Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

The influence of the specifications of the elements of range of exciters voltage inverters on their spectral characteristics

Komada Paweł, Miroshnyk Oleksandr O., Lysychenko Roman M., Shchur Taras G.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2019

|

R. 95, nr 5

83--87

EN

The analysis of the structural scheme of the reflectometric system exciter was carried out. We show that the basic block diagram for the construction of range of the inverter is a single ring exciter digital frequency synthesizer. The mathematical model of range of the inverter exciter provides an analysis of the structural schemes of inverter with pathogen spectral methods. These expressions of the spectral power density of the phase fluctuations allowed to take into account the effect of the circuit elements of the inverter of the pathogen on its spectral characteristics and calculate the dispersion, the average deviation of the phase in the frequency band and the mean square raid exciter output signal phase.

PL

Wykonano analizę schematu strukturalnego wzbudnicy systemu reflektometrycznego. Pokazujemy, że podstawowym schematem blokowym do budowy szeregu inwerterów jest cyfrowy syntezator częstotliwości z pojedynczą pętlą. Matematyczny model szeregu falowników przedstawia analizę schematów strukturalnych falownika za pomocą metod spektralnych patogenu. Te wyrażenia widmowej gęstości mocy fluktuacji fazowych pozwoliły uwzględnić wpływ elementów obwodu falownika patogenu na jego charakterystykę widmową i obliczyć dyspersję, średnie odchylenie fazy w paśmie częstotliwości i rms wzbudnica fazy sygnału wyjściowego.

2

Active Inductor with Feedback Resistor Based Voltage Controlled Oscillator Design for Wireless Applications

Faruqe Omar, Amin Md. Tawfiq

International Journal of Electronics and Telecommunications

|

2019

|

Vol. 65, No. 1

57--64

EN

This paper presents active inductor based VCO design for wireless applications based on analysis of active inductor models (Weng-Kuo Cascode active inductor & Liang Regular Cascode active inductor) with feedback resistor technique. Embedment of feedback resistor results in the increment of inductance as well as the quality factor whereas the values are 125.6@2.4GHz (Liang) and 98.7@3.4GHz (Weng- Kuo). The Weng-Kuo active inductor based VCO shows a tuning frequency of 1.765GHz ~2.430GHz (31.7%), while consuming a power of 2.60 mW and phase noise of -84.15 dBc/Hz@1MHz offset. On the other hand, Liang active inductor based VCO shows a frequency range of 1.897GHz ~2.522GHz (28.28%), while consuming a power of 1.40 mW and phase noise of -80.79 dBc/Hz@1MHz offset. Comparing Figure-of-Merit (FoM), power consumption, output power and stability in performance, designed active inductor based VCOs outperform with the state-of-the-art.

3

A low-jitter, full-differential PLL in 0.18μm CMOS technology

Modarresi F., Ghasemzadeh M., Mazlumi M., Amini A., Abolfathi T.

International Journal of Microelectronics and Computer Science

|

2016

|

Vol. 7, nr 4

119--122

EN

This paper presents a Phase Locked Loop (PLL) which works with minimum jitter in the operation frequency range of 600MHZ to 900MHZ. Utilizing a full differential architecture that consists of several blocks of differential VCO, a differential PFD and a differential CPL leads to limiting the RMS jitter to 4.06ps, with 50mV power supply noise in the frequency range of 750MHz. Simulation results using 0.18μm CMOS TSMC standard technology demonstrate the power-consumption of 4.6mW at the supply voltage of 1.8V.

4

60 GHz Front-End Components for Broadband Wireless Communication in 130 nm CMOS Technology

Kolios V., Giannakidis K., Kalivas G.

Image Processing & Communications

|

2016

|

Vol. 21, no. 1

67--78

EN

The over 5 GHz available spectral space allocated worldwide around the 60 GHz band, is very promising for very high data rate wireless short-range communications. In this article we present two key components for the 60 GHz front-end of a transceiver, in 130 nm RF CMOS technology: a single-balanced mixer with high Conversion Gain (CG), reduced Noise Figure (NF) and low power consumption, and an LC cross-coupled Voltage Controlled Oscillator (VCO) with very good linearity, with respect to Vctrl, and very low Phase Noise (PN). In both circuits, custom designed inductors and a balun structure for the mixer are employed, in order to enhance their performance. The VCO’s inductor achieves an inductance of 198 pH and a quality factor (Q) of 30, at 30 GHz. The balun shows less than 1o Phase Imbalance (PI) and less than 0.2 dB Amplitude Imbalance (AI), from 57 to 66 GHz. The mixer shows a CG greater than 15 dB and a NF lower than 12 dB. In addition, the VCO achieves a Phase Noise lower than -106 dBc/Hz at 1 MHz offset, and shows great linearity for the entire band. Both circuits are biased with a 1.2 V supply voltage and the total power consumption is about 10.6 mW for the mixer and 10.92 mW for the VCO.

