PL
 |
EN
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
  1. 28 Inżynieria Materiałowa
  2. 28 Materials Engineering
  3. 25 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
  4. 17 Przegląd Elektrotechniczny
  5. 8 Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering
Więcej...
Autorzy help
  1. 17 Domaradzki J.
  2. 17 Kaczmarek D.
  3. 14 Mazur M.
  4. 14 Wojcieszak D.
  5. 5 Prociów E.
Więcej...
Lata help
  1. 2 2025
  2. 1 2024
  3. 1 2023
  4. 6 2022
  5. 1 2021
Więcej...
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 127

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 7 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  cienka warstwa
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 7 next fast forward last
1
Content available Influence of proton irradiation on CuO thin films properties
Ungeheuer Katarzyna, Bocirnea Amelia Elena, Pikulski Denis Alexander, Marszałek Konstanty W., Galca Aurelian Catalin, Chojenka Juliusz, Fodor Tomas, Vad Kálmán
Przegląd Elektrotechniczny
|
2025
|
R. 101, nr 2
173--176
EN
Copper oxide (CuO) is a semiconductor material used in photovoltaics, sensors, and photocatalysis. In this study, the effect of proton radiation on thin layers of this oxide was investigated to simulate conditions in space. The irradiation did not significantly affect the material’s structural or optical properties. However, the surface resistance of the layers increased, along with the amount of surface adsorbates and the uniformity of the surface changed.
PL
Tlenek miedzi CuO to półprzewodnikowy materiał znajdujący zastosowanie w fotowoltaice, sensorach czy fotokatalizie. W tej pracy został zbadany wpływ promieniowania protonowego na cienkie warstwy tego tlenku, co miało na celu symulację warunków w przestrzeni kosmicznej. Napromieniowanie nie wpłynęło znacząco na właściwości strukturalne i optyczne materiału. Zwiększeniu uległ opór powierzchniowy warstw oraz ilość zanieczyszczeń na powierzchni, a także zmieniła się jej jednorodność.
2
Content available Analiza rozrzutu parametrów struktur magnetorezystancyjnych otrzymywanych metodą rozpylania magnetronowego
Kisała Jakub, Kociubiński Andrzej
Przegląd Elektrotechniczny
|
2025
|
R. 101, nr 2
292--295
PL
W niniejszej pracy zastosowano metodę rozpylania magnetronowego do wytworzenia wielowarstwowych cienkich warstw przy użyciu chromu, permaloju i miedzi o różnej liczbie warstw. Pomiary rezystancji wykazały, że grubość otrzymanych warstw zależy od położenia podłoży na podstawie obrotowej. Uzyskiwane wartości współczynnika magnetorezystancji są większe dla struktur znajdujących się bliżej środka podstawy. Rozrzut parametrów wytworzonych struktur jest duży w ramach jednej serii struktur co stanowi wyzwanie w przypadku projektowania struktur o grubościach warstw rzędu nanometrów.
EN
In this work, magnetron sputtering method was used to produce multilayer thin-films using chromium, permalloy and copper with different numbers of layers. Resistivity measurements showed that the thickness of the obtained layers depends on the location of the substrate on the sputtering plate. The obtained magnetoresistance values are higher for structures closer to the center of the mounting plate. The variation in the parameters of the fabricated structures is wide within a single series of structures, which is a problem when designing structures with layer thickness requirements on the order of nanometers.
3
Content available Experimental investigation of graphene-based sensor for exhaled breath performances
Shamsudin Nur Hazahsha, Nazri Muhammad Hidri bin, Chachuli Siti Amaniah Mohd, Junos Siti Aisah Mat, Sulaiman Mohamad Fani, Razali Mashitah Che, Mohd Ali Nursabillilah, Isa Siti Sarah Mat
Przegląd Elektrotechniczny
|
2024
|
R. 100, nr 9
151--155
EN
Exhaled breath analysis is a burgeoning research field, with a focus on the capabilities of a groundbreaking graphene-based breath sensor for disease detection. The study aims to unveil the sensor's potential as a non-invasive tool for diagnosing various health conditions by examining exhaled breath constituents. The methodology involves meticulous preparation of a graphene solution, deposition onto a silver paste electrode using a precise drop-casting method, and a critical 30-minute thermal annealing process. Characterization through Scanning Electron Microscopy (SEM) provides insights into the sensor's surface, while current-voltage (I-V) analysis explores its electrical behaviour. Discernible responses underscore the sensor's efficacy in detecting breath constituents, with impressive performance metrics, including response and recovery times, enhancing its credibility. The experimental findings affirm the commendable sensing capabilities of the graphene-based breath sensor, emphasizing its potential as a reliable tool in disease detection and contributing to the evolution of non-invasive medical technologies.
