PL
 |
EN
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
  1. 16 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
  2. 4 Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
  3. 4 Bulletin of the Military University of Technology
  4. 2 Elektronika : prace naukowe
  5. 1 Annals of Computer Science and Information Systems
Więcej...
Autorzy help
  1. 10 Gawron W.
  2. 5 Kaniewski J.
  3. 5 Piotrowski J.
  4. 5 Rogalski A.
  5. 4 Jasik A.
Więcej...
Lata help
  1. 1 2021
  2. 2 2018
  3. 4 2016
  4. 1 2013
  5. 3 2011
Więcej...
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 27

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  detektory podczerwieni
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Content available remote In-Bed Person Monitoring Using Thermal Infrared Sensors
Josse Elias, Nerborg Amanda, Hernandez Diaz Kevin, Alonso-Fernandez Fernando
Annals of Computer Science and Information Systems
|
2021
|
Vol. 25
121--125
EN
Technological solutions involving cameras can contribute to safety in home and healthcare, but they pose privacy issues. We use a low-resolution infrared thermopile array sensor, which offers more privacy, to determine if the user is on the bed. Two datasets were captured, one under constant conditions, and a second one under different variations. We test three machine learning algorithms under 10-fold cross validation, with the highest accuracy in the main dataset being 99%. The results with variable data show a lower reliability under certain circumstances, highlighting the need of extra work to meet the challenge of variations in the environment.
2
Content available Układ optyczny w długofalowych kamerach termowizyjnych przeznaczonych do obserwacji mikroelementów
Dziarski K., Parzych J.
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2018
|
No. 96
83--94
PL
W niniejszym artykule przedstawiono dostępne na rynku rozwiązania zastosowane w długofalowych kamerach termowizyjnych pozwalających na obserwacje elementów zamkniętych w obudowach przeznaczonych do montażu powierzchniowego SMD (Surface Mounted Device). Omówiono podstawowe parametry zastosowanych matryc detektorów promieniowania podczerwonego oraz ich wpływ na wykonywany pomiar. Zestawiono omawiane matryce pod względem wykorzystywanych zjawisk oraz omówiono wykorzystywane zjawiska. Przedstawiono również układ optyczny stosowany we współczesnych długofalowych kamerach termowizyjnych. Zaproponowano takie ustawienia układu optycznego, które pozwolą na uzyskanie wystarczającej ostrości obrazu.
EN
This article presents solutions available on the market used in long-wave infrared cameras that allow observation of elements enclosed in housings designed for SMD (Surface Mounted Device). The basic parameters of the applied infrared radiation detector matrices and their influence on the measurement are discussed. The matrices and the phenomena used by them are written. The optical system used in modern long-wave thermovision cameras is also presented. The settings of optical system that will allow obtain a sufficient image sharpness have been proposed.
3
Content available Mid-wave InAs/GaSb superlattice barrier infrared detectors with nBnN and pBnN design
Gomółka E., Markowska O., Kopytko M., Kowalewski A., Martyniuk P., Rogalski A., Rutkowski J., Motyka M., Krishna S.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2018
|
Vol. 66, nr 3
317--323
EN
We present an investigation of optical and electrical properties of mid-wavelength infrared (MWIR) detectors based on InAs/GaSb strained layer superlattices (SLs) with nBnN and pBnN design. The temperature-dependent behavior of the bandgap was investigated on the basis of absorption measurements. A 50% cut-off wavelength of around 4.5 μm at 80 K and increase of up to 5.6 μm at 290 K was found. Values of Varshni parameters, zero temperature bandgap E0 and empirical coefficients α and β were extracted. Arrhenius plots of dark currents of nBnN and pBnN detectors were compared with the p-i-n design. Dark current density reduction in nBnN and pBnN detectors is observed in comparison to the p-i-n device. This shows a suppression of Shockley-Read-Hall (SRH) processes by means of introducing barrier architecture.
