Ograniczanie wyników
Czasopisma help
Lata help
Autorzy help
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Znaleziono wyników: 36
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  półprzewodnik
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
1
100%
Materiały Elektroniczne
PL Zbadano właściwości elektryczne izolacji implantowanej w GaAs, takie jak transport nośników ładunku elektrycznego, stabilność termiczną i wytrzymałość na przebicie elektryczne. Wyjaśniono mechanizm przebicia elektrycznego oraz wpływ podłoża i warstwy buforowej na właściwości materiału. Stabilność te[...]
EN The electrical properties of implant isolation in GaAs such as electrical carrier transport, thermal stability and electrical breakdown strength are determined. The mechanism of electrical breakdown and influence of a substrate and a buffer layer on material properties are explained. The thermal [...]
2
100%
Zeszyty Naukowe Politechniki Białostockiej. Matematyka, Fizyka, Chemia
1999 Z. 19 149-156
PL W ramach teorii funkcjonału gęstości obliczono prawdopodobieństwo przejść elektronów pomiędzy poszczególnymi stanami w pasmie przewodnictwa krzemu. Przejścia te wynikają z oddziaływania elektron - fonon.
EN The density-functional approach is used to investigate the electron-phonon matrix element for transition between selected electronic states in silicon.
3
100%
Postępy Fizyki
EN Quantum dots are nanometer-scale semiconductor structures containing small and controllable number of electrons. They are sometimes called artificial atoms as they replicate the physical behaviour characteristic for the ordinary atoms. The electric and optical properties of quantum dots make them a [...]
4
100%
Prace Instytutu Elektrotechniki
2002 Z. 214 59-98
PL Dokonano przeglądu osiągnięć, opublikowanych w materiałach konferencyjnych oraz czasopismach technicznych dotyczących przyrządów energoelektronicznych wytworzonych z nowych materiałów takich, jak arsenek galu (GaAs), węglik krzemu (SiC) oraz syntetyczny diament (C). Materiały te zaczynają stopniowo [...]
EN The paper presents a review of achievements, published in conference proceedings and technical journals, concerning power electronics devices produced of new materials such as gallium arsenide (Ga As), silicon carbide (Si C) and synthetic diamond (C). These materials begin gradually to be used in po[...]
5
88%
TTS Technika Transportu Szynowego
PL Przekaźniki - mimo dynamicznego rozwoju technologii półprzewodnikowych - są wciąż jednym z elementów składowych układów elektrycznych wielu nowo opracowanych urządzeń sterowania. Spełniają one funkcję elementu pośredniczącego między elektrycznym obwodem sterującym a jednym lub kilkoma obwodami stero[...]
6
75%
Materiały Elektroniczne
PL W artykule przedstawiono wyniki badań przeprowadzonych w celu wytworzenia warstw tlenku cynku o różnych strukturach, z wodnych roztworów metodą chemicznego osadzania i elektrosyntezy. Do osadzania ZnO wykorzystano następujące podłoża: szkiełka mikroskopowe i płytki szklane pokryte warstwą ITO. Wykon[...]
EN Coatings of ZnO with chemical (SILAR) and electrochemical methods were prepared. As substrate microscope glass plates and glass plates ITO layer coated were used. Surface morphology (SEM), photoluminescence (PL) and crystal structure (XRD) were examined.
7
75%
Zeszyty Naukowe Politechniki Białostockiej. Elektryka
1999 Z.15 67-82
PL W artykule przedstawiono analizę układu falownika, w którym wszystkie przyrządy półprzewodnikowe przełączane są przy zerowym napięciu ZVS lub przy zerowym prądzie ZCS. Proces ten został zrealizowany w układzie jednofazowego falownika biegunowego, w którym przeładowanie rezonansowe jest wspomagane po[...]
EN The pole converter with transistors switching with ZVS and ZCS condition is presented in the article. The investigation concerns one-phase inverter in which the resonant process is supported by the special air transformer. The behaviour of the system and its basic parameters were confirmed by the si[...]
8
75%
Przegląd Elektrotechniczny
PL Obliczono przewodność cieplną kryształów Si, SiC i GaN metodą odwrotnej nierównoważnej dynamiki molekularnej za pomocą programu Forcite przy potencjałach pól siłowych typu Universal z pakietu Materials Studio 7.0. Otrzymano i przeanalizowano zależności przewodności cieplnej kryształów w funkcji dług[...]
EN Thermal conductivity of Si, SiC and GaN crystals have been calculated by the reversed non-equilibrium molecular dynamics method using the Forcite program with the Universal force field potentials of the Materials Studio 7.0 package. The dependencies of thermal conductivity on the length of crystal’s[...]
9
75%
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
2015 Vol. 63, nr 4 829--836
EN The paper presents the results of investigations of zinc oxide (ZnO) layers as a potential sensing material, being affected by certain selected gaseous environments. The investigations concerned the optical transmission through thin ZnO layers in wide spectral ranges from ultraviolet to the near inf[...]
10
75%
Przemysł Chemiczny
2014 T. 93, nr 12 2229-2231
PL Otrzymano 2 porfirazyny posiadające peryferyjne ugrupowania 4-nitroimidazolilobutylosulfanylowe. Były to porfirazyna bezmetaliczna oraz porfirazyna posiadająca w centrum koordynacyjnym jon manganu(III). Związki te scharakteryzowano z wykorzystaniem spektrometrii mas oraz spektroskopii UV–Vis. Porfir[...]
