Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Rozwój techniki laserowej : 2018

Jabczyński Jan K., Romaniuk Ryszard S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2019

|

Vol. 60, nr 1

4--15

PL

Artykuł jest przeglądem prac zaprezentowanych w czasie XII Krajowego Sympozjum Techniki Laserowej STL2018 [1]. Sympozjum Techniki Laserowej jest organizowane od roku 1984 co trzy lata [2-11], obecnie co dwa lata. Sympozja STL2016 i STL2018 były zorganizowane przez Instytut Optoelektroniki Wojskowej Akademii Technicznej, we współpracy z Politechniką Warszawską, Uniwersytetem Warszawskim i Politechniką Wrocławską w Jastarni. STL2018 było zorganizowane dniach 25-27 września 2018 roku. Sympozjum stanowi reprezentatywny portret prac prowadzonych w obszarze techniki laserowej w Polsce. Prace Sympozjum STL są tradycyjnie publikowane w serii wydawniczej Proceedings SPIE [12-23]. Spotkanie naukowo-techniczne zgromadziło ok. 120 uczestników którzy zaprezentowali ponad 100 artykułów badawczych i naukowo-technicznych. Krajowe Sympozjum Techniki Laserowej, organizowane obecnie co 2 lata, jest bardzo dobrym portretem rozwoju techniki laserowej i jej zastosowań w Polsce w laboratoriach uniwersyteckich, instytutach resortowych i rządowych, laboratoriach badawczych firm innowacyjnych itp. Sympozjum STL pokazuje także bieżące projekty techniczne, które są realizowane przez krajowe zespoły badawcze, rozwojowe i przemysłowe. Obszar tematyczny Sympozjum STL jest tradycyjnie podzielony na dwa duże pola – postępy techniki laserowej oraz zastosowania techniki laserowej. Nurty tematyczne Sympozjum obejmują: źródła laserowe dla bliskiej i średniej podczerwieni, lasery pikosekundowe i femtosekundowe, lasery i wzmacniacze światłowodowe, lasery półprzewodnikowe, lasery dużej mocy i ich zastosowania, nowe materiały i komponenty dla techniki laserowej, zastosowania techniki laserowej w inżynierii biomedycznej, przemyśle, inżynierii materiałowej, nano- i mikrotechnologiach oraz metrologii.

EN

The paper is a concise digest of works presented during the XIIth National Symposium on Laser Technology (SLT2018) [1]. The Symposium is organized since 1984 every three years [2-11], now every two years. SLT2016 and STL2018 were organized by The Institute of Optoelectronics, Military University of Technology, Warsaw, with cooperation of Warsaw University of Technology, Warsaw University, and Wrocław University of Technology in Jastarnia, STL2018 was organized on 25-27 September 2018. Symposium is a representative portrait of the laser technology research in Poland. Symposium Proceedings are traditionally published by SPIE [12-21]. The meeting has gathered around 120 participants who presented around 100 research and technical papers. The Symposium, organized now every 2 years is a good portrait of laser technology and laser applications development in Poland at university laboratories, governmental institutes, company R&D laboratories, etc. The SLT also presents the current technical projects under realization by the national research, development and industrial teams. Topical tracks of the Symposium, traditionally divided to two large areas – sources and applications, were: laser sources in near and medium infrared, picosecond and femtosecond lasers, optical fibre lasers and amplifiers, semiconductor lasers, high power and high energy lasers and their applications, new materials and components for laser technology, applications of laser technology in measurements, metrology and science, military applications of laser technology, laser applications in environment protection and remote detection of trace substances, laser applications in medicine and biomedical engineering, laser applications in industry, technologies and material engineering.

2

Materiały i przyrządy optoelektroniczne dla zastosowań w zakresie bliskiej i średniej podczerwieni

Maląg A., Stępień R., Pysz D., Franczyk M., Kujawa I., Podniesiński D., Kisielewski J., Leśniewska-Matys K., Teodorczyk M., Dąbrowska E., Kozłowska A., Pawlak D., Dumiszewska E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2018

|

Vol. 59, nr 3

32--38

PL

Przedstawiono powody rosnącego w ostatnich latach zainteresowania długofalową częścią zakresu optycznego NIR i pasmem MidIR. Opisano wybrane zastosowania cywilne i w sektorze militarnym, ze wskazaniem na korzyści z przesunięcia w kierunku długofalowym w stosunku do rozwiązań dotychczasowych. Przedstawiono opracowania ITME dla optoelektroniki w tym zakresie widma: dotyczące technologii kryształów (aktywnych i nieliniowych), szkieł aktywnych, włókien światłowodowych aktywnych i pasywnych, w szczególności włókien fotonicznych, przyrządów półprzewodnikowych (pomp optycznych) i impulsowych (nanosekundowych) laserów pompowanych optycznie.

