Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Znaleziono wyników: 22
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
1
100%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL Lasery kaskadowe są przyrządami unipolarnymi, w których mechanizm emisji promieniowania koherentnego wykorzystuje wewnątrzpasmowe optyczne przejścia nośników. Istota ich działania pozwala na zastosowanie różnych rodzajów epitaksjalnych materiałów półprzewodnikowych, w celu otrzymania długości fali w[...]
EN Ouantum cascade lasers are unipolar devices, in which the mechanism of emission of coherent radiation is based on the intraband optical transitions of carriers. The idea of QCL enables the application of a wide range of epitaxial semiconductor materials in order to extract the needed wavelength, whi[...]
2
100%
Optica Applicata
EN A technology of high power, continuous-wave (CW) semiconductor lasers has been elaborated. AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures, grown by molecular beam epitaxy (MBE), were used to fabricate laser diodes. The active region of laser diode was formed as strained, 8 nm thick, quantum well (QW) InGaAs la[...]
3
100%
Opto - Electronics Review
2017 Vol. 25, No. 3 205--208
EN In this paper ∼16 μm-emitting multimode InP-related quantum cascade lasers are presented with the maximum operating temperature 373 K, peak and average optical power equal to 720 mW and 4.8 mW at 303 K, respectively, and the characteristic temperature (T0) 272 K. Two types of the lasers were fabrica[...]
4
100%
Optica Applicata
EN A technique of time-resolved laser spectra mapping has been developed to assess thermo-optical properties of diode lasers. Using this technique the emission spectra of broad contact pulse operated diode lasers were measured for consecutive time points within the pulse duration width. The emitted wav[...]
5
88%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL Kwantowe lasery kaskadowe QCLs (Quantum Cascade Lasers) są obecnie bardzo szybko rozwijającą się grupą laserów półprzewodnikowych emitujących w zakresie średniej podczerwieni (3,5...24 μm), jak i w zakresie terahercowym (1,2...4,9 Thz). Warunkiem koniecznym do zwiększenia wydajności i niezawodności [...]
EN The QCLs are the most advanced class of semiconductor sources operating in the midinfrared wavelengths (3.5 - 24 μm) and also in the terahertz range (1.2 - 4.9 Thz). Complex characterization of devices, thermal, as well as electrooptical, is essential for improving their performance and reliability [...]
6
88%
Optica Applicata
EN A class of macroscopic, so-called oval defects, which may be found in an epitaxial A3B5 materials grown by molecular beam epitaxy (MBE) technique, is studied in this paper. The investigations' were performed on the structures containing (Al)GaAs or InGaAs layers. The geometry, morphology as well as [...]
7
88%
Electron Technology : Internet Journal
EN The paper is devoted to a group of macroscopic defects which may be found in epitaxial A3 B5 materials grown by MBE technique. Morphology, geometry and optical properties of defects were studied by means of several experimental methods. The experimental data have been compared [...]
8
88%
Electron Technology : Internet Journal
EN Optical properties of compressively strained In₀.₂₄Al₀.₁₉Ga₀.₅₇As layers were investigated as a function of the MBE growth conditions. The optimum temperature of the crystal surface (Ts) for MBE growth of this quaternary layer as well as the optimal cooling down process necessary for achi[...]
9
76%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL Prezentujemy systematyczny rozwój naszych prac nad technologią laserów kaskadowych AlGaAs/GaAs. W wyniku zastosowania właściwych rozwiązań konstrukcyjnych oraz udoskonalenia procesów wytwarzania przyrządów, otrzymaliśmy lasery działające w temperaturze pokojowej, które ostatnio zdały test w ramach p[...]
EN We present a systematic development of our works on technology of Al­GaAs/GaAs quantum-cascade lasers. As a result of appropriate constructional solutions as well as improvement of device fabrication processes we have obtained the room-temperature operating lasers. These devices have recently passed[...]
10
76%
Optica Applicata
EN We present the results of reflectance investigations into SiO2/Si3N4 dielectric distributed Bragg reflectors (DBR). The dielectric multilayers forming reflectors have been deposited by plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) on silicon substrates. Such structures can be utilised in vertic[...]