PL
Analiza wydychanego powietrza to rozwijająca się dziedzina badań, skupiająca się na możliwościach przełomowego czujnika oddechu na bazie grafenu do wykrywania chorób. Celem badania jest odkrycie potencjału czujnika jako nieinwazyjnego narzędzia do diagnozowania różnych schorzeń poprzez badanie składników wydychanego powietrza. Metodologia obejmuje skrupulatne przygotowanie roztworu grafenu, osadzenie go na elektrodzie z pasty srebrnej przy użyciu precyzyjnej metody odlewania kroplowego oraz krytyczny 30-minutowy proces wyżarzania termicznego. Charakterystyka za pomocą skaningowej mikroskopii elektronowej (SEM) zapewnia wgląd w powierzchnię czujnika, natomiast analiza IV-V bada jego zachowanie elektryczne. Wyraźne reakcje podkreślają skuteczność czujnika w wykrywaniu składników oddechu, a imponujące wskaźniki wydajności, w tym czas reakcji i regeneracji, zwiększają jego wiarygodność. Wyniki eksperymentów potwierdzają godne pochwały możliwości wykrywania czujnika oddechu na bazie grafenu, podkreślając jego potencjał jako niezawodnego narzędzia do wykrywania chorób i przyczyniając się do ewolucji nieinwazyjnych technologii medycznych.
4
Content available Wyniki badań odpowiedzi gazochromowej na wodór cienkich warstw WO₃ naniesionych za pomocą parowania wiązką elektronową
Weichbrodt Wiktoria, Mazur Michał
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
|
2023
|
Vol. 72, nr 4
91--100
PL
Wśród materiałów chromowych dużym zainteresowaniem cieszy się trójtlenek wolframu (WO₃ ). Jest to bezbarwny półprzewodnik charakteryzujący się brakiem toksyczności oraz wysoką stabilnością chemiczną. WO₃ wykazuje właściwości gazochromowe, co oznacza, że materiał ulega odwracalnym zmianom właściwości optycznych pod wpływem gazu. te właściwości sprawiają, że trójtlenek wolframu jest odpowiednim materiałem do zastosowań czujnikowych. W pracy przedstawiono wyniki badań właściwości strukturalnych i optycznych cienkich warstw trójtlenku wolframu wytworzonych metodą parowania wiązką elektronową i wygrzewanych w temperaturze od 400 do 800°C. Właściwości optyczne, w tym również właściwości gazochromowe, określono na podstawie widm transmisji światła w atmosferze zawierającej wodór o stężeniu od 50 do 500 ppm. Badano właściwości optyczne warstw WO₃ zarówno z naniesioną warstwą katalizatora w postaci palladu, jak i bez tej warstwy. Wygrzewanie próbek w temperaturze powyżej 400°C spowodowało krystalizację warstw, a dalsza modyfikacja poprocesowa w temperaturze 800°C spowodowała sublimację warstwy, stworzenie wysp krystalicznych ziaren o dużych rozmiarach oraz znaczne pogorszenie właściwości optycznych. Zmiana współczynnika transmisji światła nastąpiła we wszystkich próbkach z naniesioną warstwą katalizatora po ekspozycji warstw na wodór. Na podstawie zaprezentowanych wyników badań stwierdzono, że najlepszymi właściwościami gazochromowymi charakteryzują się warstwy wygrzewane w temperaturze 400°C, ponieważ wykazują największą zmianę transmisji światła pod wpływem wodoru. W pracy potwierdzono możliwość poprawy odpowiedzi gazochromowej cienkich warstw trójtlenku wolframu wytworzonych metodą parowania wiązką elektronową za pomocą wygrzewania, co zgodnie z bieżącą wiedzą nie zostało wcześniej osiągnięte.
