Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Wpływ napięcia zasilania na właściwości wybranych źródeł światła

Górecki K., Stepowicz W. J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 10

15-17

PL

W pracy przedstawiono i przedyskutowano wyniki eksperymentalnych badań właściwości wybranych rodzajów źródeł światła. Badania przeprowadzono dla klasycznej żarówki, świetlówki energooszczędnej oraz lampy LED o podobnej wartości emitowanego strumienia świetlnego. Pomierzono wpływ napięcia zasilania na takie parametry jak: prąd zasilania, luminancja oświetlanej powierzchni, temperatura obudowy oraz współczynnik zawartości harmonicznych prądu zasilania.

EN

In the paper the results of measurements of selected properties of some types of lamps are presented and discussed. Investigations were carried out for the classical bulb, the energy-saving fluorescent lamp and the LED lamp. All the investigated lamps have similar values of emitted luminous flux. The influence of the supply voltage on such parameters as: the supply current, the luminance of the lighted surface, the case temperature and the coefficient of the total harmonic distortion of the supply current were measured.

2

Thermal stability of SiC MOS transistors

Stepowicz W. J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 3

21-23

PL

Węglik krzemu (SiC) jest obecnie intensywnie badanym materiałem półprzewodnikowym przeznaczonym do wytwarzania elementów pracujących w wysokich temperaturach, w zakresie dużych częstotliwości oraz dużych mocy. Na rynku są już dostępne takie elementy z tego półprzewodnika jak diody Schottky'ego, diody pin, tranzystory bipolarne, tranzystory MESFET oraz MOSFET. Ograniczenia zakresu bezpiecznej pracy tranzystorów MOS z SiC mają, między innymi, charakter termiczny wynikający z termicznej stabilności tych elementów.

EN

Silicon carbide (SiC) is currently tested and used as a semiconductor destined to design devices operating in high temperature, high power and high frequency regions. Nowadays some SiC devices are available on the market; there are, for example, Schottky and pin diodes. BJTs, MESFETs and recently MOSFET transistors as well. Some limitations of the safe operation area of SiC devices are discussed, and among them the thermal limitation resulting from thermal stability should be taken into account.

3

Element optoelektroniczny o charakterystykach i(u) typu S

Stepowicz W. J., Górecki K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 10

28-30

PL

W pracy przedstawiono model oraz wyniki obliczeń i pomiarów charakterystyk statycznych i(u) nietypowego elementu optoelektronicznego powstałego na bazie transoptora, w którym połączono szeregowo spolaryzowaną przewodzącą diodę LED z kolektorem fototranzystora. Otrzymany w ten sposób element posiada charakterystyki statyczne i(u) typu S, co jest efektem występującego w nim dodatniego sprzężenia zwrotnego o charakterze elektryczno-optycznym.

EN

In the paper the model and the results of the measurements and calculations of the i(v) characteristics of an optoelectronic device are shown. This non-typical device is made on the basis of the optocoupler by connecting the LED diode in series with the collector of the phototransistor. The optoelectronic device has the S-shaped i(v) characteristics, what results from the positive opto-electrical feedback.

4

Małosygnałowa elektrotermiczna admitancja wyjściowa tranzystora MOS dla małych częstotliwości

Stepowicz W. J.

Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni

|

2008

|

nr 59

101-104

PL

W artykule omówiono wpływ zjawiska samonagrzewania oraz inercji termicznej na małosygnałową elektrotermiczną admitancję wyjściową tranzystora MOS w zakresie małych i bardzo małych częstotliwości, w którym można pominąć inercję elektryczną elementu, modelowaną przez odpowiednie pojemności elektryczne. Rozważania teoretyczne zilustrowano wynikami obliczeń charakterystyki amplitudowej i fazowej omawianej admitancji dla typowego tranzystora mocy MOS.

