Ograniczanie wyników
Czasopisma help
Lata help
Autorzy help
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Znaleziono wyników: 27
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  photodetector
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
1
100%
Opto - Electronics Review
EN This paper mainly presents a theoretical analysis for the characteristics of quantum dot infrared photodetectors (QDIPs) and quantum wire infrared photodetectors (QRIPs). The paper introduces a unique mathematical model of solving Poisson's equations with the usage of Lambert W functions for infrare[...]
2
100%
Optica Applicata
EN Functionally graded materials (FGM) find widespread for mechanical applications. Nowadays, they become more and more attractive in fabrication of electronic and optoelectronic devices. This is due to by their unique properties. FGM are potential candidates for high sensitive photonic devices which c[...]
3
100%
Materiały Elektroniczne
PL Artykuł zawiera opis stosowanych obecnie konstrukcji i technologii fotodetektorów z GaN i AlGaN przeznaczonych do detekcji promieniowania ultrafioletowego oraz analizę wpływu parametrów fizycznych warstw epitaksjalnych GaN i AlGaN na właściwości tych fotodetektorów. Analiza dotyczy fotorezystorów, f[...]
EN The design and technology of ultraviolet photodetectors made of GaN and AlGaN have been reviewed. The influence of physical parameters of GaN and AlGaN epitaxial layers on properties of these photodetectors has been analyzed. Presented analysis concerns photoconductors, Schottky barrier photodetect[...]
4
100%
Zeszyty Naukowe Politechniki Białostockiej. Matematyka, Fizyka, Chemia
1999 Z. 19 113-119
PL W pracy omówiono podstawowe parametry optyczne krzemowych fotoogniw pomiarowych. Przedstawiono także metody badania jakości przetworników oraz wyniki pomiarów dla przykładowo wybranego fotoogniwa BPYP 07.
EN In the paper of the basic parameters of measuring photovoltaic cell BPYP 07 discused. The method of testing the quality of the cell and the results of measurement made on the silicon cell are given.
5
100%
Materials Science Poland
EN Results of modelling and fabrication of photodetectors with composition graded active layers have been presented. Simulated and measured spectral characteristics of the proposed detectors have been shown. Advantages of such structures have been discussed with respect to conventional detectors with n[...]
6
100%
Metrology and Measurement Systems
2017 Vol. 24, nr 3 509--514
EN In this work we report simulation and experimental results for an MWIR HgCdTe photodetector designed by computer simulation and fabricated in a joint laboratory run by VIGO Sytems S.A. and Military University of Technology. The device is based on a modified N+pP+ heterostructur[...]
7
100%
Computer Applications in Electrical Engineering
2014 Vol. 12 541--550
EN This article describes the stage of work associated with the implementation of a program- controlled measuring stand for recording the acoustic signals. An attempt has been made for practical implementation of the stand that uses light from a semiconductor laser, modulated by acoustic wave to obtain[...]
8
100%
Opto - Electronics Review
EN A family of silicon avalanche photodiodes with an n⁺-p -π-p⁺ epiplanar structure was developed at the Institute of Electron Technology (ITE). The diameters of photosensitive area range from 0.3 mm to 5 mm. These photodiodes are optimised for detection of 800–850 nm radiation and in that range achiev[...]
9
88%
Opto - Electronics Review
EN The paper reports on the design and fabrication of LPE-grown GaSb/n-InxGa₁-xAsySb₁-y/p-AlxGa₁-xAsySb₁-y heterojuction photodetectors operating in the 2-2.4 mm wavelength region. Experiments on LPE growth of high-x-content quaternaries as well as optimisation of device processing has been carried out[...]
10
88%
Optica Applicata
EN The rigorous numerical analysis of the surface photovoltage (SPV) versus excitation UV-light intensity (Φ), from 104 to 1020 photon/(cm2s) in a metal/insulator/n-GaN structure with a negative gate voltage (VG = –2 V) was performed using a finite element method. In the simulations we assumed a contin[...]
11
75%
Zeszyty Naukowe Politechniki Białostockiej. Matematyka, Fizyka, Chemia
1999 Z. 19 105-111
PL W pracy omówiono sposoby korekcji kątowej głowicy fotometrycznej luksomierza. Poddano także analizie obecnie obowiązujące zalecenia dotyczące jakości tej korekcji. Analiza ta pozwala wyciągnąć wniosek, że przepisy normalizacyjne z tego zakresu, zarówno krajowe, jak i zagraniczne wymagają aktualizacj[...]
