Ograniczanie wyników
Czasopisma help
Autorzy help
Lata help
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 36

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  azotek krzemu
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
EN
Four municipal waste incineration plants were visited in Belgium. Facilities mainly consist of grate furnaces. During stopping for maintenance, in situ observations were mainly realized in two plants, refractory and slag samples were collected. These samples were observed and analysed in laboratory: ICP chemical analysis, X-ray diffraction, scanning electron microscopy, EDS analysis, thermo-optical analysis. Three mechanisms of degradation were identified. Their appearance mainly depends on the location in the furnace. On site observation and laboratory investigations allow to understand and to model the degradation mechanisms of materials versus composition, temperature, and their locations in the furnaces.
PL
Odwiedzono cztery belgijskie spalarnie odpadów komunalnych. Obiekty składają się głównie z pieców rusztowych. Podczas postoju z powodu konserwacji w dwóch zakładach przeprowadzono głównie obserwacje in situ i pobrano próbki materiałów ogniotrwałych i żużla. Próbki te obserwowano i analizowano w laboratorium: analiza chemiczna ICP, dyfrakcja rentgenowska, skaningowa mikroskopia elektronowa, analiza EDS, analiza termooptyczna. Zidentyfikowano trzy mechanizmy degradacji. Ich występowanie zależy głównie od lokalizacji w piecu. Obserwacje na miejscu i badania laboratoryjne pozwalają zrozumieć i modelować mechanizmy degradacji materiałów w zależności od składu, temperatury i ich lokalizacji w piecach.
EN
The effect of sintering time on the chosen mechanical and tribological properties of silicon nitride (Si3N4) with 5 wt.% of yttrium aluminium garnet (Y3Al5O12) ceramics was investigated. The Si3N4 ceramics sintered for shorter time contained a larger portion of untransformed a-Si3N4 phase which has higher hardness compared to the tougher β-Si3N4 phase. The fracture toughness of Si3N4 ceramics increased with the prolongation of its sintering time. The microcutting wear mechanisms predominated during the grinding of the Si3N4 ceramics with the Al2O3 abrasives. The hardness of ceramic material had a great effect on its wear resistance. The wear of ceramics at friction with 18Cr-8Ni type of austenitic stainless steels was several times higher compared to friction with 14Cr type of ferritic stainless steel. Under these conditions, the microcracking wear mechanisms predominated.
EN
The effect of mechanical properties on wear resistance of Si3 N4 – SiC composite materials with different portions of SiC strengthening phase was investigated. Properties of monolithic silicon nitride were compared to ceramic composites consisting of Si3 N4 matrix with 10 and 20 vol.% SiC. The SiC strengthening phase had a positive effect on the hardness of Si3 N4 – SiC ceramic composite materials. Wear resistance of tested ceramic materials was mainly influenced by their fracture toughness. The highest wear resistance value was achieved for material with the highest fracture toughness. Worn surfaces of all experimental ceramic materials were damaged by both microcutting and microcracking mechanism. Microcracking was the predominant wear mechanism mainly at ceramic composites. The wear resistance of SiC-Si3 N4 ceramic composites can be described by the model W ~ HV/KIC.
PL
W pracy zaprezentowano wyniki oznaczania zawartości węgla całkowitego oraz węgla wolnego w materiałach zawierających węglik krzemu, azotek krzemu i tlenoazotki krzemu. Otrzymane zawartości C wykorzystywano do oznaczenia zawartości SiC w badanych materiałach. Prezentowana metoda oznaczania SiC jest dużo szybsza od klasycznych metod analitycznych. Otrzymane wartości stężenia SiC porównywano z danymi z certyfikatów oraz z wynikami otrzymanymi metodą klasyczną. Poprawność stosowanej metody oznaczania zawartości SiC została potwierdzona. W celu oznaczenia zawartości pierwiastków cięższych od fluoru zastosowano metodę fluorescencji rentgenowskiej. Przedstawiono wyniki uzyskane dla certyfikowanych materiałów odniesienia.
