Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Zieleń bez ograniczeń

Latkowska M.

Zieleń Miejska

|

2015

|

Nr 4

40--42

PL

Kontakt z naturą to ważny element poprawiający jakość życia mieszkańców miast. Wypoczynek w parku i obcowanie z roślinami wspomaga regenerację psychiki, zmniejsza uczucie zmęczenia i stresu oraz wpływa korzystnie na zdrowie fizyczne użytkowników.

2

Sezon na miejskie ogrody

Latkowska M.

Zieleń Miejska

|

2015

|

Nr 5

43--44

PL

Popularne w wielu krajach europejskich ogrody sąsiedzkie czy wspólnotowe (community gardens) cieszą się coraz większym zainteresowaniem wśród mieszkańców polskich miast.

3

AP-MOVPE Technology and Characterization of InGaAsN p-i-n Subcell for InGaAsN/GaAs Tandem Solar Cell

Dawidowski W., Ściana B., Zborowska-Lindert I., Mikolásek M., Latkowska M., Radziewicz D., Pucicki D., Bielak K., Badura M., Kováč J., Tłaczała M.

International Journal of Electronics and Telecommunications

|

2014

|

Vol. 60, No. 2

151-156

EN

Tandem (two p-n junctions connected by tunnel junction) and multijunction solar cells (MJSCs) based on AIIIBV semiconductor compounds and alloys are the most effective photovoltaic devices. Record efficiency of the MJSCs exceeds 44% under concentrated sunlight. Individual subcells connected in series by tunnel junctions are crucial components of these devices. In this paper we present atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy (AP-MOVPE) of InGaAsN based subcell for InGaAsN/GaAs tandem solar cell. The parameters of epitaxial structure (optical and electrical), fabrication process of the test solar cell devices and current-voltage (J-V) characteristics are presented and discussed.

4

Volkspark – niezwykle przyjazny użytkownikom

Latkowska M.

Zieleń Miejska

|

2013

|

Nr 7-8

23--25

PL

Zieloną wizytówką Poczdamu, przyciągającą rzesze turystów, jest otaczający zamek Sanssouci barokowy park ze spektakularnymi tarasami i fontannami. Natomiast nowoczesny Volkspark to założenie o swobodnym charakterze, przyjazne użytkownikom, spełniające wymogi stawiane parkom XXI w.

5

Influence of the AP MOVPE process conditions on InGaAsN/GaAs MQW MSM photodetectors parameters

Ściana B., Zborowska-Lindert I., Radziewicz D., Pucicki D., Badura M., Dawidowski W., Tłaczała M., Latkowska M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 10

32-35

PL

Stopy półprzewodnikowe AIIIBV z małą zawartością azotu, zwane „rozrzedzonymi azotkami”, są intensywnie badane ze względu na swoje unikalne właściwości i potencjalne zastosowanie w laserach IR i wydajnych wielozłączowych ogniwach słonecznych. Epitaksja (MOVPE lub MBE) tych materiałów jest trudna, proces kontrolowany jest głównie przez temperaturę wzrostu i koncentrację azotu w fazie gazowej. Precyzyjne wyznaczenie składu stopu InGaAsN jest złożone i wymaga zastosowania wielu technik pomiarowych. W pracy opisano technologię i optyczne właściwości niedomieszkowanych studni kwantowych 3×InGaAsN/GaAs otrzymanych metodą epitaksji z fazy gazowej z zastosowaniem związków metaloorganicznych przy ciśnieniu atmosferycznym (AP MOVPE). Testowe struktury epitaksjalne, otrzymane w różnych warunkach, zastosowano jako obszar aktywny fotodetektorów MSM. Omówiono i przeanalizowano wpływ parametrów osadzania na optyczne właściwości struktur MQW oraz ciemne i oświetlone charakterystyki dc I-V fotodetektorów MSM.

EN

AIIIBV semiconductor alloys with small amount of nitrogen, so called dilute nitrides have been extensively studied due to their unusual properties which make them very attractive for IR lasers and very efficient multijunction solar cells. The epitaxial process (MOVPE or MBE) of these materials is very difficult and strongly depends on the growth temperature and the nitrogen concentration inside an epitaxial reactor Additionally, a precise determination of the quaternary InGaAsN alloys composition is complicated and requires applying a lot of examination methods. This work presents the technology and optical properties of undoped triple quantum wells 3×InGaAsN/GaAs grown by atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy (AP MOVPE). Epitaxial test structures obtained at different process conditions are used as the active regions of metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors. The influence of the growth parameters on the optical properties of MQW structures and measured dark and illuminated dc I-V characteristics of MSM detectors is analysed and discussed.

6

Mobilne ogrody Berlina i Hamburga

Latkowska M.

Zieleń Miejska

|

2012

|

Nr 2

14-17

PL

Ruchy community gardening (ogrodnictwo wspólnotowe/sąsiedzkie) i urban gardening (ogrodnictwo miejskie) zostały zainicjowane w USA na przełomie lat 60. i 70. XX w. Obecnie stają się coraz modniejsze w krajach europejskich, doskonale wpisując się w ideę zrównoważonego rozwoju współczesnych miast.

7

Zastosowanie InGaAsN w konstrukcji ogniwa słonecznego p-i-n

Dawidowski W., Ściana B., Zborowska-Lindert I., Pucicki D., Radziewicz D., Bielak K., Latkowska M., Kovac J., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 7

90-92

PL

Wzrost światowego zapotrzebowania na energię elektryczną wymusza rozwój badań w zakresie alternatywnych źródeł energii. Fotowoltaika wydaje się być perspektywicznym i nieszkodliwym dla środowiska sposobem konwersji promieniowania słonecznego na sygnał elektryczny. Obok powszechnych już ogniw i modułów krzemowych aktualnie badane są wysokosprawne, wielozłączowe ogniwa bazujące ma materiałach AIIIBV. W niniejszej pracy przedstawiono wyniki dotyczące zastosowania poczwórnych związków półprzewodnikowych InGaAsN w konstrukcji ogniwa słonecznego p-i-n.

EN

The worldwide increase of electric power consumption forces the development of alternative sources of energy. Photovoltaics seems to be a promising and harmless to the natural environment method of producing electrical power. Besides silicon cells and panels, present researches are focused on high efficiency and multijunction solar cells based on AIIIBV semiconductors. This paper presents the results of application of the new InGaAsN semiconductor compounds in the p-i-n solar cell construction.

8

AP-MOVPE technology of AIIIBV-N heterostructures for photovoltaic applications

Dawidowski W., Ściana B., Pucicki D., Radziewicz D., Serafińczuk J., Latkowska M., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 6

111-113

EN

This paper presents the influence of the AP-MOVPE epitaxial process growth temperature on the optical and structural properties of heterostructures containing InGaAsN quantum wells. The best optical and structural features were observed for MQW structure grown in highest temperature. This structure (sample NI 46) was applied in the test p-i-n solar cell construction. Measured dc I-V characteristics exhibit electrical response under the optical excitation by a discrete laser diode with λ = 980 nm, what confirms the usability of InGaAsN semiconductor compounds in solar cell applications.