Ograniczanie wyników
Czasopisma help
Lata help
Autorzy help
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Znaleziono wyników: 34
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  epitaxy
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
1
100%
Journal of Telecommunications and Information Technology
2000 nr 3-4 10-14
EN The growth of high frequency HBT structures using silane-based epitaxy has been studied. The integrity of SiGe layers in the base and the control of the collector profile using As- or P-doping grown at 650°C have been investigated. The results showed that the growth rate of SiGe layers has a strong [...]
2
100%
Journal of Telecommunications and Information Technology
2001 nr 1 3-11
EN Recent and encouraging developments in Schotky and MOS gated Si/SiGe field effect transistors are surveyed. Circuit applications are now beginning to be investigated. The authors discuss some of this work and consider future prospects for the role of SiGe field effect devices in mobile communication[...]
3
100%
Materiały Elektroniczne
PL Przeprowadzono badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych Al. 037Ga 0.16 In047P: Si stanowiących element struktury epitaksjalnej GaAs/AlGalnP/GaAs na podłożach GaAs technologią MOCVD. Szerokość obszaru o maksymalnej koncentracji centrów DX zawiera się w przedziale od 5 do 20 n[...]
EN The DLTS technique was employed to study deep defect centers in Si doped epitaxial layers of AlO.37Ga0.16In0.47P grown by MOCVD as a part of an epitaxial structure GaAs/AlGalnP/GaAs on GaAs substrates. A The width of this region with the maximum DX center concentration ranges from 5 to 20 nm. By fil[...]
4
100%
Materiały Elektroniczne
PL Omówiono wpływ parametrów technologicznych na właściwości warstw węglowych otrzymywanych w procesie plazmowego osadzania z fazy gazowej. Zbadano wpływ autopotencjału katody oraz składu użytych gazów na strukturalne, elektryczne i chemiczne właściwości warstw. Stwierdzono, że typ hybrydyzacji wiązań [...]
EN In this work the influence of plasma deposition parameters on the properties of carbon layers is discussed. The dependence of the structural, electrical and chemical properties of the layers on the r.f. electrode negative selfpolarisation potential as well as on the ambience composition is studied. [...]
5
100%
Materiały Elektroniczne
PL Zbadano parametry elektryczne warstw epitaksjalnych i ich zależności od ciśnienia w komorze reakcyjnej oraz temperatury procesu. Wyznaczono minimalną temperaturę, w której możliwe jest otrzymywanie bezdefektowych warstw o bardzo dobrych parametrach elektrycznych. Opanowano w szerokim zakresie techno[...]
EN The dependence of epilayers electric parameters on total pressure and reactor temperature was investigated. The minimal temperature, at which very good quality layers - it means without defects, with very satisfying electric parameters - may be obtained was determined as well. The Si doping technolo[...]
6
100%
Materials Science Poland
EN Results of modelling and fabrication of photodetectors with composition graded active layers have been presented. Simulated and measured spectral characteristics of the proposed detectors have been shown. Advantages of such structures have been discussed with respect to conventional detectors with n[...]
7
100%
Materials Science Poland
2016 Vol. 34, No. 4 851--855
EN Three different types of samples of InP nanowires, i.e. undoped, doped with Si and doped with Te, were grown and measured using SEM and Raman spectroscopy. Scanning Electron Microscope (SEM) images showed differences in the length, homogeneity and curvature of the nanowires. The most homogenous wire[...]
8
88%
Materials Science Poland
2016 Vol. 34, No. 4 872--880
EN The main goal of the studies on epitaxial regrowth process of InP on patterned substrates is to gain knowledge about growth rates and interface quality on various areas to improve the fabrication technology for future applications. Prepared samples were measured at every step of the process by scann[...]
9
75%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL W pracy przedstawiono podstawowe zagadnienia dotyczące epitaksji związków półprzewodnikowych, wliczając w to omówienie różnych modów epitaksjalnego wzrostu oraz różnych technik epitaksji. Omówione zostały mody epitaksjalnego wzrostu umożliwiające wytwarzanie struktur atomowo gładkich warstwa po wars[...]
EN In this paper there was presented the brief overview of the semiconductor structures epitaxial growth including different modes of epitaxial growth and different epitaxial techniques. The modes of the growth which enable to fabricate semiconductor structures, both with almost perfect planar layers a[...]
10
75%
Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska
PL W pracy zaprezentowano technologię wytwarzania cienkich warstw krzemowych do zastosowań fotowoltaicznych. Proces oparty jest o technologię epitaksji z fazy ciekłej. Analiza rezultatów przedstawiająca gęstość prądu zwarcia w zależności od parametrów epitaksji z fazy ciekłej pozwala na znalezienie opt[...]
EN This work present a technology of producing thin film silicon layers for photovoltaic applications which is based on a liquid phase epitaxy. Analysis of the results obtained in the experiment enables to establish a short circuit current density dependence on the liquid phase epitaxy parameters. This[...]
11
75%
Materiały Elektroniczne
PL W artykule przedstawiono wymagania jakie powinny spełniać materiały tlenkowe stosowane na podłoża pod warstwy epitaksjalne. Wymagania te dotyczą zarówno własności objętościowych jak i powierzchniowych kryształów, na których wystąpi epitaksjalny wzrost warstwy. Opisano cykl przygotowania kryształu od[...]
EN The requirements for epitaxial layer substrates are reported in the paper. These requirements involve both bulk single crystals and surface features of substrates on which the epitaxial growth will be proceeded. The method of substrate fabrication starting from cutting of crystal into a wafers and f[...]