4
Wysokoczułe moduły detekcyjne do wykrywania biomarkerów z zastosowaniem metod optycznych
Gawron W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2016
|
Vol. 57, nr 9
55--57
PL
W artykule omówiono moduł detekcyjny do optoelektronicznego systemu sensorów biomarkerów zawartych w wydychanym powietrzu. Zastosowany on został do detekcji promieniowania transmitowanego przez wnękę optyczną w czujniku CEAS (ang. Cavity Enhanced Absorption Spectroscopy), służącym do pomiaru stężenia tlenku azotu o stężeniu rzędu ppb. NO jest markerem astmy oraz przewlekłego zapalenia dróg oddechowych. Do konstrukcji opracowanego modułu detekcyjnego zastosowano detektor o dużej wykrywalności i szybkości działania oraz szerokopasmowy i niskoszumowy przedwzmacniacz. Dodatkowo został on wyposażony w obiektyw zapewniający dużą transmisję promieniowania.
EN
The article discusses the detection module for the optoelectronic sensor systems of the biomarkers contained in the exhaled human air. It has been used to detect radiation transmitted by the optical cavity in the sensor CEAS (Cavity Enhanced Absorption Spectroscopy) for measuring nitric oxide concentration. NO is the marker of asthma and chronic airway inflammation. The detection module consists of a fast and high-detection photodetector and high-speed and low-noise preamplifier and the also the lens ensures high transmission of radiation.
5
Wykrywalność detektorów średniej podczerwieni wykonanych z supersieci InAs/GaSb
Ciura Ł., Kolek A., Czuba K., Jureńczyk J., Jasik A., Sankowska I., Kaniewski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2016
|
Vol. 57, nr 9
10--13
PL
W artykule rozważono wpływ różnych typów szumów na wykrywalność detektora średniej podczerwieni wykonanego z supersieci InAs/GaSb. W rozważaniach uwzględniono wpływ układów polaryzacji i wzmacniania sygnału oraz różne rodzaje szumów występujące w detektorze. Wykrywalność detektora wyznaczono z uwzględnieniem szumu 1/f, szumu układu wzmacniania, szumu śrutowego i termicznego.
EN
This paper concerns the influence of various noise mechanisms on detectivity of midwavelength infrared detectors made of InAs/GaSb superlattice. Measurements and amplifying setup of the signal was been shown. The article provide basic characterization of the noise types which occur in infrared detectors. The real detectivity of the detector was been calculated taking into account various noise: 1/f noise, amplifying system noise, thermal noise, and finally shot noise.
6
Detektory supersieciowe InAs/GaSb : wybrane aspekty technologii wytwarzania
Czuba K., Sankowska I., Jasik A., Jureńczyk J., Papis-Polakowska E., Kaźmierczak P., Kaniewski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2016
|
Vol. 57, nr 9
3--9
PL
Specyficzne własności supersieci II rodzaju (T2SL) z InAs/GaSb mogą spowodować w przyszłości dominację tego materiału w produkcji detektorów podczerwieni. Istotnym argumentem stosowania detektorów na bazie supersieci stanowi fakt, że ze względu na zagrożenie dla środowiska w najbliższych latach przewiduje się stopniową eliminację rtęci (Hg) i kadmu (Cd) z technologii półprzewodnikowych. Ciągła poprawa jakości podłóż i materiału supersieci, konstrukcji detektorów oraz technik „processingu” połączona z poznaniem fundamentalnych procesów fizycznych pozwalaja obecnie na wytwarzanie przyrządów dyskretnych i matryc pracujących w obszarze widmowym średniej, dalekiej i bardzo dalekiej podczerwieni. W pracy przedstawiono aktualny stan wiedzy na temat detektorów T2SL oraz przedyskutowano przyczyny degradacji ich parametrów.
EN
InAs/GaSb type-II superlattices (T2SL) have the potential to become main material used in production of infrared detection and imaging devices. Mostly due to their properties such as easy bandgap engineering or suppression of Auger processes. Moreover, the use of mercury and cadmium, most commonly used elements in present photodetectors, is being more and more restricted due to environmental and health hazards. In this work, selected aspects of T2SL detectors technology have been described.
