by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD). An important factor affecting the layer quality is the type of substrate material, which determines the lattice mismatch between the substrate and epitaxial layer. At present, three types of substrates are used: sapphire, SiC, and free-standing GaN. The most effective method for characterizing defect centers in semi-insulating materials is now the Photoinduced Transient Spectroscopy (PITS). It is based on measuring the photocurrent relaxation waveforms observed after switching off the UV pulse generating excess charge carriers. The relaxation waveforms are recorded in a wide range of temperatures (30-700 K) and in order to extract the parameters of defect centers, the temperature changes in the relaxation rate are analyzed. The depth of the region in which the traps are filled with charge carriers is dependent on the absorption coefficient, influencing the distribution of excess charge carriers in the steady state, at the moment of the UV pulse termination. The defect centres taking part in the charge compensation occurring in high resistivity GaN epitaxial layers forming the buffer layers for HEMTs have been found. The obtained results indicate that the compensation is due to native defects, as well as due to compensation with Si, C, O, and H atoms.
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań reprezentatywnych próbek kilku typów łączników mocy z krzemu i węglika krzemu jak dioda PiN, dioda Shottky’ego, IGBT oraz JFET Stosując komorę termiczną z możliwie dokładnym pomiarem temperatury wyznaczono charakterystyki podające zmienność wybranych parametrów w przedziale 25 - 150 oC . Pomiary prowadzono z zastosowaniem krótkich, kilkumikrosekundowych impulsów tak by nie zakłócić warunków termicznych.
EN
In the paper, results of laboratory investigation of representative samples of semiconductor silicon and silicon-carbide power devices, such as PiN diode, Shottky diode, IGBT and JFET, are presented. With use of a thermal chamber the characteristics of temperature sensitive parameters for selected types of devices were determined by measurements in range 25 – 150 grad C using short pulses, which are not able to disturb thermal conditions.
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych procesów zachodzących w układzie testowym złożonym z tranzystora IGBT i diody zwrotnej - diody Schottky’ego z węglika krzemu lub ultraszybkiej diody krzemowej PiN - w szerokim zakresie zmian temperatury złączowych struktur tych przyrządów. Omówiono także oryginalny układ pomiarowy, bazujący na efekcie samopodgrzewania, umożliwiający prowadzenie badań w precyzyjnie określonych warunkach cieplnych testowanych przyrządów.
EN
In the paper investigations of the process appear in the test circuit that has typical structure consist of transistor and anti-parallel diode (Silicon Carbide Schottky Barrier Diode or ultrafast silicon PiN diode) in the wide temperature range are presented. The original measurement setup based on self-heating phenomena allows to tests at precise thermal conditions of the elements.
PL
W publikacji zaprezentowano dwie metody automatycznej detekcji liczby poziomów szumów RTS w sygnałach szumowych generowanych w przyrządach półprzewodnikowych. Pierwsza z nich wykorzystuje źródło danych, którym jest szum przyrządu zapisany w postaci wektora próbek, natomiast druga działa w oparciu o obrazy uzyskane metodą NSP. W odróżnieniu od metody NSP, prezentowane metody pozwalają na automatyczną identyfikację liczby poziomów szumów RTS bez konieczności interpretacji wizualnej wzoru obrazu uzyskanego z graficznej reprezentacji wyników.
EN
This paper presents the new methods of identification of the number of RTS noise levels in noise signals of semi-conductor devices. The first method uses the source of data which is the noise of device under test given as a vec-tor of samples. The second one works on the image given by the NSP method. Presented methods allow for automatic identification without visual interpretation of NSP images (as it is in NSP method).
EN
The paper presents a theory of a metal-semiconductor contact biased by dc voltage with superimposed small ac signal. Theoretical considerations based on general transport equations enabled to derive equations useful for admittance and impurity profiling measurements of materials properties.
PL
Przeanalizowano zakres słuszności dwóch uproszczeń stosowanych w literaturze przy obliczaniu wartości temperatury wnętrza elementów półprzewodnikowych sterowanych sygnałem w.cz. Pierwsze uproszczenie polega na zastąpieniu prostokątnego przebiegu mocy wydzielanej w elemencie pracującym impulsowo jego wartością średnią, natomiast drugie dotyczy stosowania mocy całkowitej zamiast mocy czynnej w modelu termicznym elementu, służącym do wyznaczania wartości temperatury wnętrza tego elementu. Wykorzystując skupiony model termiczny, wyprowadzono zależności analityczne opisujące błędy wynikające z obu uproszczeń oraz przedyskutowano otrzymane wyniki, zilustrowane przykładami.
EN
In the paper the estimation of two simplifications used for calculations of the junction temperature of semiconductor devices excited by the high frequency signal are considered. The first simplification is based on the replacing the rectangular pulse train of the power p (t) dissipated in the semiconductor device by the average value of p (t) utilized in the device thermal model at the steady-state. The second simplification concerns replacing the real power by the total power, which is taken into account in the device thermal model at the steady-state. The analytical dependencies describing the errors resulting from the simplifications are proposed and the calculation results are discussed. The theoretical consideration was illustrated by the numerical examples.
PL
Monokrystaliczny węglik krzemu SiC jest doskonałym materiałem półprzewodnikowym do zastosowań przy budowie urządzeń elektronicznych wysokiej mocy ze względu na szeroką przerwę energetyczną dobrą przewodność cieplną oraz duże pole przebicia. Stosowany jest także na podłoża pod warstwy epitaksjalne GaN (niebieska optoelektronika). Podstawowym problemem w technologii otrzymywania monokryształów SiC są defekty strukturalne, takie jak: mikrokanaliki, dyslokacje, politypizm i makrodefekty. Przyrządy wytworzone z SiC znajdująjuż szerokie zastosowania w energetyce, motoryzacji, optoelektronice, a także w urządzeniach kosmicznych i nuklearnych. Mogą pracować w temperaturze dochodzącej do 600°C, pozwalają uzyskiwać wyższe moce, są odporne na promieniowanie cieplne oraz mogą być stosowane w zakresie mikrofalowym.
EN
Single crystals of silicon carbide SiC are a perfect material for a high power electronic devices due to wide bandgap, good thermal conductivity and high breakdown field. It is applied as a substrate for GaN epitaxy layers (blue optoelectronic). Silicon carbide possesses perfect physical and chemical properties and considerably surpassed conventional materials like silicon even gallium arsenide in these properties. Basic problems in single crystals growth of SiC are structural defects like: micropipes, dislocations, polytypism and macrodefects. Devices produced on base of SiC substrates are applied in power industry, motorization, optoelectronics, also in space and nuclear technology. They can work at temperatures up to 600°C, at higher power. They are resistant to thermal radiation and can be also used in microwaves range.
PL
Przedstawiono historię rozwoju pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych opracowanych przez autora i jego zespół. Dotyczy to głównie diod prostowniczych, diod Zenera, fotodiod oraz różnych przyrządów mikrofalowych (waraktorów, diod lawinowych, diod PIN, diod Gunna, diod Schottky'ego, tranzystorów i podzespołów), wytwarzanych głównie w Pionie Mikrofal Instytutu Technologii Elektronowej.
EN
In the paper, a history of the first semiconductor devices that were designed in Poland by the author and his co-workers, is described. It includes rectifier diodes, Zener diodes, photodiodes and microwave devices (varactors, avalanche diodes, PIN diodes, Gunn diodes, Schottky diodes, transistors and subsystems) - all developed at the Institute of Electron Technology, mainly in the Microwave Division of that Institute.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.