EN

In this paper the influence of the self-heating phenomenon and thermal inertia on the nonisothermal small-signal output admittance of MOS transistors is analyzed. The analysis concerns the very low frequency range, where electrical inertia modeled by electrical capacitances can be neglected. The theoretical considerations are illustrated by the computation results of the amplitude and phase characteristics of the mentioned admittance for a typical MOS transistor.

5

Wpływ wybranych czynników na parametry termiczne przyrządów półprzewodnikowych

Górecki K., Zarębski J., Stepowicz W. J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 10

18-20

PL

Opracowanie dotyczy wpływu wybranych czynników na rezystancję i przejściową impedancję termiczną przyrządów półprzewodnikowych. Przedstawiono przykładowe wyniki pomiarów i omówiono wpływ na parametry termiczne przyrządów półprzewodnikowych, takich czynników jak: punkt pracy badanego przyrządu, długość jego wyprowadzeń, wielkość pola lutowniczego i radiatora, temperatura otoczenia, zastosowane warstwy pośredniczące między obudową przyrządu a radiatorem, orientacja przestrzenna badanego elementu oraz wzajemne sprzężenia termiczne między elementami.

EN

The paper concerns the problem of the influence of selected factors on the thermal resistance and the transient thermal impedance of semiconductor devices. The results of measurement of the considered thermal parameters dependences on such factors as the operating point of the device, the length of terminals, the dimensions of the solder fields and the heat-sink, the ambient temperature, the utilized intermediary layer between the case and the heat-sink, as well as the spatial orientation of the considered device and the mutual thermal interactions between devices mounted on the same heat-sink, are shown and discussed.

6

Zagrożenia środowiska naturalnego spowodowane stosowaniem polichlorowanych bifenyli w transporcie morskim

Stepowicz W. J., Konat-Stepowicz J.

Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni

|

2004

|

nr 53

35-44

PL

Polichlorowane bifenyle (PCB) należą do związków chemicznych wytwarzanych w ubiegłych latach w dużych ilościach, mających szereg zastosowań w wielu gałęziach przemysłu, w tym także na statkach i okrętach morskich. Ponieważ należą one do grupy związków mających stwierdzony szkodliwy wpływ na zdrowie organizmów wyższych, ich produkcja została zakazana. Związki te jednak stale przenikają do środowiska naturalnego, np. wskutek złomowania statków i okrętów, awarii urządzeń elektrycznych, wycieków oraz powstawania składowisk, co nadal stwarza szereg zagrożeń. Środowisko morskie, a co za tym idzie - organizmy w nim żyjące (np. ryby, ssaki), jako ostateczny zbiornik większości zanieczyszczeń, jest szczególnie narażone na skażenia związkami chlorowcopochodnymi, a więc także PCB.

EN

Polychlorinated biphenyls (PCB) belong to organic compounds produced in previous years in a great deal in the all world. They were used in many industrial interests, inclusive shipping. PCBs are toxic compounds, therefore their production and using are now forbidden, but their penetration into environment, e.g. due to damages or conscious pollution, creates many problems. Marine environment plays the essential role in dissemination of PCBs, and so food originating from this environment contains them, what makes a serious threat to human health and life.

7

Thermal breakdown in semiconductor junction devices

Stepowicz W. J.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

|

1998

|

Vol. 44, nr 3

365-372

EN

The breakdown phenomenon is found practically in all semiconductor devices with nonlinear pn or ms junctions. It delimits the safe operation area of these devices. On the other hand, some semiconductor devices, for example the Zener diodes and avalanche photodiodes, operate in the breakdown region. So, understanding the performance of semiconductor devices at breakdown is of great importance.