7
Detektory na bazie supersieci II rodzaju InAs/GaSb dla zakresu promieniowania średniej podczerwieni
Kaniewski J., Jasik A., Sankowska I., Czuba K., Papis-Polakowska E., Jureńczyk J., Sakowicz M., Regiński K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2016
|
Vol. 57, nr 8
27--34
PL
Fotodetektory średniej podczerwieni wykorzystywane są w wielu zastosowaniach, np. wojskowych, medycznych czy przemysłowych. W ostatnich latach supersieci II rodzaju InAs/GaSb wykazały ogromny potencjał pozwalający na zastąpienie powszechnie wykorzystywanych przyrządów bazujących na HgCdTe. Niestety pomimo starań wielu grup badawczych nadal nie udało się w pełni wykorzystać ich możliwości. W pracy zaprezentowano obecny stan technologii wytwarzania fotodetektorów na bazie supersieci II rodzaju InAs/GaSb, pracujących w zakresie od 3 do 5 μm, w Instytucie Technologii Elektronowej (ITE). Opisane zostały kolejne etapy: krystalizacja supersieci, charakteryzacja struktur epitaksjalnych, technologia przyrządów oraz charakteryzacja elektryczna i optyczna detektorów. Na koniec porównano uzyskane parametry użytkowe fotodetektorów dostępnych komercyjnie i wytwarzanych w ITE.
EN
Mid-infrared photodetectors are used in many industrial, medical and military applications. In recent years type II InAs/GaSb superlattices have shown great potential, which could allow them to substitute commonly used HgCdTe devices. Despite the effort of many research groups full capabilities of this material have not been utilized yet. In this paper an overview of type II InAs/GaSb photodetector (3–5 μm) technology in Institute of Electron Technology (IET) is presented. The following stages have been described: epitaxy of superlattices, characterization of epitaxial structures, processing and characterization of devices. At the end parameters of photodetectors manufactured in IET have been compared with those of commercially available devices.
8
Łącze optyczne z kwantowym laserem kaskadowym
Garlińska M., Mikołajczyk J., Bielecki Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 3
61-63
PL
W artykule omówiono system łączności optycznej w otwartej przestrzeni, pracujący w zakresie widmowym 8...12 µm. Jego głównymi elementami są kwantowy laser kaskadowy (QC) oraz detektor HgCdTe. Wstępne badania łącza dały możliwość oceny wpływu punktu pracy lasera QC na jakość transmisji. Przeprowadzono m.in. pomiary amplitudy sygnału rejestrowanego przez moduł odbiorczy łącza, a także szumów. Określono ich wpływ na poziom elementowej stopy błędów. Uzyskano wyniki, które zostaną uwzględnione w ramach dalszych badań w warunkach terenowych.
EN
This paper presents a free space optical (FSO) communication system operated at the wavelength range of 8...12 microns. The main elements of the system are a quantum cascade laser and MCT photodetector. During laboratory studies, influence of a transmitter operation point on the transission link quality was determined. The obtained results made a possible to define FSO operating point for further system studies in field conditions.
9
Struktury detektora podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaSb
Kaniewski J., Jasik A., Regiński K., Sankowska I., Pierścińska D., Pierściński K., Papis E., Wawro A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 10
18-21
PL
W artykule przedstawiono aktualny stan technologii detektorów podczerwieni na bazie supersieci II-rodzaju ze związków InAs/GaSb. Detektory te wytwarzane są metodą epiaksji z wiązek molekularnych MBE w Instytucie Technologoii Elektronowej (ITE) w Warszawie.
EN
Present state of technology of infrared detectors based on InAs/GaSb type-II superlattice is presented. Detectors of this type are fabricated by molecular beam epitaxy MBE at the Institute of Electron Technology (IET) in Warsaw.
10
Detektory średniej podczerwieni (MIR) na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb
Gawron W., Orman Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 10
22-24
PL
Artykuł przedstawia wyniki badań średniofalowych detektorów podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GalnSb. Badania te prowadzone są w VIGO System SA w ramach realizacji zadania nr 3 programu zamawianego PBZ - MNiSW 02/I/2007. Podstawę do konstrukcji fotodiod stanowią struktury z supersieci II rodzaju z InAs/InGaSb, wykonane w ramach zadania nr 2 PBZ - MNiSW 02/I/2007, realizowanego równolegle w Instytucie Technologii Elektronowej.
EN
This article presents state of the art of new generation of infrared detectors based on low dimensional solids - type II InAs/GaSb superlattices for photovoltaic detectors. This paper has been done in Institute of Applied Physics Military University of Technology VIGO System SA under financial support of the Polish Ministry of Sciences and Higher Education, Key Project PBZ - MNiSW 02/I/2007.
