PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  tranzystory bipolarne
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Push-pull voltage buffer with improved load capacity
Azarov Oleksiy, Obertyukh Maxim, Prokofiev Mikhailo, Kalizhanova Aliya, Kosaruk Olena
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
|
2025
|
T. 15, nr 2
100--103
EN
The article considers a method of increasing the load capacity of high-linear push-pull voltage buffer devices built on bipolar transistors. Buffer devices are designed to match the impedance of the signal generator to the impedance of the load and are essentially power amplifiers and actas an impedance converter with high input and low output impedances with a voltage transfer factor as close to unity as possible. The most commonis the construction of buffer devices based on operational amplifiers with deep feedback in the voltage follower mode. At the present time, special attention is also drawn to push-pull circuits of buffer devices, which are considered in this article. An important characteristic of buffer devices is the load capacity, and to improve it (reduce the output resistance) of such buffer devices, a method based on the introduction of a push-pull DC output amplifier intothe circuit is proposed. It is able to provide high linearity of the transmission characteristics and the required speed. New methods of structuraland functional organization of the core of precision buffer devices with high and very high input resistance and the output push-pull current amplifierwith different amplification factors are proposed. A schematic analysis of the static characteristics of the specified nodes, input resistance, load capacity and current amplification factor was performed. It has been proven that this method allows to significantly improve the load capacity of the voltage buffer.
PL
W artykule rozważono metodę zwiększenia obciążalności wysokoliniowych urządzeń buforujących napięcie typu push-pull zbudowanychna tranzystorach bipolarnych. Urządzenia buforowe są zaprojektowane tak, aby dopasować impedancję generatora sygnału do impedancji obciążeniai są zasadniczo wzmacniaczami mocy i działają jako konwerter impedancji o wysokiej impedancji wejściowej i niskiej impedancji wyjściowejze współczynnikiem przenoszenia napięcia jak najbliżej jedności. Najbardziej powszechna jest konstrukcja urządzeń buforowych opartychna wzmacniaczach operacyjnych z głębokim sprzężeniem zwrotnym w trybie wtórnika napięciowego. Obecnie szczególną uwagę zwraca się równieżna obwody push-pull urządzeń buforowych, które są rozważane w tym artykule. Ważną cechą urządzeń buforowych jest obciążalność i aby ją poprawić (zmniejszyć rezystancję wyjściową) takich urządzeń buforowych, zaproponowano metodę opartą na wprowadzeniu wzmacniacza do obwodu wyjściowego push-pull DC. Jest on w stanie zapewnić wysoką liniowość charakterystyki transmisji i wymaganą prędkość. Zaproponowano nowe metodystrukturalneji funkcjonalnej organizacji rdzenia precyzyjnych urządzeń buforowych o wysokiej i bardzo wysokiej rezystancji wejściowej oraz wyjściowego wzmacniacza prądowego typu push-pull o różnych współczynnikach wzmocnienia. Przeprowadzono schematyczną analizę charakterystyk statycznych określonych węzłów, rezystancji wejściowej, obciążalności i współczynnika wzmocnienia prądu. Udowodniono, że metoda ta pozwala znacznie poprawić obciążalność bufora napięcia.
2
Bipolarne tranzystory mocy wykonane z węglika krzemu
Zarębski J., Patrzyk J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2016
|
Vol. 57, nr 1
43--46
PL
Artykuł dotyczy bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z węglika krzemu. Scharakteryzowano wybrane właściwości węglika krzemu. Przedstawiono historię rozwoju tych przyrządów jak również ich status komercyjny oraz stan literatury dotyczący tych tranzystorów. Zwrócono uwagę na mankamenty w zakresie modelowania rozważanej klasy przyrządów półprzewodnikowych z wykorzystaniem programu SPICE.
EN
The paper deals with the bipolar power transistors made of silicon carbide (SiC-BJTs). The selected features of silicon carbide, the history of SiC-BJTs development and their commercial status are described. Additionally, the short overview of literature concerning the considered class of SiC devices is presented. The special attension is paid to shortcoming in the range of SiC-BJTs modeling with the use of SPICE.
3
Właściwości wzmacniające tranzystorów bipolarnych w niskich temperaturach
Michalak S.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2001
|
Vol. 42, nr 6
21-23
PL
W artykule opisano wyniki badań dotyczących podstawowych właściwości popularnych krzemowych tranzystorów biopolarnych w zakresie temperatur 300..77K. Przedstawiono wybrane parametry tranzystora takie jak współczynnik wzmocnienia prądowego, napięcie baza-emiter oraz charakterystyki kolektorowe w temperaturze ciekłego azotu. Opisano wpływ zmian tych parametrów na dobór punktu pracy wzmacniacza tranzystorowego.
