Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Znaleziono wyników: 15
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  centra defektowe
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
1
100%
Materiały Elektroniczne
PL Metodę niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS) zastosowano do badania centrów defektowych w laserach heterozłączowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP emitujących promieniowanie o długości fali X = 808 nm. W warstwach falowodowych laserów wykryto 5 pułapek oznaczonych jako T1a, T1b,[...]
EN Deep level transient spectroscopy (DLTS) has been applied to investigation of defect centres in heterostructures of AIGaAs/GaAs with GaAsP quantum well used for production of high-power laser diodes emitting the beam with the wavelength of 808 nm. In undoped A1035Ga065As cladding layers, five traps [...]
2
86%
Materiały Elektroniczne
PL Przeprowadzono pomiary metodą DLTS czterech próbek zawierających warstwy epitaksjalne 4H-SiC, różniących się koncentracją atomów azotu oraz efektywną koncentracją donorów. Dwie spośród próbek wybranych do badań wpływu koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych zawierały w[...]
EN The DLTS measurements of four samples with 4H-SiC epitaxial layers with different effective donors concentration was performed. Two samples chosen for investigations of the effect of donor concentration on parameters and concentration of defect centers has epitaxial layers made in ITME and the other[...]
3
86%
Przegląd Elektrotechniczny
PL Przedstawiono koncepcję inteligentnego systemu pomiarowego do diagnozowania wysokorezystywnych materiałów półprzewodnikowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. Zadaniem tego systemu będzie tworzenie obrazu struktury defektowej obejmującego informację o parametrach i koncentracjach za[...]
EN An intelligent measurement system for diagnosing of semi-insulating materials by photoinduced transient spectroscopy has been presented. The system utilises two-dimensional analysis of the photocurrent transients digitally recorded in a broad range of temperatures for determination of defect centers[...]
4
86%
Materiały Elektroniczne
PL W oparciu o miernik pojemności zestawiono nowy układ do pomiarów metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS). Rejestracja relaksacyjnych przebiegów pojemności pozwoliła na zastosowanie zaawansowanych procedur numerycznych, które umożliwiają uzyskanie dwuwymiarowych powierzchni widmowy[...]
EN A new capacitance transient spectroscopy measurement system has been set up based on a capacitance meter. The acquisition of capacitance transients has allowed the application of advanced numerical methods which make obtaining two-dimensional spectral surfaces possible. These surfaces enable the det[...]
5
86%
Przegląd Elektrotechniczny
PL W artykule zaprezentowano wybrane zagadnienia pomiaru fotoprzewodnictwa w aspekcie badania struktury defektowej materiałów półprzewodnikowych. Zaprezentowano dedykowany do tego celu system pomiarowy. Dokonano analizy niektórych przypadków związanych z niedokładnością pomiaru w prezentowanym systemie[...]
EN The paper presents a measurement system for investigation of defect centres in semiconductor materials. Analysed were some aspects of measurement inaccuracies in the system. Shown was an influence of a temperature measurement on the ambiguity of parameters of defect centres obtained based on an anal[...]
6
86%
Przegląd Elektrotechniczny
2010 R. 86, nr 12 249-252
PL Przedstawiono inteligentny system pomiarowy do charakteryzacji centrów defektowych w półprzewodnikowych materiałach półizolujących metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. Parametry centrów defektowych wyznaczono na podstawie dwuwymiarowej analizy niestacjonarnych przebiegów fotoprądu opar[...]
EN An intelligent measurement system for the characterisation of defect centres in semi-insulating materials is presented. The basic advantage of the system relies on the application of two dimensional analysis of the photocurrent decays and computational intelligence to extract the parameters of defec[...]
7
86%
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
PL Określono wpływ energii fotonów na jakość obrazu prążków widmowych otrzymywanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej dla centrów defektowych w półizolujących monokryształach 4H-SiC:V. Badania przeprowadzono dla centrów związanych z atomami Al, dla których termiczna emisja nośników ładu[...]
EN Effect of the photon energy on the quality of the spectral fringes image obtained by photoinduced transient spectroscopy for defect centres in semi-insulating 4H-SiC:V single crystals have been determined. The studies were carried out for the centres related to Al atoms for which the thermal emissio[...]
8
72%
Pomiary Automatyka Kontrola
2011 R. 57, nr 11 1368-1371
PL Możliwość wyznaczania koncentracji centrów defektowych na podstawie widm otrzymywanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej o wysokiej rozdzielczości (HRPITS) jest bardzo ważna dla oceny jakości półprzewodników wysokorezystywnych o szerokiej przerwie energetycznej. Dotychczas nie okreś[...]