EN

The reasons for increasing in recent years interest in the long -wavelength part of optical NIR and in MidIR ranges have been presented. Selected applications, civilian and in the military sect have been described with an indication on the benefits of the shift towards the long-term compared to the current solutions. The works developed in IEMT in the field of optoelectronics of this spectral range, concerning technology of optical crystals (active and nonlinear), optically active glasses, optical (active and passive) fibers, especially photonic fibers, semiconductor devices for optical pumping and pulsed (nanoseconds) solid-state microlasers are presented.

3

Comparison of methods for simulation of the optical properties of VCSELs

Więckowska M., Dems M., Czyszanowski T.

Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology

|

2017

|

Vol. 38

71--80

EN

This paper presents the differences arising from the use of scalar (Effective Frequency Method) and vector (Fourier’s and Bessel’s Admittance Methods) calculation methods in optical analysis of arsenide Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (VCSELs). Discussed results demonstrate that the vector methods are more accurate than the scalar one, but also they are more time consuming. By comparing two vector methods, it can be seen that the Bessel’s Admittance Method allows to obtain similar qualitatively and quantitatively results in a slightly shorter time. The calculations were performed for structures with varied aperture radius and its location in the resonant cavity. Moreover, this paper includes the comparison of calculation results for a structure in which there are layers with gradually changing refractive index, and the structure in which these layers are replaced by a layer with a constant average refractive index.

PL

W niniejszej pracy przedstawiono wyniki obliczeń propagacji emitowanej fali elektromagnetycznej (jej długości i czasu życia fotonów) dla arsenkowego lasera typu VCSEL. Celem pracy jest przedstawienie różnic płynących z zastosowania skalarnych i wektorowych metod obliczeniowych. Omówione wyniki pokazują, iż metody wektorowe są dużo dokładniejsze od metody skalarnej, ale jednocześnie bardziej czasochłonne. Obliczenia przeprowadzono dla struktur różniących się wartością średnicy apertury oraz jej położeniem wzdłuż wnęki rezonansowej. Ponadto metodą skalarną wykonano obliczenia dla struktury, w której występują warstwy o gradientowo zmieniającym się współczynniku załamania, oraz dla struktury, w której warstwy te zastąpiono warstwą pośrednią o stałym współczynniku załamania. Celem pracy jest również pokazanie różnic w wynikach otrzymanych dla powyższych przypadków.

4

Działalność Polskiego Komitetu Optoelektroniki Stowarzyszenia Elektryków Polskich

Woliński W., Romaniuk R.

Maszyny Elektryczne : zeszyty problemowe

|

2017

|

Nr 4 (116)

205--211

PL

Artykuł przedstawia w znacznym skrócie działalność Polskiego Komitetu Optoelektroniki Stowarzyszenia Elektryków Polskich (PKOpto SEP) od momentu jego powstania w roku 1985. Celem artykułu jest zebranie i przypomnienie wybranych danych historycznych dotyczących krajowej optoelektroniki przeżywającej burzliwy rozwój technologiczny w tym okresie. Autorzy artykułu byli obserwatorami, aktywnymi uczestnikami i inicjatorami wielu z tych procesów rozwojowych. PKOpto SEP, jako bardzo ważne i aktywne, opiniotwórcze i inicjatywne ciało społeczne, odegrał istotną rolę w życiu i rozwoju krajowego środowiska naukowo- technicznego optoelektroniki w Polsce, kształceniu ustawicznym kadr zawodowych, integracji lokalnej i otwarciu tego środowiska na współpracę międzynarodową. Wyraźne ślady tej wczesnej, niezwykle aktywnej i pożytecznej działalności Polskiego Komitetu Optoelektroniki obserwowane są w polskim środowisku naukowo- technicznym do dzisiaj. Z ówczesnej działalności Komitetu narodziło się wiele inicjatyw, przedsięwzięć, projektów które trwają do dnia dzisiejszego w postaci ustabilizowanych serii konferencji, zrealizowanych projektów badawczych na rzecz nauki i przemysłu, a także aktywnych społecznych organizacji naukowotechnicznych. We wstępie artykułu zasygnalizowano obszar działalności Komitetu. W dalszej kolejności przedstawiono osoby zaangażowane w jego powstanie. Zespoły robocze Komitetu, w których działało łącznie ponad 200 osób, obejmowały cały obszar optoelektroniki. Komitet podejmował inicjatywy krajowe i międzynarodowe na rzecz środowiska naukowo – technicznego optoelektroniki, angażował się w organizację Krajowych Szkół Optoelektroniki, sympozjów i konferencji, wspierał wydawnictwa zawodowe w obszarze techniki laserowej, zastosowań optoelektroniki w medycynie, telekomunikacji, przemyśle i badaniach naukowych. Artykuł podsumowano krótką refleksją dotyczącą całości dorobku historycznego oraz działalności Komitetu w dniu dzisiejszym i perspektywom w najbliższej przyszłości.