11
76%
Opto - Electronics Review
EN In order to adjust the highly controllable and optimum growth conditions, the multi-step interrupted-growth MBE processes were performed to deposit a series of GaAs/Al₀.₄₅Ga₀.₅₅As QCL structures. The additional calibrations of MBE system were carried out during the designed growth interruptions. Thi[...]
12
76%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL W pracy omawiamy podstawowe pomiary charakteryzacyjne kwantowych laserów kaskadowych. Przedstawiamy wpływ parametrów zasilania elektrycznego na działanie laserów kaskadowych i omawiamy drogę do ich optymalizacji.
EN The paper presents basic measurements characterizing the quantum cascade lasers. The impact of pumping current parameters on the quantum cascade lasers operations. The way to optimization of current supply are discussed.
13
76%
Przegląd Elektrotechniczny
2017 R. 93, nr 8 85--88
PL Praca prezentuje najnowsze modyfikacje konstrukcji laserów emitujących powierzchniowo z pionową wnęką rezonansową. Modyfikacje te mają na celu dalszą miniaturyzację tego typu przyrządów, a także poprawę ich sprawności i niezawodności. Kluczową kwestią w tych dążeniach jest wyeliminowanie ze struktur[...]
EN In this paper we present selected modifications of vertical-cavity surface-emitting lasers, aimed at their further miniaturization, as well as at improvement of their efficiency and reliability. The key issue is to eliminate semiconductor Bragg mirrors from the laser structure. These multi-layer com[...]
14
76%
Materials Science Poland
2005 Vol. 23, No. 1 221--226
EN The chemical composition of newly developed anisotropic etching solution and several experimental results obtained with heterostructure barrier varactor (HBV) deep mesa formation are presented. The novel solution enables the deep etching of the InGaAs/InAlAs/AlAs heterostructure over InP substrate, [...]
15
64%
Optica Applicata
EN This paper reports on the results of optimization of the ohmic contacts for GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers (QCLs). Technological parameters during the optimization procedure concerned time and temperature of thermal processing as also the ratio of metallic layers thickness. The main goal of this[...]
16
64%
Optica Applicata
EN This paper reports on the results of optimization of ohmic contacts for GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers (QCLs). Technological parameters during optimization concerned surface preparation, evaporation method, and thermal treatment. The aim of this research was to obtain low resistance and time sta[...]
17
64%
Optica Applicata
EN The effects of HCl-based chemical and Ar+ sputter etching treatment on (100) GaAs surface properties with the aim to develop the procedure of surface preparation before metal deposition have been investigated. Variable angle spectroscopic ellipsometry, X-ray photoelectron spectroscopy, atomic force [...]
18
64%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL Lasery kaskadowe są przyrządami unipolarnymi, w których mechanizm emisji promieniowania koherentnego opiera się na wewnątrzpasmowych optycznych przejściach nośników. Istota ich działania pozwala na zastosowanie szerokiej gamy półprzewodnikowych materiałów epitaksjalnych, w celu otrzymania długości f[...]
EN Quantum cascade lasers are unipolardevices, in which the machanism of emission of coherent radiation is based on the intraband optical transitions of carriers, The idea of QCL enables the application of a wide range of epitaxial semiconductor materials in order to extract the needed wavelength, whic[...]
19
64%
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
EN The fabrication of Quantum Cascade Lasers (QCLs) emitting at 9.4 um is reported. The devices operated in pulsed mode at up to 260 K. The peak powers recorded in 77 K were over 1 W, and the slope efficiency 0.5–0.6 W/A per uncoated facet. This has been achieved by the use of GaAs/Al0.45Ga0.55As het[...]
20
64%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL W artykule przedstawione są wynik prac nad montażem struktur GaAs/ AlGaAs laserów kaskadowych (QCL) emitujących w średniej podczerwieni. Ze względu na wysokie napięcie i prąd potrzebny do uzyskania akcji laserowej odprowadzanie ciepła odgrywa bardzo istotną rolę w tego typu przyrządach. Jednym z waż[...]
EN The assembling technology of GaAs/AIGaAs Quantum Cascade Lasers (QCLs) is investigated in this paper. The heat management plays crucial role due to high operating current and voltage of such devices. One of the most important steps during processing of QCLs is the device bonding technology. The resu[...]
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last