Ograniczanie wyników
Czasopisma help
Lata help
Autorzy help
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Znaleziono wyników: 49
first rewind previous Strona / 3 next fast forward last
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  półprzewodniki
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
1
100%
Napędy i Sterowanie
PL Gdy trzeba dokonać wyboru między stycznikami półprzewodnikowymi a tym bardziej tradycyjnymi, elektromechanicznymi, należy uwzględnić wszystkie koszty eksploatacji, włącznie z czasami przestoju maszyn z powodu awarii i napraw.
2
100%
Mikroelektronika i Informatyka : prace naukowe
2004 Z. nr 4 35-40
3
100%
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
1999 nr 13 111-119
PL Niniejsze opracowanie jest uzupełnieniem referatu przedstawionego w ramach seminariów zorganizowanych przez PTETiS w Gdańsku w 1998 roku. Zamieszczono w nim opis nowych funkcji programu do badania podstawowych charakterystyk statycznych wybranych elementów półprzewodnikowych z wykorzystaniem karty p[...]
EN In the paper is presented software which enable to check the electrical static characteristics of followng elements: diodes, Zeer diodes, unipolar and bipolar transistors, TTL and CMOS NAND gates. Tested elements are connected to computer by means of serial interface and data acquisition board.
4
100%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL Ciągły trend w kierunku miniaturyzacji sprzętu elektronicznego zapoczątkowany wprowadzeniem technologii powierzchniowego montażu oraz rosnącą liczbą wejść/wyjść osiągnęły punkt, w którym nowe rozwiązanie jakim jest bezpośredni montaż struktury półprzewodnikowej na płytce stało się niezbędne. Rozwój [...]
EN Systematic miniaturisation of electronic assemblies after introduction of SMT and growing number of the chip outputs achieved the level in which new solutions as direct chip mounting on PC boards are necessary. The development of low cost bumping methods, progress in interconnection technology by re[...]
5
88%
Nukleonika
PL Własności defektów strukturalnych są zazwyczaj badane na drodze analizy ich termicznie aktywowanych przemian. W artykule przedstawiono wyniki pomiarów własności defektów prostych w monokryształach GaAs i warstwach epitaksjalnych AlGaAs bombardowanych jonami azotu w temperaturze 77K i wygrzewanych w [...]
EN Defect properties are usually studied by the analysis of their thermally activated transformations. In this paper the results of the first RBS/channeling study of the simple defect behavior in the GaAs single crystals and AlxGa1-xAs epitaxial layers irradiated at 77K and anneal[...]
6
88%
TTS Technika Transportu Szynowego
PL Ultraszybkie wyłączniki hybrydowe prądu stałego typu DCH przeznaczone są głównie do taboru trakcji miejskiej. Działają one na zasadzie komutacji wymuszonej, przy wykorzystaniu współpracy hybrydowego układu zestykowo-półprzewodnikowego w celu ograniczenia lub całkowitej eliminacji łuku łączeniowego. [...]
EN A new ultra high-speed D. C. hybrid circuit breaker of DCH type which is now being prepared for production has been described in this article. The circuit breaker is intended for the urban traction of 800 V voltage, especially for tramways and trolley-buses, and also for mine traction of 250 V volta[...]
7
75%
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
2008 nr 59 26-38
PL W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów rezystancji termicznej oraz przejściowej impedancji termicznej tranzystorów MESFET mocy wykonanych z różnych materiałów półprzewodnikowych. Pomiary przeprowadzono z wykorzystaniem opracowanego w Katedrze Elektroniki Morskiej Akademii Morskiej w Gdyni komputerow[...]
EN In the paper results of measurements of the thermal parameters of the gallium arsenide and silicon carbide power MESFETs operating at different cooling conditions, are presented. Measurements were performed by computer-aided measurement system, based on literature pulsed-electrical method. The influ[...]
8
75%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL W artykule dokonano zwięzłego przeglądu najważniejszych koncepcji dotyczących nowej grupy nanostrukturalnych materiałów termoelektrycznych. Dzięki kwantowym efektom rozmiarowym możliwe jest zwiększenie ponad dwukrotnie efektywności konwersji energii w stosunku do dotąd stosowanych klasycznych materi[...]
EN A brief overview of key concepts of a new group of nanostructured thermoelectric materials is given. Owing to quantum size effects it is possible to increase the efficiency of energy conversion, in relation to previously used c1assical bulk materials, more than twice. New nanostructured materials ma[...]
9
75%
Materiały Ceramiczne
PL Celem pracy było otrzymanie monokryształów związków AgSbSe2, Ag0,9Sb1,1Se2 oraz BiSbTe3 metodą Bridgmana. Materiały otrzymywano dwoma wariantami metody różniącymi się wytwarzanym gradientem temperatur w obszarze frontu krystalizacji. Obserwacje mikrostrukturalne oraz składu chemicznego przeprowadzon[...]
EN The aim of this work was to prepare single crystals of AgSbSe2, Ag0,9Sb1,1Se2 and BiSbTe3 by the Bridgman method. Materials were prepared by means of two variants of this method, differing in temperature gradients in the area of the crystallization front. Microstructural and chemical analysis were d[...]
10
75%
Materiały Ceramiczne
PL Przedmiotem pracy były badania wpływu domieszki Ag na wartość współczynnika efektywności termoelektrycznej, ZT, trójantymonku kobaltu CoSb3. W tym celu przygotowano serię próbek o składach nominalnych AgxCo8Sb24, gdzie x = 0-0,5. Badania strukturalne oraz składu fazowego wykonano za pomocą dyfrakcji[...]
EN The aim of this work was to examine the influence of Ag additive on thermoelectric figure of merit, ZT, of cobalt triantimonide CoSb3. A series of samples with nominal composition of AgxCo8Sb24, (x = 0-0,5) was prepared. Structural properties and phase composition was analyzed by XRD diffraction met[...]