EN In the paper of the errors of angular correction of a luxmeter photometric hea is discused
12
75%
Przegląd Elektrotechniczny
PL Przy wyborze detektorów UV do konkretnej aplikacji należy uwzględnić, że ich parametry optyczne i elektryczne mogą się zmieniać w znacznym stopniu podczas eksploatacji, w wyniku zachodzenia w ich strukturze różnorodnych procesów degradacyjnych. Najczęstszymi źródłami tych procesów są długoczasowe po[...]
EN In the selection of the UV detector to a particular application should be considered that the optical and electrical parameters may vary considerably during operation due to the overlap in the composition of a variety of degradative processes. The most common sources of these processes are long-term[...]
13
75%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL Fotodetektory z mikrownęką rezonansową są szczególnie przydatne w zastosowaniach, gdzie wymagana jest duża prędkość działania, jak np. we współczesnych systemach telekomunikacyjnych. W detektorach tych duża szybkość działania przy jednocześnie dużej sprawności kwantowej osiągnięta jest dzięki umiesz[...]
EN Resonat cavity enhanced photo-detectors are promising candidates for application in high-speed optical communication and interconnections. In these photo-detectors both high bandwidth and high quantum efficiency can be achieved simultaneously due to standing wave formation in the resonant optical c[...]
14
75%
Opto - Electronics Review
2018 Vol. 26, No. 3 201--209
EN In this study, the temperature influence on the spectral responsivity of a Light Emitting Diode (LED) used as a photoreceptor, combined to light source spectrum is correlated to electrical characteristics in order to propose an alternative method to estimate LED junction temperature, regardless of t[...]
15
75%
Opto - Electronics Review
EN This paper discusses key issues related to the quantum dot infrared photodetector (QDIP). These are the normal incidence response, the dark current, and the responsivity and detectivity. We attempt to address the following questions of what is QDIP' s potential, what is lacking, and what is needed t[...]
16
75%
Bio-Algorithms and Med-Systems
EN The acquisition of positron emission tomography (PET) pulses introduces artifacts and limits the performance of the scanner. To minimize these inadequacies, this work focuses on the design of an offset compensated digital baseline restorer (BLR) along with a two-stage hybrid interpolator. They respe[...]
17
75%
Opto - Electronics Review
2019 Vol. 27, No. 2 219--223
EN We review recently proposed concepts of infrared and terahertz photodetectors based on graphene van der Waals heterostructures and HgTe-CdHgTe quantum well heterostructures and demonstrate their potential.
18
63%
Materiały Elektroniczne
PL Celem pracy było opanowanie metody szybkiej charakteryzacji fotodiod z tellurku kadmowo-rtęciowego - HgCdTe - otrzymywanych metodą MOCYD (Metal Organie Chemical Vapor Depositiori) tzn. techniką osadzania warstw na powierzchni materiałów poprzez stosowanie związków metaloorganicznych w formie gazowej[...]
EN The aim of this study was to master a method for a quick characterization of mercury cadmium telluride (HgCdTe) photodiodes obtained by MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method, which was achieved. First, the obtained epitaxial layers were subjected to the technological process procedu[...]
19
63%
Pomiary Automatyka Kontrola
2010 R. 56, nr 2 177-179
PL Artykuł prezentuje zagadnienia związane z możliwością transmisji sygnału opartego o magistralę I2C poprzez optyczny system światłowodowy. Przedstawiono aplikacje umożliwiające konwersję sygnału magistrali na sygnał optyczny z wykorzystaniem konwertera P82B96. Transmisję światłowodową realizować możn[...]
EN The paper presents the problem connected with possibility of signal transmission over I2C bus through optical system. I2C is a synchronic bus through which data are sent in 8-bit frames (Fig. 3) [4]. It consists practically of two signal lines: The SDA ( data line - Serial Data Line), the SCL ( clo[...]
20
63%
Przegląd Elektrotechniczny
PL Krzemowe fotodetektory cieszą sie dużym zainteresowaniem e względu na możliwość rejestracji światła w temperaturze pokojowej na poziomie pojedynczych fotonów. W artykule przestawiono układ scalony elektroniki odczytowej do krzemowych fotopowielaczy zrealizowany w technologii CMO (AMS 0,35 .m) oraz w[...]
EN Silicon Photomultiplier (SiPM) detectors are of great interest mostly because they can operate with light levels of few photons at room temperature and have fast response with typical rise time of 2-5ns. The paper presents an integrated circuit of front-end electronics designed in CMOS technology, d[...]
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last