EN
The results of total and free carbon determination in materials containing silicon carbide, silicon nitride and silicon oxynitrides have been presented. This method of SiC determination is much faster than the classical analytical method. The obtained C contents were used to determine SiC concentration in the examined materials. These concentrations were compared with certified values and concentrations obtained by the classical analytical method. The correctness of the method used to determine SiC content was proved. To determine the total concentrations of elements heavier than fluorine, X-ray fluorescence was used. The results obtained for certified reference materials have been presented.
5
Content available remote Mechanical properties of hot-pressed Si3N4-TiN grain composites
PL
W pracy zbadano właściwości mechaniczne kompozytów ziarnistych Si3N4-TiN otrzymywanych metodą prasowania na gorąco z komercyjnych proszków. Drobnoziarnisty azotek tytanu był homogenicznie rozmieszczony w mikrostrukturze spieków. Zaobserwowano poprawę wytrzymałości na zginanie materiałów. Odporność na kruche pękanie kompozytów nie uległa poprawie.
EN
Dense Si3N4-TiN composites were prepared from commercial powders using hot pressing method. Titanium nitride grains were homogenously distributed in material’s microstructure. Flexural strength of materials increased with TiN amount and reached 880 MPa. Fracture toughness of materials varied between 7 and 8 MPa m0,5.
EN
The aim of this was to evaluate influence of different heat treatment conditions on microstructure and hardness of surface layer of cast iron elements. The molecular CO2 laser with 2600W output power and TEM01 mode was used to perform surface modification. An optical and scanning microscopes, Auger electron spectroscope, X-ray diffractometer, EDS microanalyser and hardness Vickers tester were used to assess the result of the surface modification. The research showed, that it is possible to modify the surface layer of cast iron by laser alloying with silicon nitride. After laser alloying it is possible to achieve the alloyed zone (containing nitrogen and silicon) with uniform, fine, dendritic microstructure similar to the hardened white cast iron. Microstructure of alloyed zone as well as its size depended on laser heat treatment parameters. In case of alloyed zones formed with higher laser power density and its smaller interaction time (which generate higher cooling rates) it was noted higher amount of undiluted graphite and new-formed phases like Fe1,94C0,055, FeN0,032, FeN0,076, FeSi, Fe2Si. In case of alloyed zone formed with higher cooling rate alloyed zone microstructure was finer and more homogenous. The average hardness of alloyed zone with silicon nitride was 5-times higher than matrix of the bulk material. Improved hardness of surface layer of cast iron by laser alloying with silicon nitride should favor better wear resistance of machine part cast iron treated in this way.
PL
Celem badań była ocena wpływu różnych warunków laserowej obróbki cieplnej na mikrostrukturę i twardość warstwy wierzchniej elementów żeliwnych. Do modyfikacji powierzchniowej wykorzystano laser molekularny CO2 o pracy ciągłej firmy Trumpf, o maksymalnej mocy 2600W i modzie TEM01. Oceny przeprowadzonej modyfikacji dokonano za pomocą mikroskopu optycznego, skaningowego, spektroskopu elektronów Auger, mikroanalizy rentgenowskie oraz dyfrakcji rentgenowskiej, a także mikrotwardościomierza metodą Vickersa. Badania wykazały, że istnieje możliwość modyfikacji warstwy wierzchniej żeliwa za pomocą stopowania laserowego żeliw azotkiem krzemu. Po stopowaniu laserowym można uzyskać strefę stopowaną (zwierającą azot i krzem) o jednorodnej, drobnej, dendrytycznej mikrostrukturze, o charakterze zbliżonym do zahartowanego żeliwa białego. Mikrostruktura strefy stopowanej, jak i jej rozmiar zależały od zastosowanych parametrów laserowej obróbki cieplnej. W strefach powstałych z zastosowaniem większej gęstości mocy i krótszego czasu oddziaływania, generujących większą prędkość chłodzenia na materiał odnotowano większą zawartość nie rozpuszczonego grafitu, a także większą zawartość nowopowstałych faz jak: Fe1,94C0,055, FeN0,032, FeN0,076, FeSi, Fe2Si. W przypadku stref uzyskanych z większą prędkością chłodzenia odnotowano większe rozdrobnienie i ujednorodnienie mikrostruktury. Średnia twardość stref stopowanych azotkiem krzemu była około 5-krotnie większa od twardości osnowy rdzenia. Zwiększenie twardości warstwy wierzchniej żeliw przez stopowanie laserowe azotkiem krzemu powinno sprzyjać zwiększeniu odporności na zużywanie obrobionych w ten sposób żeliwnych części maszyn.
