Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Znaleziono wyników: 5
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
1
100%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL Przedstawiono dwa sposoby modelowania wpływu pułapkowania ładunku na prąd tunelowy. Aktywna elektrycznie pułapka wewnątrz stosu bramkowego jest reprezentowana przez studnię kwantową. Prawdopodobieństwo tunelowania obliczane jest z wykorzystaniem metody macierzy przejścia, uwzględniając rozpraszanie [...]
EN Two approaches towards charge trap modeling are presented in the work a charge trap is modeled as a quantum well. The transfer matrix method with inclusion of carrier scattering in the well is used for the tunneling probability calculation. The influence of scattering rate in the well and spatial lo[...]
2
100%
ECONTECHMOD : An International Quarterly Journal on Economics of Technology and Modelling Processes
2016 Vol. 5, No 3 197--204
EN The article proposes methods of calculation of carrying capacity of strengthened reinforced elements on action of bending moments. Basing on the experimental research, we have carried out analysis of calculated data with the investigated results.
3
80%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL W pracy przedstawiamy model struktury tunelowej MOS z podwójną barierą potencjału (DB) i wyniki symulacji jej charakterystyk prądowo- napięciowych. Przedstawiamy dyskusję wpływu rozpraszania nośników w obszarze studni potencjału na mechanizm tunelowego transportu przez strukturę.
EN In the paper, a theoretical model of the double barrier (DB) MOS tunnel structure and results of simulations of its current-voltage characteristics are presented. An impact of scattering in the well region on the tunneling transport mechanism through the structure is discussed.
4
80%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL W artykule przedstawiono alternatywne dla SiO2 materiały dielektryka bramkowego tranzystora MOS. Omówiono kryteria selekcji materiałów o dużej stałej dielektrycznej (high-K). Zaproponowano tunelową grubość tlenku TOT materiału o dużej stałej dielektrycznej jako miarę redukcji prądu tunelowego dla ok[...]
EN Insulator materials, which are alternative for silicon dioxide as a gate insulator in a MOS transistor, are presented. Selection criteria for high-K dielectrics are discussed. Results of simulation of the electron tunnel current for gate stacks of different high-K dielectric constants and with a SiO[...]
5
80%
Budownictwo o zoptymalizowanym potencjale energetycznym
2010 nr (7) 211--216
EN The article describes factors influencing the joined operation of repair surface and shotcrete layer on the basis of analytical view of literature and practical use. The authors investigate influence of the process of concrete surface preparation on the operation of multilayer constructions while us[...]
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last