Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Wpływ trybu pracy lampy LED typu HUE na jej parametry elektryczne i optyczne
PL
W pracy przedstawiono i przedyskutowano wyniki pomiarów parametrów elektrycznych i optycznych lampy LED typu HUE emitującej światło białe. Przedstawiona lampa LED typu HUE może być sterowana bezprzewodowo. Parametry elektryczne i optyczne wybranej klasy lamp LED zostały zmierzone za pomocą autorskiego układu pomiarowego. Szczególną uwagę poświęcono wpływowi badanej lampy LED na parametry sieci elektroenergetycznej. Zbadano wpływ wartości napięcia zasilającego oraz wartości temperatury barwowej światła emitowanego przez badaną lampę LED na wartość współczynnika zawartości harmonicznych THD prądu zasilającego.
EN
In the paper electrical and optical properties of LED lamp of the HUE type emitting white light are analysed. This lamp makes it possible to remote control the mode of its operation. Properties of this class of lamps given by the producer was characterised and the authors’ set-up to measure electrical and optical parameters of the considered lamps is proposed. Attention was paid on parameters characterising influence of the LED lamp on the electroenergy network. Additionally, influence of feeding voltage, the fixed value of illuminance and correlated color temperature (CCT) of the emitted light on THD (Total Harmonic Distortion) is analysed and discussed.
2
Content available remote Porównanie właściwości dynamicznych wybranych czujników fotometrycznych
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów parametrów dynamicznych dwóch arbitralnie wybranych czujników natężenia oświetlenia. Czujniki te wykonano z użyciem fotodiody oraz fototranzystora. Mogą być one wykorzystywane w systemach oświetleniowych jako źródło sygnału zwrotnego dla układów wykonawczych w postaci półprzewodnikowych źródeł światła. Za pomocą wykonanego układu pomiarowego zarejestrowano kształt napięcia na oświetlonych czujnikach fotometrycznych. Uzyskane wyniki badań zostały zaprezentowane i przedyskutowane.
EN
This paper presents the result of the measurements of the dynamic parameters of two arbitrarily selected photometric sensors. These sensors contain a photodiode or a phototransistor. These sensors could be used in lighting systems as a source of feedback for executive systems in the form of the semiconductor light sources. The waveform of voltage of illuminated photometric sensors has been recorded with the use of the authors’ measurement system. The obtained measurement results were presented and discussed.
3
Content available remote Porównanie właściwości statycznych wybranych czujników fotometrycznych
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych czterech różnych czujników natężenia oświetlenia. Czujniki te mogą być wykorzystywane w systemach oświetleniowych jako źródło sygnału zwrotnego dla układów wykonawczych w postaci półprzewodnikowych źródeł światła. Za pomocą rozważanych czujników zmierzono parametry charakteryzujące promieniowanie emitowane przez pięć różnych źródeł światła. Uzyskane wyniki badań zostały zaprezentowane i przedyskutowane.
EN
This paper presents the result of the measurements of the static parameters of four different light intensity sensors. These sensors could be used in lighting systems as a source of feedback for executive systems in the form of the semiconductor light sources. Using considered light sensors, the radiation emitted by five different light sources was measured. The obtained results were presented and discussed.
PL
W pracy zaproponowano sposób modelowania właściwości elementów półprzewodnikowych przy uwzględnieniu wpływu zewnętrznego pola elektromagnetycznego. Przedstawiono koncepcję modelowania rozważanych elementów za pomocą programu SPICE oraz pokazano postać hybrydowego modelu elementu półprzewodnikowego uwzględniającego oddziaływanie rozważanego pola na przebiegi napięcia i prądu elementu półprzewodnikowego. Rozważania szczegółowe przeprowadzono na przykładzie diody p-n. Przedstawiono i przedyskutowano wyniki obliczeń charakterystyk statycznych i dynamicznych tej diody. Wskazano, przy jakich wartościach parametrów pola elektromagnetycznego widoczny jest jego wpływ na rozważane charakterystyki.
EN
This paper proposes the manner of the modelling properties of semiconductor devices with an influence of the external electromagnetic field taken into account. The idea of modelling considered devices by means of the SPICE software is presented and the form of the hybrid model of the semiconductor device taking into account the influence of considered field on courses of the voltage and the current of this device is shown. Detailed considerations were passed on the example of the p-n diode. Results of calculations of dc and dynamic characteristics of this diode are presented and discussed. It is shown, at which values of parameters characterising electromagnetic field its influence on considered characteristics is visible.
5
Content available remote Modelling thermal properties of large LED modules
EN
In this paper a problem of modelling thermal properties of large LED modules is considered. The compact thermal model of such modules is proposed. The form of this model is presented and a method of parameters estimation is described. The practical usefulness of this model is verified experimentally by comparing the results of calculations and measurements of internal temperature of selected LEDs included in LED modules. The modules were fabricated by Fideltronic, Poland and measurements of temperature distribution on the surface of the modules at selected variants of power dissipation were performed at the Gdynia Maritime University. Good agreement between the results of measurements and modelling was obtained.
EN
In the paper the problem of modelling thermal properties of semiconductor devices with the use of compact models is presented. This class of models is defined and their development over the past dozens of years is described. Possibilities of modelling thermal phenomena both in discrete semiconductor devices, monolithic integrated circuits, power modules and selected electronic circuits are presented. The problem of the usefulness range of compact thermal models in the analysis of electronic elements and circuits is discussed on the basis of investigations performed in Gdynia Maritime University.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.