Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Próba modyfikacji powierzchni czynnej ogniwa fotowoltaicznego poprzez zmianę parametrów podłoża

Grudniewski T.

Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska i Architektury / Journal of Civil Engineering, Environment and Architecture

|

2016

|

z. 63, nr 4

177--184

PL

Sputtering magnetronowy jest techniką napylania warstw cienkich znajdującą coraz większe zastosowanie w procesach wytwarzania elektroniki i ogniw fotowoltaicznych [1,2]. Celem prezentowanych w artykule prac badawczych, jest analiza możliwości zastosowania podłoża alternatywnego do powszechnie stosowanych i tym samym osiągnięcie zmian topografii warstw otrzymywanych w procesie sputteringu magnetronowego. Zaburzenie topografii podłoża może skutkować większym uporządkowaniem struktury warstwy, co oznacza bardziej jednolitą powierzchnię, lub zjawiskiem całkowicie odwrotnym. Oba rezultaty są pożądane z punktu widzenia zastosowań produkcyjnych. Z jednej strony poszukuje się cienkich i jednolitych warstw, a z drugiej warstw o zmodyfikowanej topografii. Według autora, modyfikacja topografii warstw pochłaniających promieniowanie, może doprowadzić do zwiększenia powierzchni czynnej ogniwa fotowoltaicznego a co za tym idzie zwiększyć jego wydajność [3]. W czasie eksperymentów autor używał jako podłoża standardowego szkła laboratoryjnego (float) oraz laminatu (papier z żywicą). Dokonano serii naniesień warstw cienkich, celem otrzymania kompletnego ogniwa. Ogniwa na szkle jak i na laminacie były wykonane w tych samych warunkach i parametrach kolejnych procesów. Kolejne warstwy wchodzące w skład budowy ogniwa były tak nanoszone, by istniała możliwość ich późniejszej analizy (stosowano odpowiednie przesłony). Po wykonaniu ogniw, została sprawdzona ich wydajność kwantowa, którą odniesiono do obserwacji otrzymanych w wyniku skanowania AFM kolejnych warstw.

EN

Magnetron Sputtering can create thin layers with can be used for electronic elements or photovoltaic cells [1,2]. The objective presented in the article concern the possibility of using photovoltaic cells substrates alternative to the commonly used. The author hypothesizes that the changes in the topography of the layers obtained by the sputtering magnetron are the consequence of disorders to the topography of the substrate.This disorder may result in a greater re-arrangement of the layer structure, leading to a more uniform after-surface, a phenomenon completely the opposite of what was thought.Both results are desirable in production applications. On the other hand, the most sought after result is the thin, uniform layers being the other layers of the modified topography. Disturbed layers can increase the active surface of the photovoltaic cell and thus increase its efficiency [3]. During the experiments, the author used as a base standard laboratory glass (float) and the laminate (paper with resin). There have been a series of thin layers of annotations, in order to obtain a complete cell. Cells on glass and the laminate was manufactured under the same conditions and parameters of other processes. Successive layers included in the construction of the cells to be applied so that it is possible subsequent analysis (using the appropriate aperture). After the cells were tested for quantum efficiency, which was related to the observation obtained by scanning successive layers of AFM.

2

Analiza własności warstw CdS w zależności od parametrów procesu wytwarzania z wykorzystaniem napylania plazmowego

Grudniewski T., Czernik S., Lubańska Z., Chodyka M., Nitychoruk J.

Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska i Architektury / Journal of Civil Engineering, Environment and Architecture

|

2016

|

z. 63, nr 4

185--192

PL

W prezentowanym artykule, autorzy skupili się na analizie zmian wydajności ogniw fotowoltaicznych, których jednym z kluczowych składników jest CdS. Wykorzystując urządzenie do (napylania) sputteringu magnetronowego, autorzy podjęli próbę modyfikacji wybranych składników procesu nanoszenia warstw materiału. Celem wskazanego działania było zwiększenie wydajności ogniw, usprawnienie oraz obniżenie kosztów procesu produkcyjnego. Autorzy przebadali grupę wytworzonych przez siebie w różnych (wskazanych eksperymentem) warunkach ogniw, analizując ich wydajność w przypadku światła białego, wydajność względem długości fali oświetlającej oraz odnieśli otrzymane wyniki do zmian w topografii warstw CdS. Domniemywano, że podobnie jak w przypadku innych materiałów (autorzy we wcześniejszych pracach zajmowali się poprawą parametrów elektro-optycznych podłoży przewodzących), utrzymywanie procesu w możliwie wysokiej temperaturze spowoduje lepsze uporządkowanie struktury CdS a tym samym poprawę parametrów elektro-optycznych. Postanowiono zbadać, czy podobna zależność wpłynie na wydajność ogniwa fotowoltaicznego. Równolegle autorzy pracują nad technikami mającymi zmodyfikować topografię ogniw fotowoltaicznych w celu zwiększenia powierzchni czynnej. Postanowiono zatem zbadać przedstawione powyżej zagadnienia w możliwie najszerszy sposób.