5

Sterownik sprzętowy do wielokanałowego ultradźwiękowego systemu wykrywania przeszkód

Gołda A., Kocanda P., Kos A.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2013

|

R. 89, nr 10

100-102

PL

Celem tego artykułu jest zaprezentowanie układu scalonego zaprojektowanego jako element systemu nawigacyjnego dla osób niewidomych w ramach projektu MOBIAN. Jako efekt pracy i konsultacji z niewidomymi powstał prototyp urządzenia nawigacyjnego informującego użytkownika o przeszkodach znajdujących się przed nim. Urządzenie będące pomocą dla niewidomych w poruszaniu się powinno być niewielkie i wygodne. Dlatego też zdecydowano się na zastąpienie elementów dyskretnych części układu wykrywającego przeszkody jednym dedykowanym układem scalonym. Układ ten jest sterownikiem obsługującym przetworniki ultradźwiękowe służące do wykrywania przeszkód. W artykule omówiono budowę sterownika i przedstawiono jego funkcjonalność.

EN

The aim of this paper is to present an integrated circuit designed as element of navigation system for blind people realized as part of MOBIAN project. As an effect of cooperation and consultations with the blind the prototype of navigation device, informing user about obstacles was made. Device that is supposed to be helpful for blind people in moving around ought to be comfortable and of a small size. That is why it was decided to replace discrete elements of obstacle detection circuit with one application scpecific integrated circuit. This IC is a driver for ultrasound transducers used for obstacle detection. In this paper structure and functionality of driver is described.

6

Low-power wide-frequency-range ring oscillator for temperature-controlled oscillator

Frankiewicz M, Kos A

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 12

25-27

EN

The paper describes structure and simulation results of the novel ring oscillator designed in UMC CMOS 0.18 μm (1.8 V) which is a part of power management system including Temperature-Controlled Oscillator. Frequency generated by the oscillator is tuned by scaling the supply voltage, additionally ring length is digitally controlled. Presented ring oscillator has very wide tuning range (250 MHz–2.1 GHz) with small current consumption (34–689 μA).

PL

Artykuł opisuje strukturę i wyniki symulacji oscylatora pierścieniowego zaprojektowanego w technologii UMC CMOS 0,18 μm (1,8 V), który jest częścią systemu zarządzania mocą układu scalonego zawierającego generator przestrajany temperaturą układu. Częstotliwość generowana przez oscylator jest przestrajana poprzez zmianę napięcia zasilania, dodatkowo długość pierścienia oscylatora jest kontrolowana sygnałem cyfrowym. Opisywany oscylator ma bardzo szeroki zakres przestrajania (250 MHz–2,1 GHz) przy niskim poborze prądu (34–689 μA).

7

Thermal analysis of CMOS voltage-controlled oscillators

Frankiewicz M., Kos A.

Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska

|

2012

|

nr 4b

3-6

EN

The paper presents impact of chip temperature on frequency generated by Voltage-Controlled Oscillators. Three different CMOS structures have been tested. Resonant cross-coupled oscillator was designed and fabricated in AMS 0.35 žm (3.3 V) technology and has at ambient temperature the frequency range from 2.2 to 2.5 MHz. Two different ring oscillators were designed in UMC 0.18 žm (1.8 V) technology and have at ambient temperature the frequency range respectively from 0.6 to 2.8 GHz and from 0.4 to 1.9 GHz. All circuits were designed using full-custom technique. Influence of temperature to tuning range and power consumption has been investigated.