EN
Among chromogenic materials, tungsten trioxide (WO₃) is of great interest. it is a colourless semiconductor characterised by a lack of toxicity and high chemical stability. WO₃ exhibits gasochromic properties, meaning that the material undergoes reversible changes in optical properties when it is exposed to gas. These properties make tungsten oxide a suitable material for sensing applications. This paper presents the results of an analysis of the surface, structural and optical properties of tungsten oxide thin films fabricated by electron beam evaporation and annealed at 400°C to 800°C. optical properties, including gasochromic properties, were determined from light transmission spectra in an atmosphere containing hydrogen at the concentrations ranging from 50 ppm to 500 ppm. The optical properties of WO₃ films without and with a palladium catalyst layer are applied. annealing the samples at temperatures above 400°C resulted in crystallisation of the layers, and further post-process modification at 800°C led to sublimation, the formation of islands of crystalline grains of large size and a significant deterioration in optical properties. a change in the light transmission coefficient occurred for all samples with the catalyst layer applied after the introduction of a hydrogen-argon mixture. Based on the results, it can be concluded that the layers annealed at 400°C had the best gasochromic properties due to the greatest changes in light transmission under hydrogen. The study confirms that it is possible to improve the gasochromic response of tungsten trioxide thin films produced by electron beam evaporation using thermal modification, which, to the best of current knowledge, has not previously been achieved.
5
Content available Modification of semiconducting copper oxide thin films using ion implantation
Ungeheuer Katarzyna, Marszalek Konstanty, Mitura-Nowak marzena, Kakol Zbigniew
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 9
255--258
EN
The article describes method of Cr+ ion implantation with energy of 10 keV and 15 keV. This method can be used to modify thin film semiconductors. Simulations of implantation process were performed using the Stopping and Range of Ions in Matter software, taking into account different energies of the ion beam. The apparatus diagrams of ion implantation and magnetron sputtering processes are presented. Optical and structural properties of non-implanted and implanted Cu4O3 and CuO films were studied.
PL
W artykule opisana została metoda implantacji jonami Cr+ o energii 10 keV i 15 keV, która może być stosowana do modyfikacji cienkich warstw półprzewodnikowych. Wykonano symulacje procesu implantacji z wykorzystaniem programu Stopping and Range of Ions in Matter uwzględniając różne energie wiązki jonów. Przedstawiono schematy aparatury implantatora oraz układu do rozpylania magnetronowego cienkich warstw. Optyczne i strukturalne właściwości nieimplantowanych i zaimplantowanych warstw Cu4O3 i CuO zostały zbadane.
6
Content available Hall effect test bench for temperature dependence of carrier concentration
Dyndał Katarzyna, Sobków Zbigniew, Sanetra Jerzy, Marszałek Konstanty W.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 9
231--234
EN
This paper presents an integrated bench for Hall effect measurements consisting of a helium cryostat placed between the electromagnet poles with a field of 0.5 T and a control and measurement system, as well as control algorithm for different operating modes. The results of measurements of majority carrier concentration by van der Pauw method in the temperature range 165 K - 300 K for indium tin oxide (ITO).
PL
W artykule przedstawiono zintegrowane stanowisko do pomiaru efektu Hall’a składające się z helowego kriostatu umieszczonego między nabiegunnikami elektromagnesu o polu 0,5 T oraz systemu kontrolno-pomiarowego, a także algorytmu sterowania dla różnych modów pracy. Zaprezentowano wyniki pomiarów koncentracji nośników większościowych metodą van der Pauw’a w zakresie temperatur od 165 K do 300 K dla warstw tlenku indowo-cynowego (ITO).
7
Content available Deposition of Thin (Ti,Si)N reflecive layers on textiles substrates
Gielzecki Jan, Mania Ryszard, Marszalek Konstanty, Wolanski Robert
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 9
235--238
EN
This paper describes the structure of the device and the method of applying thin (Ti,Si)N layers used as infrared radiation reflectors on fabrics. Ion magnetron sputtering at an average frequency MF (80 kHz) was used as the deposition method. Fabrics covered with thin layers are used for the production of clothes and elements of personal protective equipment dedicated to employees (emergency services, armed forces, metallurgy, mining and others) performing tasks in a hot microclimate environment.
PL
W artykule opisano budowę urządzenia oraz sposób nakładania na tkaniny cienkich warstw (Ti,Si)N stosowanych jako reflektory promieniowania podczerwonego. Jako metodę osadzania zastosowano magnetronowe rozpylanie jonowe o średniej częstotliwości MF (80 kHz). Tkaniny pokryte cienkimi warstwami wykorzystywane są do produkcji odzieży oraz elementów środków ochrony indywidualnej dedykowanych pracownikom (służby ratunkowe, siły zbrojne, hutnictwo, górnictwo i inne) wykonującym zadania w gorącym mikroklimacie.