11
Content available Teoretyczna analiza właściwości heterozłącza pP⁺ w temperaturze pokojowej za pomocą zaawansowanej symulacji komputerowej
Gawron W., Jóźwikowski K., Kopytko M.
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
|
2011
|
Vol. 60, nr 4
161-176
PL
Artykuł przedstawia wyniki obliczeń teoretycznych parametrów heterozłącza pP⁺ w temperaturze pokojowej wykonanych za pomocą zaawansowanej symulacji komputerowej. Dla porównania przedstawiono także wyniki obliczeń parametrów heterozłącza N⁺p. Wszystkie obliczenia wykonane są dla temperatury 300 K przy oświetlaniu złącza od strony obszaru silnie domieszkowanego promieniowaniem o długości fali 10,6 µm. Wykorzystano oryginalne metody i programy komputerowe opracowane w Zakładzie Fizyki Ciała Stałego.
EN
We report on the results of theoretical calculation of near-room temperature HgCdTe pP⁺ heterojunction. The calculated parameters of pP⁺ junction were compared with parameters of N⁺p junction. All the analyses were done under 300 K temperatures after illuminating the structure from a highly doped layer by the light with a wavelength of 10.6 µm. We have taken advantage of original methods of numerical simulation using computer programmes prepared at the Institute of Applied Physics.
12
Moduły detekcyjne dla telekomunikacji optycznej w otwartej przestrzeni
Gawron W., Gutowska M., Łach J., Paliwoda R., Rzeczkowski M., Piotrowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 10
73-76
PL
W pracy zaprezentowano wyniki badań szerokopasmowych modułów detekcyjnych przeznaczonych dla otwartych łączy optoelektronicznych. Jako element detekcyjny wykorzystano w nich immersyjne fotodiody długofalowego (≈10 µm) promieniowania podczerwonego pracujące z chłodzeniem czterostopniową chłodziarką termoelektryczną. Przedstawione zostały dwa typy modułów detekcyjnych. Pierwszy z immersyjną fotodiodą pracującą bez zasilania i drugi z immersyjną fotodiodą zasilaną napięciem wstecznym.
EN
The paper presents the test results of a long-term radiation detector modules for Free Space Optical communication operated at the waveiength range of 8... 12µm. The modules are based on optically immersed photodiodes operating with Peltier coolers manufactured in the company VIGO System SA High sensitivity of the detection module was achieved through a multi-layered hete-rostructure HgCdTe with immersion lens, which is optimized for the detection of radiation with a wavelength of 10 µm. Developed optical radiation detection modules will be used in a next-generation optical link, with a greater range in difficult weather conditions in relation to the links currently offered.
13
Detektory podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb
Kaniewski J., Gawron W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 10
87-89
PL
Supersieci ze związków InAs/GaInSb krystalizowane na podłożu z GaSb umożliwiają wytwarzanie detektorów podczerwieni pracujących w zakresie widmowym 3...25 µm. Supersieci te stanowią atrakcyjną alternatywę dla związków HgCdTe. Technologia otrzymywania supersieci InAs/GaInSb jest we wstępnej fazie rozwoju. Główne trudności związane są z przygotowaniem podłoży do epitaksji oraz z otrzymywaniem skokowych obszarów międzyfazowych w supersieciach. Odrębne zagadnienia dotyczą technologii struktur, prowadzącej do wykonania detektorów oraz ich pasywacji.
EN
InAs/GaInSb based superlattices grown on GaSb substrates can be used for fabrication of infrared detectors operating in 3...25 µm spectral range. The superlattices are attractive alternative for HgCdTe compounds. Technology of InAs/GaInSb superlattices is far to be well established. Main difficulties are related to wafer preparation before eptiaxy and superlattice interface quality. Processing, passivation and assembling of detectors are permanently developed.
14
Optymalizacja technologii MOCVD pod kątem poprawy morfologii powierzchni warstw HgCdTe
Gawron W., Madejczyk P., Rogalski A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 5
67-72
PL
Artykuł przedstawia wyniki prac badawczych nad udoskonaleniem morfologii powierzchni warstw epitaksjalnych HgCdTe, uzyskiwanych w technologii MOCVD na podłożu GaAs. Przedstawiono wpływ wybranych parametrów na morfologię powierzchni warstw oraz omówiono wpływ jakości powierzchni podłoża GaAs i jego orientacji krystalograficznej. Przedstawiono także wpływ grubości warstwy HgCdTe na wielkość chropowatości powierzchni. Badania te zrealizowano w Instytucie Fizyki Technicznej Wojskowej Akademii Technicznej w ramach realizacji zadania nr 6 PBZ-MNiSW 02/I/2007.