PL

Artykuł przedstawia wpływ temperatury na działanie generatorów przestrajanych napięciem VCO. Przebadane zostały trzy różne struktury układów CMOS. Generator rezonansowy został zaprojektowany i sfabrykowany w technologii AMS 0,35 žm (3,3 V) i w temperaturze pokojowej generuje częstotliwości z zakresu ad 2,2 do 2,5 MHz. Dwa odmienne generatory pierścieniowe zostały zaprojektowane w technologii UMC 0,18 žm (1,8 V) i generują częstotliwości z zakresu odpowiednio od 0,6 do 2,8 GHz oraz od 0,4 do 1,9 GHz. Wszystkie układy zostały zaprojektowane techniką full-custom. Przetestowane zostało oddziaływanie termiczne na zakres przestrajania oraz pobór mocy generatorów.

8

Niskomocowy generator przestrajany napięciem na częstotliwość 1 GHz jako kluczowa

Zaziąbł A.

Pomiary Automatyka Kontrola

|

2010

|

R. 56, nr 8

918-921

PL

Wymagania współczesnych systemów pomiarowych kierują nowe wyzwania w projektowaniu niskomocowych układów zegarowych wysokich częstotliwości. Możliwości techniczne wytworzenia sygnału przy użyciu klasycznego generatora opartego o filtr kwarcowy są ograniczone do kilkudziesięciu megaherców. Zatem taktowanie układów w zakresie gigahercowym nie jest możliwe bez systemu multiplikacji częstotliwości. Proponowanym rozwiązaniem jest pętla fazowa, której głównym blokiem jest niskoszumny generator przestrajany napięciem. Pobór mocy generatora jest poniżej 300 žW, przy zachowaniu dobrych właściwości szumo-wych, gdzie drżenie fazy jest na poziomie 1,25 ps. Proponowany generator został zaprojektowany w technologii 0,18 žm CMOS.

EN

Demand of modern measurement systems in nuclear science is guided the new challenges in design of low power high frequency clock generation systems. A technical possibility for clock generation using the classical generator based on a quartz filter is limited to tens of megahertz. Thus, the 1 GHz clock generation is not possible without a frequency multiplier system. The task is so difficult to realise, because made in submicron process, where the integration of analog and digital blocks poses serious challenges. The proposed solution is a low power voltage controlled oscillator with the center frequency of 1 GHz and pseudo-differential architecture, resistant to process variations and cooperating with charge pump phase locked loop. Power consumption of VCO is below 300 žW, while maintaining good noise properties, where the jitter is 1.25 ps. The proposed generator is designed in 0.18 žm CMOS technology. In this paper the first section describes the architecture of the phase locked loop for which the presented VCO is suited. Then all the functional blocks of the generator are described in detail including a current controlled oscillator, V-I converter and differential to single ended converter. In the last section the simulation results and the method of process variation minimisation are given.

9

Loop Gain of the Common-Drain Colpitts Oscillator

Kazimierczuk M. K., Murthy-Bellur D.

International Journal of Electronics and Telecommunications

|

2010

|

Vol. 56, No. 4

423-426

EN

This paper presents the derivations of the voltage transfer functions of the amplifier A, the feedback network β, and the loop gain Τ of the common-drain (CD) Colpitts oscillator, using the small-signal model of the CD Colpitts oscillator. The derivation of the characteristic equation of the CD Colpitts oscillator is presented. Using the characteristic equation, the equation for the oscillation frequency of the sinusoidal output voltage and the condition for steady-state oscillation are derived. The characteristic equation is used to obtain a plot of trajectories of the poles of the CD Colpitts oscillator by varying the MOSFET small-signal transconductance gm. The locations of the complex conjugate poles depicting starting and steady-state conditions for oscillations are also presented.

10

A 800 µW 1 GHz Charge Pump Based Phase-Locked Loop in Submicron CMOS Process

Zaziabl A. J.

International Journal of Electronics and Telecommunications

|

2010

|

Vol. 56, No. 4

411-416

EN

Demand of modern measurement systems in submicron CMOS process introduced new challenges in design of low power high frequency clock generation systems. Technical possibilities for clock generation using classical oscillator based on a quartz filter is limited to tens of megahertz. Thus, 1 GHz clock generation is not possible without a frequency multiplier system. It is difficult to achieve, because in submicron process, where the integration of analog and digital blocks poses serious challenges. The proposed solution is a low power charge pump phase-locked loop (CPPLL) with the center frequency of 1 GHz. It combines various modern circuit techniques, whose main aim is to lower power consumption, which is below 800µW for the whole PLL, while maintaining good noise properties, where the jitter rms is 8.87 ps. The proposed phase-locked loop is designed in 0.18 µm CMOS process.