11
75%
Mikroelektronika i Informatyka : prace naukowe
2006 Z. nr 6 17-19
PL W artykule zaprezentowano wyniki symulcji kilku wybranych struktur półprzewodnikowych wykonanych przy użyciu połączonych symulatorów termicznego TULSOFT i elektrycznego MOPS. Praca stanowi krótkie streszczenie jednego z rozdziałów rozprawy doktorskiej autora.
12
75%
Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering
EN Purpose: The wide-gap semiconductor materials are very important for application in the fields of optical device technology. ZnS is wide-gap semiconductor that is attractive material due to the polymorphic structural transformation and it is suitable semiconductor for applications in infrared optics[...]
13
75%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL Przedstawiono schemat struktury oraz model metalowych elektrod dla tranzystora jednoelektronowego ze sterowaną barierą. W celu numerycznego wyznaczenia rozkładu potencjału w takim modelu dokonano w pierwszej kolejności jego dyskretyzacji a następnie rozwiązano dla niego równanie Laplace'a stosując m[...]
EN The structure and model of the metallic electrodes for the controlled-barrier one-electron transistor have been presented. To evaluate the potential distribution in such a model it has been first discretized and next the Laplace's equation formulated for it has next been numerically solved using edg[...]
14
75%
Nukleonika
PL Zmiany strukturalne w półprzewodnikach spowodowane obróbką w plazmie wodorowej są przedmiotem dużego zainteresowania z powodu efektu pasywacji poziomów defektowych w przerwie energetycznej. Ponadto oddziaływania między defektami już istniejącymi w krzemie i defektami wywołanymi wodorem są ważne dla [...]
EN Structural changes in semiconductors caused by hydrogen plasma treatment are the subject of great interest due to passivation of defect levels in the band gap. On the other hand, the reactions between extended and hydrogen-induced defects in silicon are of significant interest for the development of[...]
15
75%
Nukleonika
PL W pracy opisany jest proces formowania podkładowych warstw izolacyjnych w krzemie na skutek substechiometrycznej implantacji jonów azotu oraz izolacji struktur w półprzewodnikach III-V. Izolację struktur półprzewodnikowych można wytworzyć w rezultacie modyfikacji własności krystalicznych ich otoczen[...]
EN The processes of buried insulating layers formation in silicon with substoichiometric implantation of nitrogen ions and device insulation in III-V semiconductors are described in this paper. The device insulation in III-V semiconductors can be achieved as the result of modification of crystal proper[...]
16
75%
Nukleonika
PL W pracy zaprezentowano wyniki badań heterozłącz nanokrystalicznych warstw AIN typu p z Si typu n. Warstwy wytwarzane były w temperaturze 300 K plazmą impulsową towarzyszącą MOCVD. Heterostruktury wykazywały efekt fotowoltaniczny o powiększonej spektralnej wydajności kwantowej oraz dobre własności pr[...]
EN The paper presents the results on investigations of heterojunction of nanocrystalline AlN layers of p-type with n-type Si. The layers were produced with the impulse plasma assisted MO CVD at 300 K. The heterostructures exhibited the photovoltaic effect with the enlarged spectral quantum efficiency a[...]
17
75%
Wiadomości Elektrotechniczne
PL Krzem już ponad 40 lat jest podstawowym materiałem półprzewodnikowym przeznaczonym do produkcji przyrządów energoelektronicznych. Jednak stale wzrastające zapotrzebowanie na przyrządy półprzewodnikowe zdolne do jednoczesnego działania przy wysokim napięciu i w wysokiej temperaturze powoduje, że ciąg[...]
EN Properties of silicon carbide. Details of semiconductor devices based on SiC, their housings and thermal resistance.
18
75%
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
PL Autorzy szczegółowo omówili zjawisko ujemnego powinowactwa elektronowego w półprzewodnikach grupy AIII BV w aspekcie jego wykorzystania do konstrukcji czułych detektorów podczerwieni. Pokazano, dlaczego arsenek galu jest najbardziej odpowiednim materiałem z tej grupy związków p[...]
EN The authors discuss in detail the phenomena of negative electron affinity for semiconductors AIII BV in aspect of construction of sensitive detectors for infrared radiation. We show that GaAs is the most suitable material of this group of semiconductors for application of negat[...]
19
75%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL Przedstawiono wybrane wyniki prac dotyczące dwóch metod otrzymywania nanostrukturalnych materiałów termoelektrycznych z grupy skutterudytów oraz warstw tellurku antymonu. Nanoproszki CoSb₃ otrzymywane były metodą rozkładu termicznego aerozoli a następnie redukcji w atmosferze wodoru. Warstwy tellurk[...]
EN The paper presents selected results of two methods of preparation of nanostructured thermoelectric materials from group of skutterudites and antimony telluride layers. Nanopowders ot CoSb₃ were obtained using thermal decomposition and reduction of aerosol s in the atmosphere of hydrogen. Antimony te[...]
20
75%
Przegląd Elektrotechniczny
PL Postępy w ostatnich dwudziestu pięciu latach w epitaksji i technologii wytwarzania materiałów z grupy AIII-BN doprowadziły do wytworzenia komercyjnych, wysoko wydajnych źródeł światła emitujących w kolorach ultrafioletu, niebieskim, zielonym i białym. W pracy przedstawiono przegląd technologii wytwa[...]
EN Recent twenty five years of advances in epitaxial growth and fabrication technologies for the III-Nitrides have led to commercially available, high efficient solid state devices that emits ultraviolet, blue, green and white light. In this work LEDs technologies based on III-Nitrides have been presen[...]
first rewind previous Strona / 3 next fast forward last