EN

The paper presents, in a concise manner, activities of the Polish Optoelectronics Committee of the Association of Polish Electrical Engineers (PKOpto SEP) since its establishment in 1985. Aim of the paper is to gather and remind chosen historical data concerning Polish optoelectronics experiencing tempestuous technological development during this time period. The authors were insightful observers, active participants and initiators of many of these developments, and among others were founder members of the Committee. PKOpto SEP was then very important and active, centrally located, opinion-forming and action-initiating community body. It played an important role in the life and development of the Polish optoelectronics technical and research communities, recurrent professional education and lifelong learning of experts in optoelectronics, local integration and opening of Polish research community to wide international cooperation. Traces of this early, exceptionally operative Committee activities may be observed in Polish optoelectronics research and technical community till today. These early activities of the Committee gave birth to numerable initiatives, undertakings, projects and programs, out of which some last till today in the form of recognized series of conferences, realized, implemented, and practically applied research projects for science, industry, safety, defense and medicine, but also for active research and technical community and social organizations. Introduction to the paper marks the area of PKOpto activities. Persons involved in Committee establishing are reminded. Working groups of the Committee embraced more than 200 persons and covered the whole area of optoelectronics. PKOpto SEP was undertaking continuously various domestic and international initiatives. It initiated and was engaged in organization of National Optoelectronics Schools, conferences, symposia, supported professional publishing in the area of laser technology, optoelectronics applications in medicine, telecommunications, industry and research. The paper is ended with a short reflection concerning PKOpto activities today and perspectives in the nearest future.

5

Porównanie metod symulacji właściwości optycznych laserów VCSEL

Więckowska M., Dems M., Czyszanowski T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2017

|

Vol. 58, nr 9

37--40

PL

W niniejszej pracy przedstawiono wyniki obliczeń propagacji emitowanej fali elektromagnetycznej (jej długości i czasu życia fotonów) dla arsenkowego lasera typu VCSEL. Celem pracy jest przedstawienie różnic płynących z zastosowania skalarnych i wektorowych metod obliczeniowych. Omówione wyniki pokazują, iż metody wektorowe są dużo dokładniejsze od metody skalarnej, ale jednocześnie bardziej czasochłonne. Obliczenia przeprowadzono dla struktur różniących się wartością średnicy apertury oraz jej położeniem wzdłuż wnęki rezonansowej. Ponadto metodą skalarną wykonano obliczenia dla struktury, w której występują warstwy o gradientowo zmieniającym się współczynniku załamania, oraz dla struktury, w której warstwy te zastąpiono warstwą pośrednią o stałym współczynniku załamania. Celem pracy jest również pokazanie różnic w wynikach otrzymanych dla powyższych przypadków.

EN

This paper includes the results of calculation for arsenic VCSEL laser. The aim of this paper is to present the differences arising from the use of scalar and vector calculation methods. Discussed results demonstrate that the vectorial methods are more accurate than scalar method, but also more time consuming. The calculations were performed for structures of varying the radius of the aperture and its location along the resonant cavity. Moreover, tis paper includes the results of calculations for a structure in which there are layers of the gradually changing refractive index, and the structure in which these layers were replaced by the intermediate layer with a constant refractive index. The aim is also to show the differences in the results obtained for the above cases.