EN
This paper presents results of experimental efforts pointed towards morphology improvement of HgCdTe layers grown by MOCVD on GaAs substrates. Selected growth parameters on morphology state are presented. The substrate issues such as its quality and crystallographic orientation have been discussed. Also influence of HgCdTe layer thickness on its surface roughness is described. This article presents scientific results of works carried out in Institute of Applied Physics Military University of Technology, accomplished during realization of grant 6 PBZ-MNiSW 02/I/2007 supported by thePolish Ministry of Science and Higher Education.
15
Optymalizacja epitaksji i doskonalenie architektury detektorów podczerwieni z HgCdTe
Gawron W., Piotrowski A., Kłos K., Orman Z., Pawluczyk J., Stanaszek D., Kębłowski A., Pędzińska M., Piotrowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 5
61-67
PL
Artykuł przedstawia najciekawsze wyniki prac badawczych uzyskanych w Vigo System S.A. w ramach realizacji zadania nr 5 PBZ -MNiSW 02/I/2007 pt.: "Niechłodzone detektory podczerwieni z HgCdTe". W pracy przedstawiony został postęp w technologii heterostruktur z HgCdTe i własności uzyskanych z nich detektorów średniej i dalekiej podczerwieni (MWIR i LWIR).
EN
This article presents scientific results of works carried out in Vigo System S.A., accomplished during realization of grant 5 PBZ-MNiSW 02/I/2007 supported by the Polish Ministry of Science and Higher Education and entitled Uncooled photodetectors from HgCdTe. The paper describes the progress of technology of HgCdTe heterostructures and properties of MWIR and LWIR detectors.
16
Detektory podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GalnSb
Gawron W., Rogalski A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 5
58-61
PL
Artykuł przedstawia opracowanie na temat detektorów podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GalnSb. Powstało ono w Vigo System S.A. w ramach realizacji zadania nr 3 PBZ -MNiSW 02/1/2007. Celem tego zadania jest opracowanie i zbadanie właściwości detektorów podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju z InAs/GalnSb. Podstawę do konstrukcji detektorów stanowić będą struktury na bazie supersieci II rodzaju z InAs/InGaSb, wykonane w ramach zadania nr 2 PBZ-MNiSW 02/1/2007, realizowanego równolegle w Instytucie Technologii Elektronowej.
EN
This article presents scientific results of works carried out in VIGO System S.A. accomplished during realization of grant 3 PBZ-MNiSW 02/1/2007 supported by the Polish Ministry of Science and Higher Education. We present most recent results and review progress over the past few years regarding InAs/GaSb Type II superlattices for photovoltaic detectors.
17
Content available Metoda stabilizacji termicznej czułości układu detekcyjnego z niechłodzonym fotorezystorem PbSe
Młodzianko A., Zygmunt M., Knysak P.
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
|
2009
|
Vol. 58, nr 1
193-205
PL
W artykule przedstawiono metodę stabilizacji termicznej czułości układu detekcyjnego dla zakresu spektralnego podczerwieni MIDIR 2-5 μm z wykorzystaniem fotorezystora wykonanego w technologii PbSe bez układów chłodzących. Zaprezentowano również wyniki badań termicznych czułości detektorów różnych producentów oraz realizację praktyczną układu detekcyjnego wraz z wynikami badań temperaturowych.
EN
A method of thermal responsivity compensation of 1-5 μm detection system with uncooled PbSe photoresistor has been presented. It includes theoretical description and experimental results of thermal measurements.
18
Content available Detektory podczerwieni z supersieci II rodzaju układu InAs/GaInSb
Gawron W., Rogalski A.