8
Content available Comparison of Field Effect Transistor with C-nPd gate and resistive C-nPd film sensing properties toward hydrogen
Krawczyk Sławomir, Czerwosz Elżbieta, Wronka Halina, Firek Piotr, Sochacki Mariusz, Szmidt Jan
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 9
311--313
EN
As a result of the implementation of the POIG project (UDI-POiG.01.03.01-14-071/08-00), the research network Łukasiewicz, the Teleand Radio Institute and the Warsaw University of Technology, developed resistance hydrogen sensors using changes in nanocomposite resistance. Carbon-Palladium films (C-nPd) were obtained by PVD method, followed by transistor sensors (FET) with a gate covered with a previously developed nanocomposite C-nPd film. In this article, we show differences in a sensing properties and reaction of discussed resistance for the transistor sensors with a C-nPd film and resistive sensors built of C-nPd film deposited on ceramic substrate. For both types of sensors we performed sensing characterization in a research set-up prepared especially for this purpose during the implementation of the project. We found that transistor sensor is much more sensitive toward hydrogen than resistive sensor.
PL
W wyniku realizacji projektu POIG (UDA-POIG.01.03.01-14-071/08-00) realizowanego w latach 2009-2015 . Sieć Badawcza Łukasiewicz Instytut Tele- i Radiotechniczny oraz Politechnika Warszawską opracowały oporowe sensory wodoru wykorzystujący zmiany rezystancji nanokompozytowych warstw węglowo-palladowych (C-nPd) otrzymywanych metodą PVD, a następnie sensory tranzystorowe (FET) z bramką wykonaną z opracowanej wcześniej nanokompozytowej warstwy C-nPd. W tym artykule zostały pokazane różnice we właściwościach sensorycznych i ich reakcjach na wodór dla obu typów sensorów tranzystorowego i oporowego w postaci warstwy C-nPd osadzonej na podłożu ceramicznym. Dla obu typów sensorów badania sensorowe były prowadzone na specjalnie do tego celu zbudowanym stanowisku badawczym.
9
Content available Badania wpływu grubości warstwy miedzi na efekt gigantycznego magnetooporu w cienkowarstwowych strukturach NiFe/Cu/NiFe
Kisała Jakub, Kociubiński Andrzej, Czarnacka Karolina, Gęca Mateusz, Duk Jakub
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 9
199--201
PL
W pracy opisane zostały podstawowe informacje dotyczące zjawiska gigantycznego magnetooporu, jak i struktur, w których zjawisko to jest obserwowalne. Przedstawiona została sekwencja technologiczna cienkich struktur NiFe/Cu/NiFe wykonanych metodą rozpylania magnetronowego. Dwie prezentowane serie struktur różnią się zastosowaną grubością warstwy niemagnetycznej miedzi wynoszącą 5 nm oraz 2,5 nm. Wykonane zostały pomiary rezystancji stałoprądowej struktur obu serii w stałym polu magnetycznym o wartości 0,5 T. Porównanie otrzymanych wyników pozwala stwierdzić, że zmiany rezystancji struktury w ramach zjawiska gigantycznego magnetooporu są większe dla przyrządu o mniejszej grubości warstwy miedzi.
EN
This paper describes the basic information about the phenomenon of giant magnetoresistance as well as the structures exhibiting in which this phenomenon is observable. The technological sequence of NiFe/Cu/NiFe thin structures fabricated by magnetron sputtering is presented. The two series of structures presented differ in the thickness of the non-magnetic copper layer used being 5 nm and at 2,5nm. Measurements of the DC resistance of the structures of both series in a constant magnetic field of 0.5 T were performed. Comparison of the obtained results allows us to conclude that the changes of the structure resistance under the giant magnetoresistance phenomenon are larger for smaller thickness of the copper layer.