6

Lasery półprzewodnikowe pompowane promieniowaniem słonecznym

Nakwaski W.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2016

|

R. 92, nr 9

141--144

PL

Niniejsza praca jest poświęcona analizie możliwości zastosowania promieniowania słonecznego do pompowania laserów półprzewodnikowych. Spośród wszystkich struktur tych laserów, najbardziej odpowiednie w takim zastosowaniu byłyby pompowane optycznie lasery VECSEL. Przykładów możliwych zastosowań takich laserów jest mnóstwo, jednakże najbardziej obecnie przydatne byłyby one w systemach optycznej łączności, zarówno na Ziemi, jak i w przestrzeni kosmicznej. Natomiast całkiem możliwym, choć nieco futurystycznym zastosowaniem takich laserów byłoby użycie ich do masowego przetwarzania energii promieniowania słonecznego na energię elektryczną.

EN

In the present paper, an analysis of a possible application of the solar radiation for pumping of semiconductor lasers is presented. From among all structures of these lasers, optically pumped VECSEL lasers are the most applicable for such a pumping. There are very many possible applications of such lasers, they could be, however, the most useful in optical communication, both on the Earth or in the space. Besides, quite possible although somewhat futuristic application of such lasers could be in productive systems transferring solar energy into electrical power.

7

Rozwój techniki laserowej w Polsce : 2016

Jabczyński J. K., Romaniuk R. S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2016

|

Vol. 57, nr 11

3--12

PL

Artykuł jest przeglądem prac zaprezentowanych w czasie XI Sympozjum Techniki Laserowej STL 2016 [1]. Sympozjum Techniki Laserowej jest cykliczną konferencją naukową organizowaną, co trzy lata od 1984 r. [2–8]. STL 2016, zorganizowane w tym roku przez Instytut Optoelektroniki Wojskowej Akademii technicznej [9] we współpracy z Politechniką Warszawską [10], Uniwersytetem Warszawskim [11] i Politechniką Wrocławską [12], odbyło się w Jastarni w dniach 27–30 września. Sympozjum stanowi reprezentatywny przegląd prac prowadzonych w obszarze techniki laserowej w Polsce. Prace Sympozjum STL są tradycyjnie publikowane w serii wydawniczej Proceedings SPIE od roku 1987 [13–21]. Spotkanie naukowo-techniczne zgromadziło ok. 150 uczestników którzy zaprezentowali ponad 120 artykułów badawczych i naukowo-technicznych. Sympozjum Techniki Laserowej jest miarodajnym obrazem rozwoju techniki laserowej i jej zastosowań w Polsce w laboratoriach uniwersyteckich, instytutach resortowych i rządowych, laboratoriach badawczych firm innowacyjnych, itp. Na konferencji STL prezentowane są także bieżące projekty techniczne, realizowane przez krajowe zespoły naukowe, badawcze-wdrożeniowe i przemysłowe. Zakres tematyczny Sympozjum jest tradycyjnie podzielony na dwa duże obszary – postępy techniki laserowej oraz zastosowania techniki laserowej. Nurty tematyczne Sympozjum obejmują: źródła laserowe dla bliskiej i średniej podczerwieni, lasery pikosekundowe i femtosekundowe, lasery i wzmacniacze światłowodowe, lasery półprzewodnikowe, lasery dużej mocy i ich zastosowania, nowe materiały i komponenty dla techniki laserowej, zastosowania techniki laserowej w inżynierii biomedycznej, przemyśle, inżynierii materiałowej, nano- i mikrotechnologiach, oraz metrologii.

EN

The paper is a concise digest of works presented during the XIth Symposium on Laser Technology (SLT 2016) [1]. The Symposium is organized since 1984 every three years [2–8]. SLT 2016 was organized by the Institute of Optoelectronics, Military University of Technology (IOE WAT) [9], Warsaw, in cooperation with Warsaw University of Technology (WUT) [10], Warsaw University [11], and Wrocław University of Technology [12] in Jastarnia on 27-30 September 2016. Symposium is a representative portrait of the laser technology research in Poland. Symposium Proceedings are traditionally published by SPIE [13–21]. The meeting has gathered around 150 participants who presented around 120 research and technical papers. The Symposium, organized every 3 years, is a reliable image of laser technology and laser applications development in Poland at university laboratories, governmental institutes, company R&D laboratories, etc. The SLT also presents the current technical projects under realization by the national research, development and industrial teams. The works of the Symposium, traditionally are divided in two large areas – sources and applications. The main topics of SLT were: laser sources in near and medium infrared, picosecond and femtosecond lasers, optical fiber lasers and amplifiers, semiconductor lasers, high power and high energy lasers and their applications, new materials and components for laser technology, applications of laser technology in mea surements, metrology and science, military applications of laser technology, laser applications in environment protection and remote detection of trace substances, laser applications in medicine and biomedical engineering, laser applications in industry, technologies and material engineering.

