Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  high operating temperature
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Przedmiotem badań była masa powłokowa pozyskana z papy zgrzewalnej produkowanej przez rożnych producentów. Obie badane próbki papy przeznaczone do wykonywania izolacji przeciwwodnych na obiektach mostowych wykazują zbliżone właściwości. Właściwości masy powłokowej w wysokiej temperaturze eksploatacyjnej określono w reometrze dynamicznego ścinania (DSR). Na podstawie analizy wyników badań zespolonego modułu G* i kąta przesunięcia fazowego δ można stwierdzić, że masy powłokowe charakteryzują się znaczną odpornością na odkształcenia w wysokich temperaturach występujących w okresie lata.
EN
The study deals with coating compositions obtained from the torch-on bituminous membrane produced by different manufacturers. Both tested samples of bituminous membranes for bridge waterproofing have similar properties (consistency at intermediate operating temperature, plasticity range). The properties of the coating materials at high operating temperature have been characterized using a dynamic shear rheometer (DSR). Based on the results of complex shear modulus G* and phase angle test it can be noted that the coating materials are characterized by signifi cant resistance to deformation at high operating temperatures during summer.
2
Content available remote Different cap-barrier design for MOCVD grown HOT HgCdTe barrier detectors
EN
The performance of HgCdTe barrier detectors with cut-off wavelengths up to 3.6 μm fabricated using metaloorganic chemical vapour deposition operated at high temperatures is presented. The detectors’ architecture consists of four layers: cap contact, wide bandgap barrier, absorber and bottom contact layer. The structures were fabricated both with n- and p-type absorbing layers. In the paper, different design of cap-barrier structural unit (n-Bp', n+-Bp', p+-Bp) were analysed in terms of various electrical and optical properties of the detectors, such as dark current, current responsivity time constant and detectivity. The devices with a p-type cap contact exhibit very low dark current densities in the range of (2÷3)×10⁻⁴ A/cm² at 230 K and the maximum photoresponse of about 2 A/W in wide range of reverse bias voltage. The time constant of measured de- vices with n-type cap contact and p-type absorbing drops below 1 ns with reverse bias while the detectivity is at the level of 1010 cm・Hz1/2/W.
EN
We report on temperature dependence characteristics of mid wavelength InAs/GaSb type-II superlattice photodiodes in a temperature range from 120 K to 240 K. A bulk based model with an effective bandgap of superlattice material has been used in modelling of the experimental data. Temperature and bias dependent differential resistances have been analyzed in detail due to contributing mechanisms that limit the electrical performance of the diodes. C1-HH1 reduced mass was estimated from the fitting to the high reverse bias (< - 1.0 V) voltage, and given about 0.015 m0 in the whole considered temperature range. This value agree well with much more complex simulations and cyclotron resonance measurements. Obtaining so good results was possible thanks to including series resistance into calculations.
PL
W pracy przedstawiono analizę charakterystyk prądowo-napięciowych oraz rezystancji dynamicznych fotodiod PIN z supersieci II typu InAs10ML/ GaSb10ML zakresu średniej podczerwieni. Rozważania teoretyczne transportu nośników przeprowadzono stosując teorię Shockley’a złącza wykonanego w materiale objętościowym. W zakresie temperatur 120 - 240 K zaobserwowano kilka mechanizmów składowych prądu ciemnego, w tym: mechanizm dyfuzyjny i generacyjno-rekombinacyjny, dwa mechanizmy tunelowania, oraz upływność powierzchniową. W obliczeniach uwzględniono również wpływ rezystancji szeregowej, który szczególnie w zakresie temperatur osiąganych przez chłodziarki termoelektryczne (T > 180 K), okazał się znaczący. Wybrane parametry dopasowujące uzyskane z analitycznych zależności na składowe prądu ciemnego (w tym masę zredukowaną przejścia C1-HH1) zostały porównane z dostępnymi literaturowymi danymi eksperymentalnymi.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.