10
Content available Wpływ wygrzewania na właściwości sensorowe powłok TiOx wytworzonych metodą rozpylania magnetronowego
Kapuścik Paulina, Mańkowska Ewa, Wojcieszak Damian
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
|
2022
|
Vol. 71, nr 2
27--39
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań wpływu temperatury wygrzewania na właściwości optyczne, a także morfologii powierzchni cienkich warstw niestechiometrycznych tlenków tytanu (TiO x). Zostały one powiązane z wynikami badań odpowiedzi sensorowej warstw na obecność H₂. Próbki wytworzono metodą rozpylania magnetronowego w atmosferze Ar:O₂ o małej zawartości tlenu (20% oraz 30%). im większa była ilość tlenu w mieszaninie gazowej podawanej do komory próżniowej, tym niższa szybkość osadzania powłok. Badania wykonane za pomocą profilometru optycznego wykazały, że grubość obu serii naniesionych warstw wynosiła odpowiednio 600 nm i 200 nm. Powłoki te następnie wygrzewano w powietrzu w temperaturze od 100°C do 800°C. w ramach badań określono również ich chropowatość. aby ocenić właściwości optyczne powłok, zmierzone zostały charakterystyki transmisji oraz odbicia światła, na podstawie których wyznaczono takie parametry jak współczynnik transmisji, położenie krawędzi optycznej absorpcji oraz szerokość optycznej przerwy energetycznej w funkcji temperatury wygrzewania warstw. Z kolei właściwości sensorowe powłok określono na podstawie zmian rezystancji w odpowiedzi na pobudzenie w postaci mieszaniny Ar:3,5%H₂. Stwierdzono, że stopień utlenienia warstw ma kluczowy wpływ nie tylko na szybkość odpowiedzi warstwy TiOx, lecz także na sam charakter tej odpowiedzi.
EN
This work describes the influence of the annealing temperature on the optical and surface properties of nonstoichiometric titanium oxide (TiOx ) thin films. The results were related to the investigation of the sensing response toward H₂ gas. The samples were prepared by the magnetron sputtering method using Ar:O₂ plasma with low oxygen content (20% and 30%). an increase in the amount of oxygen in the gas mixture supplied to the magnetron led to a decrease in the deposition rate. The thickness of the deposited thin films, determined by the use of an optical profiler, was found to be 600 nm and 200 nm, respectively. The coatings were then annealed in an ambient air atmosphere at a temperature in the range from 100°C to 800°C. additionally, the roughness of the coating surface was measured. To investigate the optical properties of the thin films, transmission and reflection spectra were measured, and parameters such as transmission coefficient, cutoff wavelength value, and optical band gap value were determined as functions of the annealing temperature. The sensing properties of the thin films were characterised on the basis of changes in a resistance value as a response to a mix of Ar:3.5% H₂. it was found that the oxidation of the thin films has a key influence not only on the response time of the TiOx thin films, but also on the character of the response.
11
Content available Ellipsometry based spectroscopic complex for rapid assessment of the Bi2Te3-xSexthin films composition
Kovalev Vladimir, Uvaysov Saygid, Bogucki Marcin
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
|
2021
|
T. 11, nr 4
67--74
EN
A comparative analysis of the current state and development of spectral ellipsometry (SE) is carried out, the main limitations typical of popular configurations of measuring devices are determined. An original technical solution is proposed that allows one to create a two-source SE that implements the ellipsometry method with switching orthogonal polarization states. The measuring setup provides high precision of measurements of ellipsometric parameters Ψand Δin the spectral range of 270–2200 nm and the speed determined by the characteristics of pulsed sources with a simple ellipsometer design.As objects for experimental researches, confirming the efficiency and high precision qualities of the fabricated SE, we used a GaAs/ZnS-quarter-wave device for a CO2laser and SiO2on Si calibration plates. The optical properties of Bi2Te3-xSexfilms were investigated in the range of 270–1000 nm using a multi-angle SE. It was shown that the optical properties of Bi2Te3-xSexfilms monotonically change depending on the ratio of selenium and tellurium.
PL
W artykule najpierw dokonano analizy porównawczej obecnego stanu rozwoju elipsometriispektroskopowej oraz określono główne ograniczenia typowe dla popularnych konfiguracji urządzeń pomiarowych. Zaproponowano oryginalne rozwiązanie techniczne pozwalające na stworzenie dwuźródłowego elipsometu spektroskopowego z przełączaniem ortogonalnych stanów polaryzacji. Układ pomiarowy zapewnia wysoką precyzję pomiarów parametrów elipsometrycznych Ψ i Δ w zakresie spektralnym 270–2200 nm i prędkości wyznaczonej przez charakterystyki źródeł impulsowych przy prostej konstrukcji elipsometru. Jako obiekty do badań eksperymentalnych potwierdzających wydajność i wysoką precyzję proponowanego elipsometu spektroskopowego, wykorzystano ćwierćfalowy przyrząd GaAs/ZnS dla lasera CO2oraz płytki kalibracyjne SiO2na krzemie. Właściwości optyczne warstw Bi2Te3-xSexzbadano w zakresie 270–1000 nm przy użyciu wielokątowego elipsometu spektroskopowego. Wykazano, że właściwości optyczne cienkich warstw Bi2Te3-xSexzmieniają się monotonicznie w zależności od stosunku zawartości selenu i telluru.