PL

Zjawisko przebicia występuje praktycznie we wszystkich elementach półprzewodnikowych ze złączem pn lub mp spolaryzowanych zaporowo. Ogranicza ono obszar bezpiecznej pracy wielu elementów, jednak, z drugiej strony, praca w zakresie przebicia jest typowa dla takich elementów jak, dla przykładu diody stabilizacyjne i fotodiody lawinowe. Na statycznych charakterystykach i(u) w zakresie przebicia dużym zmianom prądu odpowiadają małe zmiany napięcia. Na charakterystykach tych często występuje punkt, w którym rezystancja różniczkowa elementu zmienia znak z dodatniego na ujemny. Na kształt charakterystyk i(u) w zakresie przebicia mają wpłym zarówno zjawiska elektryczne ( jonizacja zderzeniowa i efekt tunelowy ), jak i termiczne. W ogólnym przypadku, wskutek sprzężenia zjawisk elektrycznych i termicznych, można mówić o przebiciu elektrotermicznym. W pracy wykazano, że w elementach ze złączami pn lub mp, opisanych dobrze znanymi zależnościami i(u), może nastąpić przebicie o charakterze termicznym, spowodowane jedynie zjawiskiem samonagrzewania złącza oraz wyznaczono współrzędne (i l, v t, T jt ) punktu przebicia termicznego. Przebicie termiczne zilustrowano na przykładach diody krzemowej ze złączem pn, diody Schottky'ego oraz tranzystora bipolarnego. Oprócz rozważań teoretycznych przedstawiono wyniki stosowanych pomiarów przeprowadzonych dla wymienionych elementów.

8

Nieizotermiczne parametry małosygnałowe elementów półprzewodnikowych

Stepowicz W. J., Zarębski J.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

|

1998

|

Vol. 44, nr 3

345-364

PL

Zjawiska termiczne wpływają w istotny sposób na własności i parametry elementów półprzewodnikowych oraz układów scalonych. Dotyczy to zarówno ich modeli sałoprądowych jak i modeli dla prądu zmiennego. W sytuacjach, kiedy zjawiska termiczne odgrywają istotną rolę, modele elementow różnią się zasadniczo, zarówno jakościowo jak i ilościowo, od ich odpowiedników znanych z klasycznej teorii nie uwzględniającej tych zjawisk. Z kolei, postać modeli elementów wpływa na parametrty robocze, określające własności funkcjonalne, układów elektronicznych skonstruowanych z wykorzystaniem tych elementów. W pracy przedstawiono metodę wyznaczania nieizotermicznych modeli małosygnałowych elementów półprzewodnikowych i pokazano takie modele dla wybranych elementów, uzyskane na podstawie tej metody. Na kilku przykładach zilustrowano wpływ nieizotermicznej postaci modeli małosygnałowych elementów na własności układów, a także przytoczono inne konsekwencje i korzyści wynikające ze stosowania takich modeli.

EN

The thermal phenomena influence models of semiconductor devices considerably; it concerns the d.c. characteristics and the small - signal circuits as well. In the well - known models the effect of the ambient temperature is only taken into account, and therefore these models can be denominated as isothermal. In fact, due to the selfheating phenomenon, the junction (inside) temperature differs from the ambient temperature. Under steady - state, the junction temperature rise above the ambient temperature depends on the thermal resistance of the device and on the dissipated power. Under any a. c. current or voltage exitation, the a. c. component of the junction temperature appears. The models including selfheating can be denominated as nonisothermal. In some cases in ICs, the mutual thermal interactions between the devices have to be taken into considerations, additionally. In this paper the a. c. nonisothermal small - signal models of some semiconductor devices are discoussed. Due to the thermal effects, in the low frequency range the small - signal nonisothermal parameters of the devices become complex. Since in this range the electrical inertia resulting in the diffusion and junction capacitances can be neglected, the thermal inertia leads to the small - signal circuits with the new capacitances and inductances. In the paper the influence of the nonisothermal small - signal parameters on the performance of some circuits: the voltage amplifier and current source is shown. As well, some results concerning the 1/f noise model of the pn diode are given, and a new method of the thermal resistance measurement sof the BJT, based on its nonisothermal uotput conductance, is presented.