12
75%
Materiały Elektroniczne
PL Warstwy falowodowe Yb, Nd:YAG/YAG domieszkowane w szerokim przedziale koncentracji jonami Nd3+ i Yb3+ otrzymano w procesie epitaksji z fazy ciekłej. W pracy przedstawiono widma emisji warstw przy pobudzaniu diodami laserowymi emitującymi promieniowanie o długości fali 810 nm oraz 975 nm. Niezależnie[...]
EN The thin waveguide films of Nd3+ and Yb3+ co-doped YAG were grown by means of liquid phase epitaxy. The fluorescence spectra of thin films pumped by the laser diodes at 810 nm and 975 nm are presented. Itterbium emission at 1030 nm and strong blue radiation due to cooperrative emission of Yb3+ ions[...]
13
75%
Materiały Elektroniczne
PL Krzemowe detektory promieniowania jądrowego ulegają, degradacji pod wpływem napromieniowania hadronami o dużej energii. Degradacja wywołana jest generowanymi przez strumień protonów defektami, stanowiącymi centra generacyjno-rekombinacyjne dla nośników ładunku. Obecność atomów tlenu w krzemie może z[...]
EN Silicon detectors for nuclear radiation degrade during operation in high-energy hadrons environments. This degradation is caused by the introduction of electrically active defects. Oxygen atoms could harden silicon against the radiation. Detection diodes were manufactured on high resistivity epitaxi[...]
14
75%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL W artykule przedstawiono kryształy stosowane jako podłoża do epitaksji azotku galu. W tabeli zebrano podstawowe i istotne dla epitaksji dane materiałowe. Omówiono pokrótce właściwości i zastosowania tych podłoży. Pokazano na diagramie niedopasowania sieciowe oraz różnice współczynników rozszerzalnoś[...]
EN In this paper crystals used as epitaxial substrates for gallium nitride deposition are presented. Some fundamental and important for epitaxy properties of these materials are taken in the table. Properties and applications of these single crystals are briefly discussed. Lattice mismatch and differen[...]
15
75%
Przegląd Elektrotechniczny
PL Postępy w ostatnich dwudziestu pięciu latach w epitaksji i technologii wytwarzania materiałów z grupy AIII-BN doprowadziły do wytworzenia komercyjnych, wysoko wydajnych źródeł światła emitujących w kolorach ultrafioletu, niebieskim, zielonym i białym. W pracy przedstawiono przegląd technologii wytwa[...]
EN Recent twenty five years of advances in epitaxial growth and fabrication technologies for the III-Nitrides have led to commercially available, high efficient solid state devices that emits ultraviolet, blue, green and white light. In this work LEDs technologies based on III-Nitrides have been presen[...]
16
75%
Przegląd Elektrotechniczny
2014 R. 90, nr 5 215--221
PL W pracy przedstawiono przegląd różnych technologii ogniw słonecznych. W dalszej części pracy skoncentrowano się na ogniwach wytwarzanych z materiałów AIIIBV – wielozłączowych ogniwach słonecznych. Technologia takich ogniw jest rozwijana w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych. Wytworzono[...]
EN In this work a variety of solar cell technologies have been presented. AIIIBV multijunction solar cells have been subsequently described. The methodology of their production has been developed at the Institute of Electronic Materials Technology. So far the epi structures of multijunction solar cells[...]
17
75%
Polimery
PL W celu wyjaśnienia mechanizmu tworzenia się formy β izotaktycznego polipropylenu (iPP) na powierzchni nanocząstek srebra (nAg) wykorzystano modelowanie molekularne (MM). Wykonano optymalizacje geometryczne układów iPP z nAg przy użyciu pola siłowego MM+ w próżni. Stwierdzono, że ustawienie grup mety[...]
EN Molecular modelling (MM) was used to explain the mechanism of formation of polymorphic form of isotactic polypropylene (iPP) at the surface of the silver nanoparticles (nAg). Geometrical optimization of iPP chains and unit cell of Ag systems was made with the use of MM+force field in vacuum. Accordi[...]
18
63%
Materiały Elektroniczne
PL Celem pracy było opanowanie metody szybkiej charakteryzacji fotodiod z tellurku kadmowo-rtęciowego - HgCdTe - otrzymywanych metodą MOCYD (Metal Organie Chemical Vapor Depositiori) tzn. techniką osadzania warstw na powierzchni materiałów poprzez stosowanie związków metaloorganicznych w formie gazowej[...]
EN The aim of this study was to master a method for a quick characterization of mercury cadmium telluride (HgCdTe) photodiodes obtained by MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method, which was achieved. First, the obtained epitaxial layers were subjected to the technological process procedu[...]
19
63%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL Przedmiotem pracy jest zastosowanie technologii epitaksji ze związków metaloorganicznych (MOCVD) do otrzymania laserów kaskadowych (QCL) na podłożach InP. Wykonano hetrostruktury półprzewodnikowe laserów zbudowane z supersieci InGaAs/InAIAs ze skompensowanymi naprężeniami. Lasery takie są najważniej[...]
EN We grew strain-compensated InGaAs/InAIAs/InP mid-infrared quantum cascade lasers by MOCVD. The required unprecedented accuracy of layers stoichiometry and thickness, together with the high purity of the compounds and suitable process repeatability are the prime challenges for this technology. This n[...]
20
63%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL W pracy przedstawiono główne rezultaty badań nad wzrostem epitaksjalnym warstw SiC metodą CVD. Opracowano technologię przygotowania powierzchni podłożowych płytek komercyjnych SiC do wzrostu epitaksjalnego poprzez trawienie in situ w mieszance wodoru i propanu. Zbadano i zoptymalizowano warunki wzro[...]
EN In the paper, the main results on epitaxial growth of SiC by CVD method has been presented. The influence of in situ etching of Si-face n-4H-SiC wafers in H2 and propane on the surface morphology of the grown epi-layers were examined. The hydrogen-propane mixture etching was verified as a tool for s[...]
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last