12
Content available Real-time monitoring of cell cultures with nickel comb capacitors
Kociubiński Andrzej, Zarzeczny Dawid, Szypulski Maciej, Wilczyńska Aleksandra, Pigoń Dominika, Małecka-Massalska Teresa, Prendecka Monika
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
|
2020
|
T. 10, nr 2
32--35
EN
The aim of the study was to present a method for assessing the condition of cell culture by measuring the impedance of cells cultured in the presence of nickel. For this purpose, an impedance measurement technique using nickel comb capacitors was used. The capacitor electrodes were made using a thin film magnetron sputtering. In the experimental part, the culture of cells of mouse fibroblasts on the prepared substrate was performed. The cell culture lasted 43 hours and showed that the presented technique allows it to be used to analyze the effect of nickel on cells.
PL
Celem pracy było przedstawienie metody oceny stanu hodowli komórkowej poprzez pomiar impedancji komórek hodowanych w obecności niklu. W tym celu zastosowano technikę pomiaru impedancji z wykorzystaniem niklowych kondensatorów grzebieniowych. Cienkowarstwowe elektrody kondensatora wykonano metodą rozpylania magnetronowego. W części eksperymentalnej przeprowadzono hodowlę komórek mysich fibroblastów na przygotowanym podłożu. Hodowla komórkowa trwała 43 godziny i wykazała, że przedstawiona technika mogłaby być zastosowana do analizy wpływu niklu na komórki.
13
Właściwości optyczne i elektryczne powłok (TiCo)Ox o różnym składzie materiałowym, wytwarzanych metodą rozpylania magnetronowego
Pokora Patrycja, Gawęda Berenika, Wojcieszak Damian
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2020
|
Vol. 61, nr 10
13--16
PL
Wne oraz elektryczne cienkich warstw na bazie dwutlenku tytanu w powiązaniu z ich składem oraz strukturą. Powłoki otrzymano rozpylając targety Ti-Co o różnej zawartości tytanu i kobaltu wynoszącej: 1) 95% at. Ti oraz 5% at. Co, 2) 85% at. Ti oraz 15% at. Co, 3) 50% at. Ti oraz 50% at. Co. Analiza właściwości optycznych powłok tlenkowych, pokazała, że charakteryzowały się one dużą przeźroczystością tj. 59% ÷ 78%. Położenie krawędzi optycznej absorpcji lcutoff rosło z 279 nm do 289 nm wraz ze wzrostem ilości Co w targecie. Optyczna przerwa energetyczna dla cienkich warstw była w zakresie od 3,13 eV do 1,93 eV. Analiza właściwości elektrycznych pokazała, że rezystywność powłok była na poziomie 108Ω•cm.
EN
The aim concern the influence of cobalt on selected optical and electrical properties of thin films based on titanium dioxide in relation to their composition and structure. The coatings were obtained by sputtering Ti-Co targets with different titanium and cobalt content, equal to: 1) 95% at. Ti and 5% at. Co, 2) 85% at. Ti and 15% at. Co, 3) 50% at. Ti and 50% at. Co. The analysis of optical properties of oxide coatings showed that they were characterized by high transparency, i.e. 59% ÷ 78%. The position of the optical absorption edge increased from 279 nm to 289 nm as the amount of Co in the target increased. The optical gap for thin films ranged from 3.13 eV to 1.93 eV. The analysis of the electrical properties showed that the resistivity of the coatings was at the level of 108Ω•cm.
14
Content available remote Synthesis and characterization of physical properties of the NiO thin films by various concentrations
Maaoui B., Aoun Y., Benramache S., Nid A., Far R., Touati A.
Advances in Materials Science
|
2020
|
Vol. 20, nr 3(65)
79--87
EN
In this work, nickel oxide was deposited on a glass substrate at by spray deposition technique; the structural, optical and electrical properties were studied at different NiO concentrations (0.05, 0.10 and 0.15 mol.l-1). Polycrystalline NiO films with a cubic structure with a strong (111) preferred orientation were observed at all sprayed films with minimum crystallite size of 11.97 nm was attained of deposited film at 0.1 mol.l-1. However, α-Ni(OH)2 was observed at 0.15 mol.l-1. The NiO thin films have good transparency in the visible region, the band gap energy varies from 3.54 to 376 eV was affected by NiO concentration, it is shown that the NiO thin film prepared at 0.05 mol.l-1 has less disorder with few defects. The NiO film deposited at 0.15 mol.l-1 has the electrical conductivity was 0.169 (Ω.cm)-1.
