Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Znaleziono wyników: 5
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  semi-insulating materials
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
1
100%
Przegląd Elektrotechniczny
2010 R. 86, nr 12 249-252
PL Przedstawiono inteligentny system pomiarowy do charakteryzacji centrów defektowych w półprzewodnikowych materiałach półizolujących metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. Parametry centrów defektowych wyznaczono na podstawie dwuwymiarowej analizy niestacjonarnych przebiegów fotoprądu opar[...]
EN An intelligent measurement system for the characterisation of defect centres in semi-insulating materials is presented. The basic advantage of the system relies on the application of two dimensional analysis of the photocurrent decays and computational intelligence to extract the parameters of defec[...]
2
84%
Metrology and Measurement Systems
PL Przedstawiono inteligentny system pomiarowy dedykowany do charakteryzacji centrów defektowych w materiałach półizolujących. Działanie systemu polega na rejestracji relaksacyjnych przebiegów fotoprądu w szerokim zakresie temperatur oraz realizacji dwuwymiarowej analizy temperaturowych zmian stałych c[...]
EN An intelligent measurement system for the characterisation of defect centres in semi-insulating materials is presented. The system utilises two-dimensional analysis of the photocurrent transients digitally recorded in a broad range of temperatures. The spectral analysis is carried out by two indepen[...]
3
84%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL Inteligentne algorytmy obliczeniowe, maszynę wektorów nośnych oraz maszynę wektorów istotnych, zaimplementowano w systemie pomiarowym do badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych metodą niestacjonarnej spektroskopii foto-prądowej. Skuteczność działania tych algorytmów sprawdz[...]
EN Intelligent computational algorithms support vector machine (SVM) and relevance vector machine (RVM) has been implemented in the experimental system dedicated to studies of defect centres in high resistivity semiconductors by photoinduced transient spectroscopy (PITS). Functional effectiveness of th[...]
4
67%
Przegląd Elektrotechniczny
2011 R. 87, nr 10 230-235
PL Celem pracy jest określenie wpływu błędu adekwatności modelu metody korelacyjnej na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej (PITS). Stwierdzono, że nieadekwatność modelu metody korelacyjnej powoduje przesunięcie wykresu Arrheniusa w kie[...]
EN The effect of model adequacy error of the correlation method for studies of defect centres by photoinduced transient spectroscopy (PITS), on the values of activation energy and capture cross-section obtained from the Arrhenius plot is discussed. It is shown that due to model inadequacy, there is a s[...]
5
67%
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
PL W artykule przedstawiono zintegrowany system pomiarowy, umożliwiający diagnostykę materiałów i przyrządów półprzewodnikowych przez analizę struktury głębokich centrów defektowych. System pomiarowy pozwala na wykonywanie badań w zakresie temperatury 10 K - 500 K. Rozbudowany moduł wymuszeń optycznych[...]
EN In this paper measurement system for electric and photoelectric characterization of semiconductor materials and heterostructures is presented. The unique feature of the presented system is comprehensive approach to characterization of material's electrical properties. System utilizes the powerful te[...]
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last