8

Kwantowe Lasery Półprzewodnikowe w ITE

Bugajski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2016

|

Vol. 57, nr 8

16--26

PL

W artykule podsumowano ostatnie 25 lat prac badawczych i aplikacyjnych nad laserami półprzewodnikowymi prowadzonych w Zakładzie Fotoniki ITE. Prace te dotyczyły nowej generacji laserów półprzewodnikowych, których działanie opiera się na wykorzystaniu specyficznych zjawisk fizycznych zachodzących w nanostrukturach. Były to prace pionierskie w skali kraju, nawiązujące do aktualnych trendów nauki światowej. Stały się one możliwe dzięki wprowadzeniu do Polski nowych technologii wzrostu struktur półprzewodnikowych, nowych sposobów finansowania prac badawczych i szerokiemu otwarciu na współpracę międzynarodową.

EN

The paper summarizes the last 25 years of research and application works on semiconductor lasers carried at the Department of Photonics at the Institute of Electron Technology. The research dealt with a new generation of semiconductor lasers which operations is based on quantum effects in nanostructures. These were pioneering works in Poland, following actual trends in world science and technology. Their realization became possible due to the advent of new technologies of the growth of semiconductor structures, introduction of new instruments of funding research and opening for international cooperation.

9

Technologia i Zastosowania Laserów 2012

Gajda J., Romaniuk R. S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 11

115-121

PL

Wyniki badań i osiągnięcia techniczne w zakresie laserów są podsumowywane co trzy lata w czasie Krajowego Sympozjum Techniki Laserowej STL, organizowanego od prawie trzydziestu lat w Świnoujściu we wrześniu przez WAT, PW i ZUT. Artykuł przedstawia przegląd prac prezentowanych i dyskutowanych na STL. Pokazano tendencje rozwojowe materiałów laserowych i technologii oraz dziedzin związanych z techniką laserową i optoelektroniką w kraju, włączając w to wysiłki środowiska akademickiego, instytutów PAN i resortowych, oraz przemysłowych ośrodków badawczych. Obok rozwoju laserów, druga część STL jest poświęcona zastosowaniom laserów, gdzie operatorzy systemów laserowych przedstawiają własne osiągnięcia aplikacyjne. Przedstawiono zakresy tematyczne sesji STL oraz plenarne referaty zaproszone wygłoszone przez kluczowych reprezentantów przemysłu laserowego.

EN

The research and technical achievements in the area of lasers are summarized every three years by the National Symposium on Laser Technology held in the Baltic See Resort Świnoujście near Szczecin, Poland. The paper presents a preview of the symposium works to be shown and debated during this key event in September 2012. There are shown development tendencies of laser materials and technologies and laser associated branches of optoelectronics in this country, including the efforts of academia, governmental institutes, research businesses and industry. The second branch of the symposium works are laser applications, where the laser systems operators and laser users present their achievements. Topical tracks of the meeting are presented, as well as the keynote and invited subjects delivered by key representatives of the laser industry.

10

Granice widma promieniowania laserów półprzewodnikowych : résumé po 50 latach rozwoju ich technologii

Mroziewicz B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 10

81-90

PL

Lasery półprzewodnikowe powstały 50 lat temu i od tego czasu głęboko wpisały się w wiele dziedzin naszej techniki, a od pewnego czasu również medycyny. Złożyły się na to liczne ich zalety, a jedną z nich jest wyjątkowa możliwość uzyskania generacji promieniowania w paśmie częstotliwości rozciągającym się od ultrafioletu do teraherców. Cecha ta wynika bezpośrednio z faktu, że wytwarzane są z połprzewodników, a te przez swoją różnorodność i specyficzne właściwości fizyczne pozwalają na wzbudzenie akcji laserowej na zadanej długości fali. Niestety i w tym względzie występują pewne ograniczenia, które uwidaczniają się w postaci luk w widmie ich promieniowania oraz dolnej i górnej granicy długości emitowanych przez nie fal. Zagadnienia te będą tematem niniejszego résumé.