15
Content available remote Effect of temperature on the properties of nickel sulfide films performed by spray pyrolysis technique
Gahtar A., Benramache S., Zaouche C., Boukacham A., Sayah A.
Advances in Materials Science
|
2020
|
Vol. 20, nr 3(65)
36--51
EN
In this work, we have prepared new materials of the nickel sulfide thin films by using the spray pyrolysis technique for promising co-catalyst to improve the photocatalytic performance or superconductivity. The effect of deposition temperature (523, 573 and 623 K) on structural, optical and electrical properties was investigated. The XRD diffraction shows that the prepared nickel sulfide at 523, 573 and 623 K having an orthorhombic, hexagonal and hexagonal structure, which were Ni3S2, Ni17S18 and NiS2, respectively. The minimum value of crystallite size (45,9 nm) was measured of deposited film at 573K. The thin films prepared at 523 and 573 K have an average transmittance is about 20 %. The prepared Ni1S2 thin film at T=623 K has the lowest calculated optical band gap and Urbach energy. The Ni1S2 thin film also has the best calculated of the refractive index and the extinction coefficient. The FTIR spectrums of the nickel sulfide have various bands such as Ni-S, C-H, O-H, N–H and C-S. The maximum electrical conductivity is 4,29x105 (Ω.cm)-1 was obtained at 573K of the Ni17S18. The nickel sulfide thin films sprayed at 573K have good structural, optical and electrical properties.
16
Content available Wpływ struktury na właściwości elektryczne i optyczne cienkich warstw na bazie tlenków Ti i Hf
Obstarczyk Agata, Kaczmarek Danuta, Mazur Michał, Domaradzki Jarosław, Wojcieszak Damian
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 9
111--114
PL
Celem niniejszej pracy było wytworzenie nanokrystalicznych oraz amorficznych cienkich warstw na bazie mieszaniny tlenków Ti i Hf metodą rozpylania magnetronowego. W ramach pracy przeprowadzono również szczegółową analizę wpływu struktury wybranych warstw na ich właściwości elektryczne takie jak gęstość prądu upływu oraz względna przenikalność elektryczna, a także właściwości optyczne w tym współczynnik ekstynkcji światła.
EN
The aim of this work was to prepare nanocrystalline and amorphous thin films based on a mixture of Hf and Ti oxides by magnetron sputtering. As a part of work, the detailed analysis of the impact of the thin films structure on their electrical properties such as leakage current density and dielectric constant and optical properties like extinction coefficient was carried out.
17
Analiza efektu przełączania rezystancji w strukturach cienkowarstwowych z różnym profilem składu materiałowego
Kotwica Tomasz, Domaradzki Jarosław, Kaczmarek Danuta, Rogala Jacek, Strzyżewski Maciej
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2019
|
Vol. 60, nr 7
14--17
PL
Niniejsza praca przedstawia wyniki badań elektrycznych oraz strukturalnych cienkich warstw (Ti-Cu)Ox wytworzonych metodą rozpylania magnetronowego z zaprogramowanym profilem rozkładu pierwiastków. Wytworzenie cienkich warstw zaplanowano tak, aby uzyskać gradientową zmianę koncentracji miedzi w funkcji grubości osadzonej warstwy o zadanym kształcie. Analiza składu materiałowego wykazała, że wytworzone warstwy posiadały podobny skład materiałowy wynoszący odpowiednio (Ti52Cu48)Ox oraz (Ti48Cu52)Ox oraz posiadały zadany kształt profilu rozkładu miedzi. Przeprowadzone analizy przekroi struktur wykonane za pomocą transmisyjnego mikroskopu elektronowego potwierdziły uzyskanie zarówno gradientu rozkładu miedzi o kształcie litery V, jak i gradientu rozkładu miedzi o kształcie litery U w całej objętości cienkiej warstwy. Badania elektryczne wykazały, że mimo podobnego składu materiałowego wytworzonych cienkich warstw, uzyskano różne przebiegi charakterystyk prądowo-napięciowych, a więc możliwe jest sterowanie typem efektu przełączania rezystancji przez zadanie określonego profilu rozkładu pierwiastków w danej strukturze.
