Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Znaleziono wyników: 11
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
1
100%
Journal of Telecommunications and Information Technology
2009 nr 4 25-36
EN This paper reviews the prospects of normally-off (N-off) JFET switch in SiC. The potential of selected vertical JFET concepts and all-JFET cascode solutions for N-off operation is analyzed using simulations. The performance of analyzed concepts is compared in terms of blocking voltage, specific on-s[...]
2
100%
Journal of Telecommunications and Information Technology
2000 nr 3-4 19-30
EN Silicon carbide (SiC) power devices offer significant benefits of improved efficiency, dynamic performance and reliability of electronic and electric systems. The challenges and prospects of SiC power device development are reviewed considering different device types. A close correlation between an [...]
3
51%
Optica Applicata
2011 Vol. 41, nr 2 295--305
EN In this work results are presented of the electrical and photoelectric measurements of MOS capacitors, consisting of an Al gate of thickness 25 nm, SiO2 insulator of thickness 60 nm, and n-doped 3C-SiC. Many different measurement techniques are employed in order to completely define all parameters o[...]
4
51%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL W pracy przedstawiono wyniki pomiarów parametrów elektrycznych struktur metal-SiO₂-SiC uzyskanych na podstawie elektrycznych i fotoelektrycznych technik charakteryzacji. Parametry te, do których należą efektywna kontaktowa różnica potencjałów φMS, wysokość bariery potencjału na granicy metal-dielekt[...]
EN In this work studies of some electrical parameters of the MOS structure based on 3C-SiC are presented. The effective contact potential difference φMS, the barrier height at the gate-dielectric interface E BG and the flat-band in semiconductor voltage V FB were measured using several electric and pho[...]
5
51%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL Wykorzystanie różnych elektrycznych i fotoelektrycznych technik pomiarowych oraz użycie odpowiednich metod obliczeniowych pozwala na uzyskanie informacji na temat wielu parametrów schematu pasmowego badanej struktury MOS. W pracy tej przedstawiono wyniki pomiarów przeprowadzonych na kondensatorach M[...]
EN n this work results are presented of the electrical and photoelectric measurements of MOS capacitors. consisting of different gate materials: Al. Ni and Au of different thicknesses SiO₂ insulator of thickness 60 nm, and n-doped 3C-SiC Many different measurement techniques are employed in order to co[...]
6
51%
Przegląd Elektrotechniczny
PL W celu określenia schematów pasmowych struktur MOS wykonanych na podłożu z węglika krzemu SiC(4H) wykorzystano szereg technik charakteryzacji: elektrycznych, optycznych oraz fotoelektrycznych. Szczególnie przydatne są pomiary fotoelektryczne, które pozwalają na wyznaczenie wysokości barier potencjał[...]
EN In order to determine band diagrams of the MOS structures made on SiC(4H) substrate several measurement techniques were used: electrical, optical and photoelectric methods. Particularly photoelectric methods are useful since they allow determination of barrier heights at the both dielectric interfac[...]
7
51%
Elektronika : prace naukowe
2005 nr 10 63-78
PL Dioda mocy PiN jest kluczowym przyrządem półprzewodnikowym w większości nowoczesnych układów mocy. Jedną z metod pozwalającą na poprawienie własności dynamicznych diody mocy jest zaawansowane modelowanie czasu życia po przez zastosowanie promieniowania elektronami bądź helem. Celem pracy jest opraco[...]
EN Fast recovery silicon power diodes, having radiation induced recombination centres, operating under forward bias at large current densities and high temperatures, have been studied in a detailed way, both experimentally and with the help of device simulation Medici package. Comparing the dynamic I-V[...]
8
51%
Opto - Electronics Review
EN MOS capacitors were fabricated on 3C-SiC n-type substrate (001) with a 10-µm N-type epitaxial layer. An SiO2 layer of the thickness tox ≈ 55 nm was deposited by PECVD. Circular Al, Ni, and Au gate contacts 0.7 mm in diameter were formed by ion beam sputtering and lift-off. Ener[...]
9
39%
Journal of Telecommunications and Information Technology
2007 nr 2 49-56
EN The paper reviews the development of the 3C-SiC MOSFETs in a unique development project combining the material and device expertise of HAST (Hoya Advanced Semiconductor Technologies) and Acreo, respectively. The motivation for the development of the 3C-SiC MOSFETs and the summary of the results from[...]
10
39%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL Przedstawiono wyniki kompleksowej charakteryzacji serii różnych struktur MOS wykonanych na podłożach 3C-SiC. Struktury te różniły się między sobą sposobem wytworzenia warstwy SiO₂ (PECVD oraz utlenianie termiczne w wilgotnym tlenie) oraz materiałem bramki (Al, Au, Ni i poli-Si). Charakteryzację wyko[...]
EN The results of the comprehensive characterization of a MOS structures made on 3C-SiC substrate are presented The investigated structures differed in the way the dielectric layer was formed (PECVD, thermal oxidation) and in the gate material (Al. Ni, Au and poly-Si) Many different measurement techniq[...]
11
39%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL W artykule omówiono wyniki badań próbek kondensatorów MOS wykonanych na 3C-SIC z dwoma wariantami SiO₂, oraz z bramkami metalicznymi (Al, Au i Ni) i polikrzemowymi. Badano wpływ układu bramka-tlenek na charakterystyki C-V i rozkłady pułapek powierzchniowych. Stwierdzono znaczny rozrzut V(sub)FB międ[...]
EN The examination results of two 3C-SiC MOS capacitor samples with two SiO₂ variants and metallic (Al, Au and Ni) and poly-Silicon gate electrodes have been reported in the paper. The influence of the gate-oxide combination on C-V characteristics and on energy distributions of the interface traps was [...]
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last