EN

Semiconductor lasers have been around for 50 years and have deeply affected many domains in our technical environment not to mention medicine. This position they owe to many advantages but perhaps the most important one is that their emission covers a very wide spectral range extending from UV to terahertz frequencies This feature results directly from the fact that they are made of semiconductors which because of their variety and specific physical properties make possible to excite laser action at the demanded wavelength. However, there are also some flows in this respect. They appear in form of gaps in the semiconductor laser's emission spectrum and we are also facing limitations in the lower and upper wavelengths range of that spectrum. These topics we will discuss over in the present review.

11

Generacja fal terahercowych z zastosowaniem laserów półprzewodnikowych

Mroziewicz B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 9

132-143

PL

Pasmo częstotliwości terahercowych w widmie promieniowania elektromagnetycznego to ostatni skrawek tego widma dotychczas słabo wykorzystywany w technice. Powodem tego stanu rzeczy są trudności w osiągnięciu fal o częstotliwości terahercowej. Tymczasem technika ta znajduje coraz szersze możliwości aplikacyjne. W artykule omówiono metody generacji fal terahercowych oparte na wykorzystaniu promieniowania emitowanego przez lasery - szczególnie lasery półprzewodnikowe. Znaczną część artykułu poświęcono opisowi zjawisk leżących u podstaw tej techniki z położeniem nacisku na zjawisko mieszania częstotliwości. Szczególną uwagę zwrócono na potencjał tkwiący w kwantowych laserach kaskadowych i laserach dwufalowych, które uważane są za szczególnie perspektywiczne z punktu widzenia budowy generatorów promieniowania terahercowego o znaczącej mocy wyjściowej.

EN

The terahertz frequency band is the last shred of the electromagnetic radiation spectrum that had been left al most unused in practical applications. The situation has been caused by difficulties encountered when trying to generate terahertz wavelengths of meaningful power. However, this technique finds ever increasing applications and has aroused a great interest in its development. In the paper we describe basic phenomena leading to generation of terahertz signals by optical methods. Photo-mixing of laser beams is treated more in detail due to variety of possibilities offered by the method itself and semiconductor lasers in particular. Quantum Cascade Lasers and two-colour external cavity lasers deserve special attention as promising sources of high output power terahertz signals and the state of the art in this field has been therefore enlightened more thoroughly.

12

Development of laser technology in Poland

Gajda J., Romaniuk R. S.

Electronics and Telecommunications Quarterly

|

2009

|

Vol. 55, No 4

683-692

EN

The paper presents chosen development threads of laser technology and associated branches of optoelectronics in this country. An occasion to summarize the work and show their current status is the 50 th anniversary of construction of the first laser. The first laser in Poland was launched successfully in 1969, almost simultaneously at WAT and PW. Domestic achievements in this area are summarized every three years by Symposium on Laser Technology held traditionally in Świnoujscie. The work carried on in Poland concerns technology of laser materials, construction of new lasers and associated equipment as well as laser applications. Many technical teams participate in laser oriented European structural and framework projects.

13

Termograficzne badania mikroskopowe elementów laserów półprzewodnikowych

Bednarek M., Rybiński J.

Zeszyty Naukowe SGSP / Szkoła Główna Służby Pożarniczej

|

2007

|

Nr 35

53--61

PL

Zaprojektowano i wykonano stanowisko pomiarowe do badań mikroskopowych defektów przypowierzchniowych metodą termografii w podczerwieni. Stanowisko umożliwia wykrywanie i identyfikowanie defektów z rozdzielczością przestrzenną 8 m i wykrywanie różnic temperatury o wartości 0,025K. Umożliwia badanie zmian temperatury z częstotliwością próbkowania do ponad 5 kHz. Na stanowisku wykonano badania elementów laserów półprzewodnikowych. Określono miejsca wydzielania ciepła i efektywność jego odprowadzania w tych elementach.

EN

The stand for microscopic testing of near − surface defects, using the thermography method, has been designed and built. The stand makes possible detection and identification of defects with the 8 m special definition as well as detection of temperature differences of 0.025 K value. The stand makes possible testing temperature changes with sampling frequency up to 6 kHz. Testing of semiconductor laser elements have been tested there. The points of heat emission have been defined as well as the efficiency of carrying it away.

14

Injection lasers in metrological applications

Manak I., Wójcik W.

Pomiary Automatyka Kontrola

|

2007

|

R. 53, nr 9 bis

281--284

EN

Opportunities of realization labor and exemplary measuring instrument, based on injection lasers with energy and time parameters, spectrum radiations line width in oscillating mode, power density distribution in beams cross-section of sources with astigmatism regulation are considered.

