Ograniczanie wyników
Czasopisma
Autorzy
Lata
Preferencje
Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
Strona / 1
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  DC solutions
Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:
Strona / 1
EN
The paper is focused on the analysis of diodetransistor circuits having multiple DC solutions (operating points) and brings two methods enabling us to find all the solutions. The first method contracts and eliminates some hyperrectangular regions where the solutions are sought. It is based on the idea of framing of the nonlinear functions appearing in the mathematical description of the circuit by linear ones and exploits the Woodbury formula in matrix theory. The other method finds quickly and easily preliminary bounds on the location of all the solutions. The method employs some monotonic functions and generates convergent sequences leading to a shrinked hyperrectangle that contains all the solutions. Both the proposed methods are rigorously proved. They constitute the core of an algorithm which efficiently finds all the DC operating points of diode-transistor circuits. It is illustrated via numerical examples.
EN
The paper deals with diode-transistor circuits having multiple DC solutions and offers two contraction and elimination methods enabling us to find all the DC solutions. They can be directly used to the circuits with constant parameters, when the chip is at fixed temperature, or merged into an earlier developed algorithm enabling us to analyze circuits with the thermal constraint. Numerical experiments show that the proposed approach is efficient and improves the analysis of transistor circuits having multiple DC solutions. It is illustrated via a numerical example.
PL
Praca dotyczy analizy układów diodowo-tranzystorowych o wielu punktach równowagi. Zaproponowano w niej dwie metody zawężania i eliminacji umożliwiające opracowanie algorytmu wyznaczania wszystkich rozwiązań stałoprądowych. Metody te mogą być użyte bezpośrednio do analizy układów o stałych parametrach, rozpatrywanych w ustalonej temperaturze lub wprowadzone, jako procedury, do wcześniej opracowanego algorytmu wyznaczania wszystkich rozwiązań DC z uwzględnieniem zjawiska samonagrzewania chipu. Przykłady numeryczne pokazały, że zaproponowane podejście jest skuteczne i usprawnia analizę układów tranzystorowych o wielu rozwiązaniach DC. Jeden z przykładów zamieszczono w pracy.
PL
Rozpatrywane są fundamentalne problemy analizy i projektowania układów elektronicznych o wielu rozwiązaniach DC, zawierających tranzystory MOS z krótkim kanałem. Problemy te dotyczą wyznaczania wszystkich rozwiązań DC oraz charakterystyk typu wejście-wyjście. Opracowano dwuetapową procedurę, polegającą na wstępnym wyznaczeniu rozwiązań z wykorzystaniem "the n-th power law model" tranzystorów MOS oraz algorytmu sukcesywnego zawężania, podziału i eliminacji, a następnie uściśleniu tych rozwiązań, stosując kontrolowaną symulację programem SPICE z użyciem modelu BSIM.
EN
Circuits containing short-channel MOS transistors, having multiple DC solutions, are analyzed in this paper. The basic question how to find efficiently all the DC solutions and input-output characteristics are considered. A two-part procedure is described for computing all the DC solutions. This procedure exploits the n-th power law model of MOS transistors and the algorithm of successive contraction, division and elimination to find preliminary solutions, and next the BSIM model to correct them using controlled SPICE simulations.
EN
Circuits containing short-channel MOS transistors, having multiple DC solutions, are analyzed in this paper. The n-th power law model (Level 6, SPICE) of short-channel MOS transistors is investigated and some of its properties are proved. Two basic questions in the DC analysis and design of the circuits are considered. For the circuits with transistors represented by the n-th power law model, the earlier developed method exploiting the idea of contraction, division and elimination is extended, enabling us to find all the DC solutions. Next, each of the solutions is corrected in succession by means of a controlled SPICE simulation using more accurate BSIM 3v3 model. This two part algorithm for finding all the DC solutions is illustrated via a numerical example. The comparison with other alternative methods, tested on a set of representative circuits, shows that the proposed approach is much more effective, and enables us to analyze larger circuits than the other methods. Another question considered in the paper is how to determine effectively multi-valued input-output characteristics is the circuits containing short-channel MOS transistors. An approach for finding the characteristics is developed and illustrated using a numerical example.
PL