EN
This paper presents the results of nanohardness measurements of silicon nitride (SiNx) and two types of diamond-like carbon films (DLC) deposited by radio-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (RF PECVD) method. In order to accurately determine hardness of SiNx and DLC films two approximation methods have been applied, where first includes an effect of the substrate (layer/substrate system), and the second takes into account an additional silicon dioxide (SiO2) interlayer (layer/SiO2/substrate system). In this work thickness and roughness of the films has also been investigated. The study has shown that the DLC films are slightly harder than SiNx films.
PL
Praca ta dotyczy badań twardości warstw azotku krzemu (SiNx) oraz warstw diamentopodobnych (DLC, ang, diamond-like carbon films) osadzanych metodą chemicznego osadzania z fazy lotnej wspomaganego plazmą. W celu dokładnego wyznaczenia twardości warstw SiNx i DLC zastosowano dwa rodzaje metod aproksymacji wyników pomiarów metodą nanoindentacji. Pierwsza z nich uwzględniała jedynie wpływ podłoża (warstwa/podłoże) natomiast w drugiej metodzie uwzględniono także wpływ dodatkowej warstwy SiO2 (tlenku krzemu) (warstwa/SiO2/podłoże). W niniejszej pracy badane były również grubość oraz chropowatość warstw. Badania wykazały, że warstwy DLC są nieco twardsze od warstw SiNx.
EN
The application of structural non-oxide ceramics is at present a common trend in machines and the construction of mechanical devices. Dense ceramic sinters made of silicon carbide or silicon nitride very often replace metallic parts. The advantages of ceramics are especially evident when they work as parts of machinery exposed to the action of loose and hard particles. The paper compares the abrasive wear susceptibility of both the mentioned phases and two particulate composites made on SiC and Si3N4 matrices. Two types of tests were performed. The Dry Sand Test, which indicates the wear susceptibility of the material to wear during the abrasive action of hard particles without any lubricant, was the first one. The Miller Test was the second. This test examined the wear of materials during the action of hard particles in a wet environment (pulp). In both tests the same abrasive, silicon carbide powder, was used.
PL
Zastosowanie ceramiki nietlenkowej jest obecnie powszechnym trendem w konstruowaniu części maszyn i urządzeń. Gęste spieki z węglika krzemu i azotku krzemu bardzo często zastępują części metaliczne. Zalety materiałów ceramicznych są wyraźnie widoczne wówczas, gdy części maszyn są narażone na działanie luźnych, twardych cząstek. Prezentowany artykuł porównuje podatność na zużycie ścierne obu wymienionych faz, a także kompozytów na ich osnowach. Wykonano dwa rodzaje testów zużycia. Pierwszy to tzw. Dry Sand Test, który mierzy podatność na zużycie ścierne luźnym ścierniwem, w warunkach suchych, bez smarowania. Drugim testem był tzw. test Millera, który pozwala uzyskać informacje na temat zużywania się materiałów podczas działania luźnych, twardych cząstek w środowisku mokrej pulpy, tj. gęstej zawiesiny. W obu testach użyto tych samych ziaren ściernych, gruboziarnistego węglika krzemu.
PL
W pracy zbadano wybrane właściwości fizyczne i mechaniczne materiałów otrzymanych z komercyjnie dostępnego azotku krzemu (Si3N4). Próbki azotkowe formowane metodą prasowania izostatycznego spiekano swobodnie w atmosferze azotu, następnie część próbek została poddana spiekaniu w warunkach ciśnienia izostatycznego (HIP). Dla obu serii próbek, różniących się procesem spiekania określono: gęstość pozorną, wytrzymałość na zginanie, twardość oraz krytyczny współczynnik intensywności naprężeń. Na podstawie otrzymanych wyników badań przeprowadzono analizę porównawczą materiałów uzyskanych w różnych procesach technologicznych i określono wpływ rodzaju spiekania na właściwości materiału.
