Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Znaleziono wyników: 7
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
1
100%
Nukleonika
PL Płytki GaAs z domieszkowanymi krzemem warstwami epitaksjalnymi bombardowano dwukrotnie jonami tlenu o energii 250 keV i 100 keV i o dawce od 10[indeks górny]12 cm-2 do 5x10[indeks górny]13 cm-2, a następnie wygrzewano w temperaturze 500°C. Dla oceny mechanizmu przewodnictwa w materiale powyższych st[...]
EN GaAs wafers with the Si doped epitaxial layers were bombarded by double energy of oxygen ions with 250 keV and 100 keV of 10[indeks górny]12 cm-2÷5x10[indeks górny]13 cm-2 doses followed by 500°C annealing process. Temperature dependence of the layer resistivity was evaluated in the temperature rang[...]
2
100%
Materiały Elektroniczne
PL Zbadano właściwości elektryczne izolacji implantowanej w GaAs, takie jak transport nośników ładunku elektrycznego, stabilność termiczną i wytrzymałość na przebicie elektryczne. Wyjaśniono mechanizm przebicia elektrycznego oraz wpływ podłoża i warstwy buforowej na właściwości materiału. Stabilność te[...]
EN The electrical properties of implant isolation in GaAs such as electrical carrier transport, thermal stability and electrical breakdown strength are determined. The mechanism of electrical breakdown and influence of a substrate and a buffer layer on material properties are explained. The thermal [...]
3
100%
Materiały Elektroniczne
PL W artykule przedstawiono stałoprądowe charakterystyki handlowo dostępnych, prostowniczych diod Schottky 'ego wykonanych z węglika krzemu (SiC) oraz omówiono mechanizmy przepływu prądu zgodnie z obecnym stanem wiedzy w tej dziedzinie. Dla porównania przedstawiono dostępne w literaturze charakterystyk[...]
EN The direct current characteristics of real packaged SiC Schottky barrier rectifiers in the light of up to date knowledge on the reveal subject are presented in this paper. The theory on SiC Schottky barrier rectifier from literature is collected in the text. For comparison the characteristics of SiC[...]
4
100%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL Przedstawiono stan bieżący technologii implementacji w związkach półprzewodnikowych III-IV, obejmując zastosowanie implementacji zarówno do domieszkowania jak i do izolowania. W ostatniej dekadzie został dokonany znaczący postęp w dziedzinie technologii GaN, jednak w porównaniu z takimi półprzewodni[...]
EN The current status of ion implantation in III-IV compound semiconductor technology has been reviewed, including the use of implementation for both doping and isolation. Significant progress has been achieved for the past decade in the GaN technology, however compared to mature semiconductors like Ga[...]
5
100%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
6
100%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL We wstępie tego przeglądowego artykułu zostały opisane najważniejsze parametry elektryczne materiału SiC i obszary zastosowań przyrządów z SiC. Następnie, pokazano miejsca warstw wysokorezystancyjnych w technologii przyrządów z SiC. Na koniec, przedstawiono technologiczne aspekty formowania warstw w[...]
EN In the introduction of this review article the most important SiC material electrical parameters and the areas of SiC devices application were described. Next, the places of highresistance layers in SiC devices technology were showed. In the end, technological aspect of highresistance layers forming[...]
7
51%
Materials Science Poland
EN The electrical properties of deep-level defects in real packaged SiC Schottky barrier rectifiers were studied by deep level transient spectroscopy (DLTS). One deep-level trap with an activation energy in the 0.29-0.30 eV range was revealed to be present in all the tested samples. The electrical char[...]
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last