Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 7

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  reactive sputtering
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Structural And Optical Properties Of VOx Thin Films
EN
VOx thin films were deposited on Corning glass, fused silica and Ti foils by means of rf reactive sputtering from a metallic vanadium target. Argon-oxygen gas mixtures of different compositions controlled by the flow rates were used for sputtering. Influence of the oxygen partial pressure in the sputtering chamber on the structural and optical properties of thin films has been investigated. Structural properties of as-sputtered thin films were studied by X-ray diffraction at glancing incidence, GIXD. Optical transmittance and reflectance spectra were recordedwith a Lambda 19 Perkin-Elmer double spectrophotometer. Thickness of the films was determined from the profilometry. It has been confirmed by XRD that the deposited films are composed mainly of V2O5 phase. The estimated optical band gap of 2.5 eV corresponds to V2O5.
PL
Cienkie warstwy VOx były nanoszone na szkło Corning metodą rozpylania magnetronowego rf. Jako katody użyto metalicznego wanadu. Były one nanoszone w komorze wypełnionej mieszaniną argonu i tlenu w różnych proporcjach przy ustalonych przepływach. Zbadano wpływ ciśnienia parcjalnego tlenu w komorze na własności strukturalne i optyczne otrzymanych warstw. Własności strukturalne cienkich warstw zostały określone metodą rozpraszania promieniowania rentgenowskiego padającego pod małymi kątami (GIXD). Widma optyczne transmitancji i odbicia zostały wykonane przy użyciu spektrometru Lambda 19 Perkin-Elmer. Grubość badanych warstw zmierzono za pomocą profilometru. Pomiary XRD potwierdziły, że otrzymane warstwy składają się głównie z fazy V2O5. Wyznaczona optycznie przerwa energetyczna wynosząca 2.5 eV odpowiada przerwie energetycznej V2O5.
PL
Nanoszono cienkie warstwy tlenku cyrkonu na podłoża szklane metodą impulsowego reaktywnego rozpylania magnetronowego. Grubości osadzanych warstw zawierały się w granicach od 250 nm do 450 nm. Badano wpływ parametrów elektrycznych wyładowania magnetronowego oraz składu gazu roboczego (Ar+O2) na właściwości strukturalne i elektryczne nanoszonych warstw. Stwierdzono, że charakter otrzymywanych warstw (metaliczny, metaliczno-dielektryczny, dielektryczny) silnie zależy od relacji między mocą efektywną i mocą krążącą wyładowania oraz zawartością tlenu w gazie roboczym. Badania XRD wykazały, że w zależności od parametrów procesu technologicznego warstwy tlenków miały charakter amorficzny bądź zawierały kubiczną i jednoskośną fazę krystalograficzną. Zdjęcia mikroskopowe (AFM) powierzchni warstw tlenkowych otrzymywanych w różnych warunkach wskazują na wyraźne różnice w topografii warstw i parametrach ich chropowatości. Mniejszą chropowatość powierzchni wykazują warstwy o charakterze amorficznym.
EN
Zirconium oxide thin films were deposited by pulsed reactive magnetron sputtering on glass substrates. The thickness of the thin films was between 250 nm and 450 nm. The influence of magnetron electrical discharge parameters and sputtering gas pressure on electrical and structural properties of deposited thin films were investigated. Strong correlation between effective power, circulation power, and oxygen content in sputtering gas on character of obtained layers (metallic, metal-dielectric, dielectric) was establish. XRD measurements shown amorphous or monoclinic and cubic crystallographic structure of zirconium oxides depends on technological process parameters. AFM images from the surface of thin oxide films deposited in different conditions shown a clear distinction in topography and roughness parameters. Lower surface roughness in amorphous structures was observed.