PL

W pracy omówiono możliwość realizacji laboratoryjnego instrumentu pomiarowego wykorzystującego lasery półprzewodnikowe. Analizowane są przy tym jego parametry energetyczne i czasowe, szerokość linii widmowej, rozkład gęstości mocy dla źródeł z korekcją astygmatyzmu.

15

Lasery półprzewodnikowe wciąż pozostają przedmiotem zainteresowań nauki i przemysłu. Cz. 1, Lasery bipolarne : technologia podąża za potrzebami rynku

Mroziewicz B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 5

30-42

PL

Celem artykułu jest wprowadzenie czytelnika w zagadnienie laserów półprzewodnikowych, postrzegane z perspektywy aktualnych kierunków ich rozwoju. Omówiono w nim ważniejsze aspekty technologii laserów dużej mocy, laserów niebieskich i laserów typu VCSEL oraz rynku na te przyrządy. Przedstawiono nowe perspektywy związane z technologią kropek kwantowych. Całość materiału została uzupełniona krótkimi wykładami wyjaśniającymi zasady działania i budowy omawianych laserów.

EN

The aim of the paper is to acquaint the reader with semiconductor lasers looked at in perspective of their current development and further progress. Topics related to high power lasers, blue-violet lasers and VCSELs, including markets for these devices, are discussed. New features associated with quantum dots are also presented. The contents is supplemented by short lectures on devices in question.

16

Poprawa właściwości półprzewodnikowych laserów z sekcją trapezową

Belka R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2003

|

Vol. 44, nr 5-6

5-8

PL

Badania nad zwiększaniem mocy laserów półprzewodnikowych są prowadzone od wielu lat. Jedną z prostszych i tańszych metod pozwalających na uzyskanie większej mocy wyjściowej jest modyfikacja kształtu obszaru aktywnego lasera poprzez zastosowanie sekcji trapezowej. W artykule przedstawiono strukturę, własności, i parametry tego typu laserów, a także krótki opis zastosowanej techniki symulacyjnej. Zwrócono uwagę na możliwość poprawy jakości niektórych parametrów poprzez zastosowanie ogranicznika wiązki.

EN

The high-power semiconductor lasers have been investigated for many years. Modification of quantum well shape by adding of tapered section is one of cheaper and easier way to obtaining of larger output power in these laser. I this paper the structure, properties and parameters of tapered lasers, as well as short description of simulation model have been presented. Special attention was paid on improvement of beam properties by using of beam spoiler.

17

Półprzewodnikowe lasery telekomunikacyjne. Część I. : Lasery o stałej długości fali

Mroziewicz B.

Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne

|

2002

|

nr 4

215-224

PL

Przedstawiono zasady działania laserów półprzewodnikowych, ich konstrukcję i podstawowe właściwości. Omówiono ważniejsze zagadnienia dotyczące laserów krawędziowych z rezonatorem Fabry-Perota, DBR i DFB oraz laserów VCSEL, pod względem ich zastosowania w łączach światłowodowych jako nadajników sygnałów optycznych.

EN

Physics fundamentals relevant to semiconductor lasers are recalled. Then edge emitting lasers with Fabry-Perot, DBR and DFB cavities, as well as VCSELs, all designed with respect to applications in fibre optic systems, are described.

18

Lasery półprzewodnikowe o przestrajalnej długości fali: perspektywy aplikacji w sieciach optycznych

Mroziewicz B.

Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne

|

2002

|

nr 3

143-147

PL

Omówiono możliwości zwiększania przepływności optycznych sieci telekomunikacyjnych drogą przechodzenia do wyższych szybkości transmisji w systemach ze zwielokrotnieniem czasowym (TDM) lub zmniejszania odstępu między kanałami w systemach ze zwielokrotnieniem falowym (WDM). Na tym tle przedstawiono perspektywy zastosowania przestrajalnych laserów półprzewodnikowych.

EN

Expected increase of data transmission rates in optical networks achieved due to faster TDM or denser WDM systems is discussed to show perspectives for applications of tunable semiconductor lasers in these networks.

19

Zastosowanie laserów półprzewodnikowych w systemach telekomunikacji multimedialnej

Korzec Z., Kacprzak T.