EN
The present paper shows the results of electrical properties along with the investigations of the structure of the (Ti-Cu)Ox thin films layers fabricated by the magnetron sputtering. Thin films were prepared in order to achieve gradient change of the cooper concentration in the function of the thickness of the deposited layers with programmed shape of elemental profiles. Analysis of the material compositions showed, that deposited films have similar material composition respectively, (Ti52Cu48)Ox and (Ti48Cu52)Ox with programmed specific shape of the elements gradient profile. Conducted analysis of the films with the help of transmission electron microscope proved the V-shape and the U-shape gradient distribution of the cooper across the thin films. Electrical measurements have shown that despite similar material composition of the fabricated thin films, different waveforms of current-voltage characteristics were obtained, leading to the statement that it is possible to control the type of mechanism of the resistive switching effect by programming a specific distribution profile of elements in a given structure.
18
Content available Thin film hybrid structures perovskite and silicon photovoltaic cells
Kołodziej A., Kołodziej M., Kołodziej T.
Science, Technology and Innovation
|
2018
|
Vol. 2, no. 1
27--30
EN
The world economy needs new breakthrough in the technological and material efficiency and costs in the manufactured solar cells. The authors present new studies on triple junction photo voltaic structures using nano-technological solutions. The system of the amorphous a-Si:H sandwich with the scattered light particles, the plasmonic nano Si in the a-Si:H matrix structure and the silicon-germanium sandwich on the multi ZnO layer electrode- reflector was made and studied in detail.
19
Content available remote Zastosowanie nanosekundowych impulsów laserowych do oceny naprężeń własnych cienkich warstw
Radziejewska J.
Przegląd Spawalnictwa
|
2018
|
R. 90, nr 3
46--49
PL
Przeprowadzono badania naprężeń własnych cienkich warstw metodą Laser Spallation Technnique – LST. Krótkie, nanosekundowe impulsy o dużej energii zostały zastosowane do wywołania delaminacji cienkich warstw a geometria odspojenia do oceny naprężeń własnych. Badania przeprowadzono dla miękkiej i plastycznej warstwy tytanu oraz twardej i kruchej warstwy TiN. Obie warstwy zostały nałożone metodą PVD na podłoże ze stali kwasoodpornej 304. Wartość naprężenia otrzymana metodą LST została zweryfikowana na podstawie badań metodą rentgenowską. Uzyskane wyniki badań wykazały, że krótkie impulsy laserowe o odpowiedniej energii mogą być stosowane do oceny naprężeń własnych w przypadku cienkich warstw o dużej wartości naprężeń ściskających.
EN
The laser spallation technique was applied for measutement of residual stress of thin films. Two films of different properties, ductile and soft Ti, and hard and brittle TiN, were studied. The films were produced on 304 steel substrate by PVD method. The residual stress value obtained by laser spallation technique LST were compared with stress value from X-ray diffraction method. Good agreement of stress values measured by both methods was attained. It was shown that shock wave induced by a nanosecond laser pulse adequately determines properties of PVD thin films on metal substrate.
20
Content available Metoda wyznaczania współczynników załamania na powierzchniach granicznych warstw dielektrycznych z obwiedni charakterystyk odbiciowych
Krasiński P., Tyszkiewicz C., Skolik M., Błaszczyk T.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 8
51--54
PL
W pracy przedstawiana jest nowa metoda wyznaczania wspólczynników załamania na powierzchniach granicznych warstw dielektrycznych z obwiedni ich widm odbciowych. Podawane są proste wzory na współczynniki załamania na powierzchniach granicznych warstwy, które weryfikowane są teoretycznie i eksperymentalnie. Wyliczone prezentowaną metodą współczynniki załamania używane były w obliczeniach widm odbiciowych, które porównywane są z wyjściowymi widmami eksperymentalnymi.
EN
The presentation shows the new method allowing determination of refractive indices at interfaces of dielectric films. The method is basing on the analysis of envelopes of reflectance spectra. In the presentation there are shown theoretical foundations of simple mathematical formulas, describing refractive index values at film interfaces as well as experimental results that postively verified our method. In the first step, values of the refractive index at films interfaces were determined using our method. In the second step, reflectance spectra were calculated using the values of refractive indices obtained in the first step and compared with measured ones
first rewind previous Strona / 7 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.