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
|
2009
|
Vol. 58, nr 4
7-16
PL
Artykuł przedstawia stan rozwoju nowej generacji detektorów podczerwieni fotodiod z supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb. O ich fundamentalnych właściwościach decydują kwantowe efekty rozmiarowe. Ta nowa tematyka badawcza została podjęta w VIGO System S.A. w ramach realizacji zadania nr 3 programu zamawianego PBZ-MNiSW 02/I/2007. Celem tego zadania jest opracowanie i zbadanie właściwości fotodiod detektorów podczerwieni na bazie supersieci. Podstawę do konstrukcji fotodiod będą stanowić struktury z supersieci II rodzaju z InAs/InGaSb, wykonane w ramach zadania nr 2 PBZ-MNiSW 02/I/2007 realizowanego równolegle w Instytucie Technologii Elektronowej.
EN
This article presents state of the art of new generation of infrared detectors based on low dimensional solids type II InAs/GaSb superlattices for photovoltaic detectors. This new scientific program has been undertaken in VIGO System S.A. owing to realization of grant 3 PBZ-MNiSW 02/I/2007 supported by the Polish Ministry of Science and Higher Education.
19
Moduły detekcyjne dla telekomunikacji optycznej w otwartej przestrzeni drugiej generacji
Bielecki Z., Brudnowski M., Gawron M., Pawluczyk J., Piotrowski A., Piotrowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 7-8
95-100
PL
Przedstawiono konstrukcję i właściwości szerokopasmowych modułów detekcyjnych przeznaczonych dla otwartych łączy optoelektronicznych drugiej generacji. W modułach tych wykorzystano heterostrukturalne fotodetektory długofalowego (λ ≈ 10 μm) promieniowania podczerwonego, pracujące w temperaturze otoczenia lub chłodzone za pomocą chłodziarek termoelektrycznych. Podstawą konstrukcji fotodetektorów są złożone heterostruktury HgCdTe wytwarzane metodą MOCVD. Dzięki optymalizacji konstrukcji moduły detekcyjne osiągają wykrywalności >1010cmHz1/2/W i stałe czasowe <0,1 ns.
EN
Wide bandwidth IR detector packages for the second generation freespace optical links are reported. The packages are based on long wavelength HgCdTe photodetectors operating at ambient temperatures or cooled with Peltier coolers. Due to advanced architecture the devices are characterized by >1010cmHz1/2/W detectivities and <0.1 ns time constants.
20
Badania wzrostu HgCdTe metodą MOCVD w laboratorium VIGO/WAT
Gawron W., Grudzień M., Kłos K., Piotrowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2006
|
Vol. 47, nr 3
14-19
PL
Od 2003 r. w laboratorium VIGO/WAT prowadzono badania nad wzrostem heterostruktur Hg1-xCdxTe o niemal dowolnych profilach składu i poziomie domieszkowania, niezbędnych dla zaawansowanych przyrządów fotoelektrycznych. MOCVD w zastosowaniu do Hg1-xCdxTe jest jedną znajtrudniejszych technologii epitaksjalnych. Omówiono zagadnienia związane ze wzrostem i charakteryzacją warstw Hg1-xCdxTe w technologii MOCVD. Dokonano pomiarów insitu względnego stężenia związków metaloorganicznych analizatorem gazu własnej konstrukcji. Podsumowano stan domieszkowania warstw Hg1-xCdxTe z uwzględnieniem ostatnich badań. Opracowana technologia MOCVD została zastosowana do otrzymywania wszystkich typów produkowanych w VIGO System detektorów podczerwieni pracujących w temperaturach pokojowych.
EN
Since 2003 VIGO System S.A. together with MUT (Military University of Technology) are doing joint efforts to improve MOCVD growth of Hg1-xCdxTe. Photodetectors optimized for any wavelength within 1-15 um spectral range requires complex heterostructures with multiple layers with homogeneous composition and doping, characterized by steep interfaces. Hg1-xCdxTe growth with interdiffused multilayer process (IMP) technique has been improved using self-made in-situ monitoring of gas delivery to the growth zone. The other issues addressed in this work were growth of heavy As-doped low-x and heavy l-doped high-x materials. Special modification to IMP process has been applied for in-situ control of stoichiometry. To maintain low vacancy concentration, special growth finish procedure has been developed. No post-growth thermal anneal was necessary for device-quality material. The MOCVD grown heterostructures have been successfully used for advanced uncooled infrared photodetectors such as multiple heterojunction photodiodes, multicolor and multiabsorber devices with specially shaped spectral response.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.