EN Determination of defect center concentration from the high-resolution photoinduced transient spectroscopy (HRPITS) measurements is of great importance in terms of quality assessment of high-resistivity wide bandgap semiconductors. So far, however, a procedure allowing determining unambiguously the c[...]
9
72%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL Metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS) została zastosowana do badania właściwości centrów defektowych w domieszkowanych azotem objętościowych kryształach 6-H SiC, otrzymanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Określono wpływ koncentracji donorów spowodowanych obecności[...]
EN In this paper we report new experimental results, obtained by deep-level transient spectroscopy (DLTS) on electronic properties of defect centres in nitrogen-doped 6H-SiC bulk crystals grown by the physical vapour transport (PVT) technique. In particular, the effect of the net donor concentration on[...]
10
72%
Metrology and Measurement Systems
PL Przedstawiono inteligentny system pomiarowy dedykowany do charakteryzacji centrów defektowych w materiałach półizolujących. Działanie systemu polega na rejestracji relaksacyjnych przebiegów fotoprądu w szerokim zakresie temperatur oraz realizacji dwuwymiarowej analizy temperaturowych zmian stałych c[...]
EN An intelligent measurement system for the characterisation of defect centres in semi-insulating materials is presented. The system utilises two-dimensional analysis of the photocurrent transients digitally recorded in a broad range of temperatures. The spectral analysis is carried out by two indepen[...]
11
72%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL Inteligentne algorytmy obliczeniowe, maszynę wektorów nośnych oraz maszynę wektorów istotnych, zaimplementowano w systemie pomiarowym do badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych metodą niestacjonarnej spektroskopii foto-prądowej. Skuteczność działania tych algorytmów sprawdz[...]
EN Intelligent computational algorithms support vector machine (SVM) and relevance vector machine (RVM) has been implemented in the experimental system dedicated to studies of defect centres in high resistivity semiconductors by photoinduced transient spectroscopy (PITS). Functional effectiveness of th[...]
12
72%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL Przedstawiono inteligentny system pomiarowy do badania centrów detektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych w zastosowaniu do półizolującego GaAs. Do tworzenia obrazu struktury defektowej na podstawie pomiaru zaników fotoprądu w szerokim zakresie temperatury wykorzystano procedurę korelacyjną o[...]
EN In this paper we present the experimental system for characterisation of defect structure of high-resistivity semiconductors with implementation of intelligent procedures. A new approach is exemplified by studies of defect centres in semi-insulating (SI) GaAs. The defect structure images are created[...]
13
72%
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
PL Metoda niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej z zastosowaniem analizy niestacjonarnych przebiegów fotoprądu, opartej na odwrotnej transformacie Laplace'a, została zastosowana do badania struktury defektowej domieszkowanych atomami Fe i niedomieszkowanych półizolujących kryształów InP.
EN Photoinduced transient Laplace spectroscopy has been applied to study defect centres in Fe-doped and undoped sem-insulating InP. The parameters of defect centres have been extracted from experimental data using a neural network approximation.
14
72%
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
PL Unikalne właściwości azotku galu (GaN) i roztworów stałych na jego bazie stwarzają możliwość produkcji nowej generacji przyrządów półprzewodnikowych. Tranzystory HEMT, w których stosuje się warstwę epitaksjalną wysokorezystywnego azotku galu charakteryzują się dużym współczynnikiem wzmocnienia i moż[...]
EN Unique properties of gallium nitride (GaN) create the possibility for production of the new generation of semiconductor devices. The AlGaN/GaN HEMT structures with a layer of highresistivity GaN enable high gain at high operational frequencies to be achieved. This layer is used to separate the devic[...]
15
58%
Przegląd Elektrotechniczny
2011 R. 87, nr 10 230-235
PL Celem pracy jest określenie wpływu błędu adekwatności modelu metody korelacyjnej na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej (PITS). Stwierdzono, że nieadekwatność modelu metody korelacyjnej powoduje przesunięcie wykresu Arrheniusa w kie[...]
EN The effect of model adequacy error of the correlation method for studies of defect centres by photoinduced transient spectroscopy (PITS), on the values of activation energy and capture cross-section obtained from the Arrhenius plot is discussed. It is shown that due to model inadequacy, there is a s[...]
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last