11

Niskomocowy generator pierścieniowy CMOS sterowany napięciem

Mroszczyk P., Gołda A., Kos A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 9

11-14

PL

W pracy przedstawiono projekt i wyniki symulacji po ekstrakcji z topografii generatora pierścieniowego wykonanego w technologii AMS 0,35 pm przestrajanego w zakresie od 50 kHz do 2 GHz, moc strat nie przekracza 5,3 mW przy napięciu zasilania 3,3 V, poziom szumów fazowych dla częstotliwości podstawowej 900 MHz i przesunięciu 1 MHz wynosi -87,4 dBc/Hz, głównym przeznaczeniem układu jest taktowanie systemów cyfrowych testowanych pod kątem zjawisk termicznych i elektrotermicznych

EN

The objective of this paper is to present a design and post-layout simulation results of a voltage-controlled ring oscillator designed in AMS 0.35 pm technology retuned from 50 kHz to 2 GHz. A power dissipation does not exceed 5.3 mW for a voltage supply 3.3 V, a single-sideband noise at the offset frequency 1 MHz from the carrier frequency 900 MHz is - 87.4 dBc/Hz. The project can be applied as a clock signal generator in research and development of digital systems in terms of thermal and electrothermal phenomena

12

Wybrane problemy projektowania układów RF

Kurjata-Pfitzner E., Szymański A. J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 2-3

51-53

PL

Przedstawiono wybrane aspekty projektowania układów RF. Omówiono metodykę projektowania i stosowane narzędzia symulacyjne. Na przykładzie wzmacniacza niskoszumnego oraz oscylatora na pasmo 2,4 GHz pokazano wpływ odchyłek parametrów procesów technologicznych oraz elementów pasożytniczych wynikających z topogratii i obudowy na właściwości projektowanych układów.

EN

In this paper some aspects of designing Radio Frequency Integrated Circuits was considered. The simulation tools and method of designing were discussed. The influences of process fluctuations, on-chip parasitics and package parasitics on low noise amplifier and voltage controlled oscillator (working at 2.4 GHz) characteristics were presented.

13

Wpływ obudowy na parametry układów scalonych RF

Szymański A., Kurjata-Pfitzner E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2004

|

Vol. 45, nr 11

23-25

PL

W artykule omówiono oddziaływanie obudowy na układy scalone RF na przykładzie niskoszumnego wzmacniacza LNA i oscylatora sterowanego napięciem VCO na pasmo 2.4 GHz. Zbadano wpływ liczby wyprowadzeń masy na parametry LNA. Stwierdzono, że oddziaływanie obudowy na VCO, powodujące degradację częstotliwości generowanych drgań, może zostać skompensowane poprzez dobranie elementów układu.

EN

The effects of package on parameters of integrated RF circuits on the example of low noise amplifier LNA and voltage controlled oscillator VCO aimed on 2.4 GHz band were presented. The influence of ground pin number on LNA parameters was investigated. Moreover, it was stated that the influence of package on VCO leading to degradation of frequency may be compensated by adjusting circuit elements.

14

Tranzystory mikrofalowe : technologia, parametry i zastosowania

Wojtasiak W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2002

|

Vol. 43, nr 7/8

32-34

PL

Przedstawiono przegląd najnowszych osiągnięć technologii półprzewodników w zakresie produkcji tranzystorów mikrofalowych. Analiza parametrów i możliwości zastosowań tranzystorów mikrofalowych została oparta na własnych badaniach eksperymentalnych realizowanych w ramach projektu KBN nr 7 T11B 044 20. Zaprojektowano i wykonano szereg takich układów jak: generatory VCO, syntezery PLL/DDS, wzmacniacze nadawcze dużej mocy oraz odbiorcze - niskoszumne (LNA). W projektach wykorzystano opracowane modele tranzystorów, które uwzględniają efekty temperaturowe symulowane metodą FDTD-3D.

EN

In this paper, the overview of microwave transistors technology performances is presented. The parameters and properties of the chosen transistors based on self-investigations and designs were analysed. For this purpose, a lot of circuits such as: VCOs, high power amplifiers and LNAs were designed. The self-invented temperature models based on 2D and 3D FDTD method for thermal problems were applied.