PL
Przedstawiono wyniki badań wybranych niekonwencjonalnych metod rozpylania magnetronowego na tle światowych trendów w tej dziedzinie. Zaprezentowano reaktywne, impulsowe rozpylanie magnetronowe i impulsowe autorozpylanie magnetronowe. Wykazano, że możliwe jest wysokowydajne nanoszenie warstw dielektrycznych (Al x O y AlN x , SiO x ) w tzw. metalicznym modzie rozpylania, tzn. z szybkościami porównywalnymi do tych, z jakimi nanoszone są czyste warstwy metaliczne w procesach niereaktywnych. Eksperymentalnie wykazano możliwość osadzania warstw w procesach impulsowego autorozpylania magnetronowego, tj. bez obecności gazu roboczego (przy ciśnieniu tła gazowego stanowiska próżniowego). Mod autorozpylania realizowano przy dwóch rodzajach zasilania impulsowego. W badaniach stosowano magnetron kołowy WMK-50 produkowany w WEMiF Politechniki Wrocławskiej, zdolny do prowadzenia procesów rozpylania dużej mocy. Wspomniane metody otwierają nowe możliwości sterowania parametrami procesu rozpylania, a tym samym nowy sposób kontrolowania właściwości osadzanych warstw.
EN
The pulsed, reactive high efficiency magnetron sputtering and self-sustained sputtering have been presented. A deposition rates of Al x O y , AlN x , SiO x were comparable respectively with deposition rates of Al and Si targets sputtered in argon ambient. It is assumed that it was possible thanks to the magnetron operation in the metallic mode. Concerning self-sustained magnetron sputtering it has been experimentally verified that such mode of magnetron operation can be achieved using impulse power supply.
EN
The paper presents studies of the influence of substrate type and its placement on structural properties of TiO2 thin films prepared by the high energy reactive magnetron sputtering method. During the deposition, conditions of the magnetron powering have been especially selected to enhance the nucleation energy. Thin films were deposited on Si(100) and SiO2. Substrates were placed on a plate at three distances from the centre of the target. Selected substrates were also placed under various angles with respect to the plate. Thin films were examined using X-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM). XRD analysis showed existence of TiO2-rutile phase with preferred (110) orientation and AFM measurements revealed nanocrystalline structure of the films.
PL
W pracy przedstawiono wybrane zagadnienia związane ze sterowaniem procesem rektywnego rozpylania magnetronowego. Omówiono najczęściej stosowane metody sterowania. Przedstawiono zależność opisującą charakterystykę prądowo-napięciową oraz sposób modelowania dynamiki procesu związanego z reaktywnym rozpylaniem. Zaproponowano układ regulacji do pracy w trybie przejściowym.
EN
Some aspects of reactive sputtering process control are presented. Most popular control methods are described. current-voltage relation and modelling dynamics of reactive sputtering are presented. Block diagram of a feedback system is proposed.
PL
Przedstawiono model dynamiki opisujący zależności między podstawowymi wielkościami charakteryzującymi reaktywne rozpylanie, takimi jak prąd i napięcie wyładowania, przepływ i ciśnienie gazu reaktywnego. Wykorzystano statyczne charakterystyki rzeczywistego magnetronu i przyjęto inercyjny charakter zmian wszystkich zmiennych procesowych. Model umożliwia przeprowadzenie analizy skuteczności stosowania metod sterowania prądem, napięciem, przepływem lub ciśnieniem gazu reaktywnego.
EN
The paper presents a dynamic model that describes relations between basic quantities of reactive sputtering, such as current and discharge voltage, flow and pressure of reactive gas. Static characteristics of real magnetron are used and inertial dynamics of all process variabies is assumed. The model permits to determine whether particular control method, i.e. by using current, voltage, flow or pressure of reactive gas, is effective.
PL
Duża szybkość osadzania powłok jest jednym z wymogów stawianych urządzeniom do reaktywnego jonowego rozpylania. Aby to osiągnąć, proces musi odbywać się w trudnym do kontrolowania przejściu po-między trybem metalicznym a reaktywnym. W artykule przedstawiono kilka metod stosowanych obecnie do sterowania takim procesem.
EN
High rate deposition is one of requirements for reactive sputtering devices. To achieve this the process must take place in difficult to control transition between metallic and reactive mode. The article presents a few methods currently used to control such a process.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.