EN
In this paper properties of popular bipolar Si transistors in low temperature (300..77K) was described. Especially basic properties, such as base-emitter voltage. Current gain and collector characteristic in liquid nitrogen was shown.
4
The current-voltage characteristics of semiconductor diodes as they are made highly defected
Dehimi L., Sengouga N., Jones B. K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2001
|
Vol. 42, nr 12
18-21
EN
The standard textbook treatment of the conduction in a semiconductor diode as a diffusion current is only correct for diodes and the junctions of bipolar transistors if they have a very high quality. The presence of shallow or deep donors or acceptors affects the size of the depletion width and the size of the diffusion current but the qualitative form of the current remains. However, mid gap generation-recombination (g-r) levels in the depletion region give rise to a g-r current which is apparent at low voltages. At high currents there is also a decrease in the expected current because of the voltage dropped across the resistance of the semiconductor material between the terminals and the diode itself. Of particular interest here, the current in a diode with a very high concentration of g-r centres is very different. It is shown that this is Ohmic with a resistance depending on the dimensions and the intrinsic semiconductor properties and not on the properties of the junction itself. This analysis with Ohmic characteristic and mid gap Fermi level pinning may not have been appreciated in bipolar or Schottky diodes and Ohmic contacts made with high resistance, irradiated and semi-insulating materials.
PL
Typowy opis mechanizmu przewodzenia diod półprzewodnikowych polegający na przepływie prądu dyfuzyjnego jest poprawny jedynie dla diod i złączy tranzystorów bipolarnych o wysokiej jakości. Obecność donorów bądź akceptorów powierzchniowych lub położonych głębiej wpływa na szerokość warstwy zubożonej i tym samym na wielkość prądu dyfuzyjnego, aczkolwiek charakter prądu pozostaje taki sam. Jednakże poziomy generacyjno-rekombinacyjne, usytuowane w środku pasma zabronionego w warstwie zubożonej powodują powstanie prądu g-r uwidaczniającego się przy małych napięciach. Przy dużych prądach występuje także spadek oczekiwanej wartości prądu wskutek spadku napięcia na rezystancji materiału półprzewodnikowego pomiędzy wyprowadzeniami a samą diodą. Prąd diody o bardzo dużej koncentracji centrów generacyjno – rekombinacyjnych jest bardzo różny. Wykazano, że ma on charakter omowy (liniowy) z rezystancją zależną od rozmiarów i właściwości półprzewodnika a nie od właściwości samego złącza. Analiza zakładająca charakterystykę omową i poziom Fermiego usytuowany w środku warstwy zabronionej może jednakże nie być adekwatna dla diod bipolarnych i Schottkiego o kontaktach omowych wykonanych z materiałów o dużej rezystancji, napromieniowanych i półizolacyjnych.
5
Szumy małej i wielkiej częstotliwości tranzystorów bipolarnych
Zaklikiewicz A. M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2001
|
Vol. 42, nr 5
30-31
PL
W pracy przedstawiono krótką charakterystykę szumów m.cz. i w.cz. tranzystorów bipolarnych. Przeprowadzono badania statystycznej zależności pomiędzy poziomem szumów m.cz. i w.cz. tych tranzystorów. Stwierdzono, że szumy w.cz. zależą od poziomu szumu 1/f.
EN
The short characteristic of l.f. and h.f. noise of bipolar transistors is given in the work. The investigation of statistical dependence between this two kinds of noise was conducted. As a result it was found that h.f. noise are dependent on l.f. 1/f type noise.
6
Porównanie charakterystyk eksploatacyjnych tranzystorów energoelektronicznych MOSFET i IGBT
Januszewski S., Gawecka H.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
1999
|
nr 11
590-593
PL
Przedstawiono strukturę, właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów polowych MOSFET i bipolarnych z izolowaną bramką IGBT. Omówiono zdolność łączeniową i obciążalność prądową tranzystorów MOSFET i IGBT.
EN
Structure,static and dynamic properties of field effect transistors MOSFET and bipolar transistors IGBT. Switchability and currentcarrying capacity of the MOSFET and IGBT transistors
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.