Elektronika : prace naukowe

|

2001

|

nr 6

31-49

PL

Stały wzrost zapotrzebowania na przekazywanie informacji na dowolne odległości, w krótkim czasie, wymusza powstawanie nowych technik ich przetwarzania, wysyłania i odbioru. W ostatnich latach wykorzystanie najnowszych osiągnięć w dziedzinie technologii laserów półprzewodnikowych, w powiązaniu z liniami światłowodowymi i nowymi metodami zwielokrotniania w dziedzinie długości fal, pozwoliło na przenoszenie informacji w liniach światłowodowych zarówno na małe, średnie, jak i duże odległości z niemożliwą do zrealizowania w innych systemach prędkością - rzędu terabitów na sekundę. W artykule omówiony został rozwój laserów półprzewodnikowych i przedstawione zostały ich najnowsze rozwiązania technologiczne.

EN

Recently optical networks are growing at unprecedented rates to satisfy the urgent demands in data traffic, and an associated tremendous bandwidth request made by users, brought on by new telecommunication and multimedia services. Photonics, the technology of using particles of light as information carriers, takes the first place in the telecommunication systems because of the advantage of optical fiber over coper cable for data communication. Optical fibers are capable of carrying data at rates exceeding terabits per second at distances even of thousands of kilometers. Initially, as the main light source light emitty diode was mainly used. But now, as data rates increased, communication system make special demands on optical sources. The light source for optical data transmission must be small, efficient, capable of high speed modulation and must have controllable pattern of emissions in the optimum wavelength windows for silica fiber or in shorter-wavelength ranges for free-space interconnections. These requests can be fulfilled only by semiconductor injection laser. Nowadays this device can be manufactured inexpensively in large volumes and can easily interface with other circuitry, preferably silicon based. It can be diced either individually or in arrays that are easily coupled to optical fibers. This paper reviews recent progress in semiconductor lasers technology with emphasis on their application in optical telecommunication systems. Semiconductor injection lasers were first developed in 1962, but it was not until 1970 that a potentially practical device was demonstrated. The key moment in their development was the invention of the double heterostructure (DH- laser). The most important advantage of the DH laser is that it concentrates carriers in a very small region, thus a carrier density high enough to support laser oscillation can be achieved with a relatively low drive current. The next very important step is development of distributed-feedback laser and vertical-cavity, surface-emitting laser (VCSEL). These low-cost, nearly ideal sources are changing the attitudes tower modern optical communications.

20

Spektralny zakres emisji współczesnych laserów półprzewodnikowych - zagadnienia wybrane

Mroziewicz B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2000

|

Vol. 41, nr 8/9

22-29

PL

Z zasady działania laserów półprzewodnikowych oraz ogromnego bogactwa materiałów, z których te lasery mogą być wytwarzane, wynika możliwość rozciągnięcia widma ich promieniowania na zakres od ultrafioletu do średniej podczerwieni. Co ważniejsze, długość fali generowanej przez laser półprzewodnikowy może być zaprojektowana ściśle do wymagań związanych z konkretnym zastosowaniem. Cechy te, jak również inne zalety laserów półprzewodnikowych, powodują, że lasery yego typu z jednej strony inspirują nowe zastosowania techniki laserowej w wielu dziedzinach naszego życia, z drugiej zaś wypieraja z zastosowań juz ustabilizowane lasery innych typów, jak ma to miejsce np. w medycynie. W niniejszym przegladzie zostaną omówione wybrane zagadnienia z zakresu technologii i fizyki laserów emitujących w osiagalnym obecnie obszarze widmowym od ultrafioletu do średniej podczerwieni. Specjalny nacisk zostanie położony na materiały i lasery emitujące fale najkrótsze i najdłuższe w tym przedziale widma. Dokładniej zostaną przy tym omówione lasery najnowszej generacji, tzw. kaskadowe, o konstrukcji zarówno unipolarnej, jak i biopolarnej.

EN

Ii is the principle of operation of semiconductor lasers and abundance of materials from which they can be produced that enable to extend the range of their emission spectrum from ultraviolet to mid-infrared. What is more, the wavelenght to be emitted can be designed very precisely and according to the requirements set by a particular application. These features, as well as other advantages of semiconductor lasers motivate to implementation of the laser technology in ever new domains of our lives, while at the same time semiconductor laser push out lasers of other types from already established applications. In this review we shall discuss some selcted topics concerning fabrication technology and physics of the lasers that operate in the presently available spectrum range extendong from ultraviolet to mind-infrared. A special attention will be paid to materials and lasers that emit the shortes and longest wavelenghts in this spectral range. More in detail we shall discuss lasers of the newest generation, so called cascade lasers of both unipolar and bipolar type.