EN

In this paper, the authors focused on the analysis of changes in the efficiency of photovoltaic cells, where one of the main components is CdS. Using the magnetron sputtering device, the authors attempted to modify the selected components during applying layers of material. The purpose of that experiment was to increase cell efficiency, streamlining and reducing the cost of the production process. The authors studied a group of 27 prepared photovoltaic cells, created in different (indicated by experiment) process conditions. The different effects was examined: the cell efficiency in the case of white light illumination, efficiency in relation to the wavelength of the illumination, and also the obtained results to changes in the topography of the CdS layer. It was alleged that, as in the case of other materials (the authors of the earlier work dealt with the improvement in performance electro-optical conductive substrates), keeping the process as possible high temperature will result in a better structuring of CdS and thus improving the performance of electro-optical devices. It was decided to investigate whether a similar relationship will affect the performance of the photovoltaic cell. In parallel, the authors are working on techniques having to modify the topography of photovoltaic cells to increase the active surface. It was therefore decided to examine the above issues in the widest possible way.

3

Wpływ wewnętrznego lustra na wydajność kwantową fotoogniw wytwarzanych w oparciu o krzemowe warstwy lateralne

Cieślak K., Olchowik J. M., Gułkowski S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 4

20-21

PL

W pracy przedstawiono rezultaty badań krzemowych ogniw słonecznych, wytwarzanych za pomocą, epitaksji z fazy ciekłej LPE (Liquid Phase Epitaxy). Epitaksja z fazy ciekłej pozwala w ekonomiczny sposób uzyskiwać cienkie monokrystaliczne warstwy, które mają również zastosowania w fotowoltaice. W prowadzonych badaniach zastosowano pewną modyfikację klasycznej metody LPE - wzrost na częściowo maskowanym dielektrykiem podłożu krzemowym. Taki sposób nosi nazwę epitaksji lateralnej ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth) i pozwala na uzyskanie warstw o znacznie mniejszej gęstości defektów w stosunku do gęstości defektów w podłożu wzrostowym [1], co więcej warstwa dielektryka obecna wewnątrz struktury fotoogniwa stanowi lustro dla niezaabsorbowanych fotonow, co pozwala na wydłużenie ich drogi optycznej. W pracy porównano wpływ wewnętrznego lustra z dielektryka SiO₂ na wydajność kwantową, badanych fotoogniw.

EN

This work contains research of silicon thin film solar cells obtained from a lateral overgrowth liquid phase epitaxy (LPE). Liquid phase epitaxy is an economic method that enables to produce thin, monocrysallic films for photovoltaic applications. Presented research are based on some modification of the LPE method - it uses partially masked by dielectric, growing silicon substrates. This modification is called epitaxial lateral overgrowth (ELO) and enables to obtain lower defects density in a growing layer comparing to a growing substrate [1]. Moreover dielectric layer inside a solar cell structure forms an inner mirror for photons which are not absorbed in the active layer. This work presents influence of the inner mirror formed from SiO₂ efficiency of the solar cells.

4

Nieniszcząca spektroskopia fotoakustyczna w zastosowaniu do wyznaczania wydajności luminescencji jonów Mn2+ w kryształach mieszanych Zn1-x-yBexMnySe

Maliński M. A., Chrobak Ł. B.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2010

|

Nr 2

5--13

PL

Artykuł ten przedstawia zastosowanie nieniszczącej spektroskopii fotoakustycznej do wyznaczani wydajności kwantowej i energetycznej luminescecji jonów Mn2+ w kryształach Zn1-x-yBexMnySe.

EN

This paper is to present the application of the nondestructive photoacoustic spectroscopy method of determination of the quantum and energy efficiencies of luminescence of Mn2+ ions in the Zn1-x-yBexMnySe crystals.

5

Wydajność kwantowa w zakresie ultrafioletowym selektywnego detektora wykonanego z AlxGa1-xN

Małachowski M.

Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej

|

2001

|

Vol. 50, nr 6

5-20

PL

Przedstawiono wyniki teoretycznej analizy wydajności kwantowej selektywnego detektora promieniowania ultrafioletowego (UF). Obliczenia wydajności przeprowadzono dla dwuwarstwowego detektora p-n składającego się z dwóch półprzewodników AlxGa1-xN różniących się pod względem składu x oraz grubości. Dobierając odpowiedni skład i grubość warstwy AlxGa1-xN odcinającej U F od strony krótkofalowej oraz skład molowy części AlxGa1-xN ze złączem p-n, można w praktyce dowolnie modelować selektywność detektora UF. Prezentowane krzywe obrazujące spektralną zależność wydajności kwantowej obejmują zakres przerw energetycznych od 3,4 eV do 4,3 eV. Krzywe nie są symetryczne - bardziej "stromy" spadek występuje od strony długofalowej.

EN

The results of theoretical analysis of quantum yield of selective detector in ultraviolet (UV) radiation range are presented. The yield calculations were carried out for two layer p-n detector, which consists of two AlxGa1-xN semiconductors differing by the composition parameter x and the thickness. Selection of the proper composition as well as the thickness of the AlxGa1-xN layer cutting off the UV from the short wavelength side and the mole composition of the p-n junction side of AlxGa1-xN allows practically arbitrary modeling the selectivity of the UV detector. The presented curves showing the spectral dependence of the quantum yield cover the rage from 3.4 eV to 4.3 eV. The curves were found to be unsymmertial - from the long wavelength side the fall is more rapid.