EN Porphyrazine with peripheral 4-nitroimidazolylbutylsulfanyl substituents was complexed with Mn(III) ion and studied towards O2 redn. were also detd. The glassy C electrode modified with a thin layer of adsorbed Mn porphyrazine showed an improved efficiency in O2 electroredn.
11
75%
Napędy i Sterowanie
2005 R. 7, nr 2 70--74
PL Zewnętrzne pole magnetyczne może w różny sposób wpływać na przewodzenie prądu przez metale lub półprzewodniki. Wśród zjawisk z tym związanych największe zainteresowanie skupia efekt Halla (HE) oraz efekty magnetorezystancyjne (MR), m.in. z uwagi na możliwość bezstykowych pomiarów za pomocą sensorów [...]
12
75%
Napędy i Sterowanie
2017 R. 19, nr 1 32--35
PL HITACHI, dostrzegając aktualne potrzeby rynku, wprowadza tranzystory IGBT nowej generacji w obudowie nHPD2 o niższych stratach mocy, niższej indukcyjności oraz wartościach EMI, torując jednocześnie drogę dla technologii półprzewodników WBG.
13
75%
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
2019 Vol. 67, nr 3 631--641
EN Two methods for calculating transport parameters in semiconductor superlattices by applying Green’s functions are compared in the paper. For one of the methods, the Wannier functions method, where computations in the complex space and Wannier functions base are required, the Hamiltonian matrix is sm[...]
14
75%
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
PL Dokonano analizę numeryczną spektralnej zależności wydajności kwantowej w zakresie ultrafioletowym (UF) fotodiody AlGaN(n)/GaN(p), w której warstwa AlGaN(n) jest półprzewodnikiem o zależnej od położenia przerwie energetycznej. W obliczeniach uwzględniono zależność od szerokości przerwy energetycznej[...]
EN Numerical analysis has been carried out on the spectral dependence of the quantum yield for an AlGaN(n)-GaN(p) photodiode ultraviolet (UV) detector in which the AlGaN layer has position-dependent band gap. The spatial dependence of the material properties, such as energy band-gap and absorption coef[...]
15
63%
Materiały Elektroniczne
PL Jednym z wyzwań stojących obecnie przed ludzkością jest produkcja czystej energii ze źródeł odnawialnych. Jedną z alternatyw jest wodór produkowany z rozkładu wody za pomocą energii słonecznej w ogniwach fotoelektrochemicznych (PEC). W artykule autorzy wprowadzają czytelnika pokrótce w tematykę PEC.[...]
EN A significant issue currently faced by humanity is the production of clean renewable energy. The decomposition of hydrogen produced from water using solar energy in photo electrolysis cells (PEC) is one of the possible methods of tackling the problem. In this article, the authors briefly introduce t[...]
16
63%
Materials Science Poland
2006 Vol. 24, No. 3 803--808
EN For the last years spin effects in semiconductors have been of great interest not only in the context of solid state physics, but also for their potential usage in technology. In this paper we give a short review of spintronic materials, in which electron spin as an additional degree of freedom is e[...]
17
63%
Materials Science Poland
2006 Vol. 24, No. 4 929--934
EN First results of experimental study of the structure of Sb 2Se3 and NaSbSe2 thin films by means of transmission electron microscopy and electron diffraction methods are reported. Structural and morphological peculiarities of crystal growth in films are discussed. Some electrical properties, in parti[...]
18
63%
Materiały Ceramiczne
2010 T. 62, nr 4 461-464
PL Trójantymonek kobaltu CoSb3 jest półprzewodnikiem o wąskim paśmie wzbronionym i bardzo obiecujących właściwościach chemicznych i transportowych, które czynią go potencjalnym kandydatem w przypadku wysokotemperaturowych zastosowań termoelektrycznych. Praca przedstawia wyniki badań teoretycznych doty[...]
EN Cobalt triantimonide CoSb3 is a narrow-band semiconductor with very promising chemical and transport properties which make it a potential candidate for high-temperature thermoelectric applications. The work presents the results of theoretical investigations concerning optimization of concentration o[...]
19
63%
Archives of Metallurgy and Materials
PL Krystaliczne proszki molibdenianu ołowiu i wolframianu ołowiu otrzymano metodą hydrotermalną w polu mikrofalowym za pomocą wysokociśnieniowego autoklawu mikrofalowego. Metodę ta można uznać za przyjazną dla środowiska, jak dotad nie odnotowano jej zastosowania do syntezy wymienionych związków ołowiu[...]
EN Highly crystalline powders of lead molybdate and tungstate were synthesized by a microwave assisted hydrothermal process in a microwave heated high pressure autoclave. Application of this novel and environmentally friendly technique in the synthesis of these compounds has never been reported before.[...]
20
63%
Przegląd Elektrotechniczny
2017 R. 93, nr 10 103--106
PL Półprzewodnikowy przełącznik fotokonduktancyjny to urządzenie, w którym w wyniku pobudzenia sygnałem optycznym, następuje wzrost koncentracji nośników ładunku powodując zmniejszenie oporności materiału półprzewodnikowego nawet o kilka rzędów wielkości. W artykule przedstawiono wybrane aspekty projek[...]
EN A photoconductive semiconductor switch is a device in which density of charge carriers increases causes decreases resistivity of semiconductor as a result of optically triggered. This paper shows selected aspects of photoconductive semiconductor switches designing with regards issue related to the s[...]
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last