EN
In the presented paper mechanical properties of silicon nitride (Si3N4) material were studied. Silicon nitride samples were obtained from commercially available powder. Two paths of ceramic manufacturing were applied to obtain fully densified bodies. All of the samples were sintered in nitrogen in atmospheric pressure. Part of the samples were additionally subjected to Hot Isostatic Pressing (HIP). Apparent density, bending strength, Vickers hardness and fracture toughness were measured for the two set of samples, which differed in preparation path. The results were analyzed in order to estimate the influence of pressure assisted post-sintering (HIP process) on the microstructure and mechanical properties of silicon nitride material.
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań nad nanoszeniem i własnościami warstw ceramicznych TiN- Si3N4 na tkaninach technicznych. Do nanoszenia warstw użyto impulsowego rozpylania magnetronowego średniej częstotliwości (MF). Tarcze wykonano ze spieków tytanowo-krzemowych zawierających do 10% at. krzemu. Spieki otrzymano techniką prasowania na gorąco. Naniesione cienkie warstwy zawierały azotek tytanu oraz azotek krzemu. Przeprowadzone badania przy użyciu mikroskopu elektronowego Philips CM20 potwierdziły nanokrystaliczno-amorficzną strukturę warstw. Przebadano dwa rodzaje tkanin technicznych firmy DuPont tj. nomex i kevlar, metodą termograficzną. Wykonano badania odporności uzyskanych pokryć na tkaninach. Stwierdzono, że pokrycie tkanin warstwami ceramicznymi TiN- Si3N4 zdecydowanie zwiększa odporność tych tkanin na strumień energii cieplnej.
EN
The paper presents the investigations of ceramic films deposition on textiles. Pulsed medium frequency (MF) sputtering was used to deposit the TiN- Si3N4 films. Targets were obtained from the titanium-silicon sinters containing up to10at.% of the silicon. The sinters were prepared by the hot pressing technique. Titanium nitride and silicon nitride were detected in the sputtered thin films. The amorphous-nanocrystalline films structure was confirmed with use of the electron microscope Philips CM20. The thermal resistance investigation of these films on textiles such as DuPont Kevlar and Nomex, was performed using thermographic method. It was found that the ceramic films greatly increase the textiles resistance to a heat flux.
PL
W niniejszej pracy przedstawiono wyniki badań nad nanoszeniem warstw ceramicznych na tkaninach. Do nanoszenia warstw wykorzystywano technikę magnetronową. Używano magnetronu planarnego typu WMK-50 z zasilaczem impulsowym firmy DORA POWER SYSTEM. Proces nanoszenia prowadzono w aparaturze próżniowej NA-501 produkcji TEPRO Koszalin. Target wykonano ze spieków tytanowo-krzemowych zawierających do 10% at. krzemu. Spieki otrzymano techniką prasowania na gorąco. Naniesione cienkie warstwy zawierały azotek tytanu oraz azotek krzemu. Przeprowadzone badania przy użyciu mikroskopu elektronowego Philips CM20 potwierdziły nanokrystaliczno-amorficzną strukturę warstw. Metodą termograficzną wykonano badania odporności uzyskanych pokryć na tkaninach firmy DuPont takich jak nomex czy kevlar. Stwierdzono, że pokrycie ceramiczne zdecydowanie zwiększa odporność tych tkanin na strumień energii cieplnej.
EN
The paper presents the results of ceramic films deposition on textiles. To obtain the films the planar magnetron WMK-50 with pulsed power supply DPS was used. Processes were conducted in a vacuum apparatus NA-501 Koszalin TEPRO production. Targets were obtained from the titanium-silicon sinters containing up to 10% at. silicon. The sinters were obtained using the hot pressing technique. Sputtered thin films contained titanium nitride and silicon nitride. The amorphous-nanocrystalline films structure was confirmed with use of Philips CM20 electron microscope. The thermal resistance investigation of these films on textiles such as DuPont Kevlar and Nomex, was performed using thermographic method. It was found that the ceramic films greatly increase the textiles resistance to a heat flux.
PL
Przedstawiono charakteryzacje powierzchni warstw azotku krzemu przy użyciu spektroskopii fotoelektronów generowanych promieniowaniem X. Warstwy osadzano metodą chemiczną ze wspomaganiem plazmowym PECVD z użyciem generatora niskiej (LF-100 kHz) i radiowej częstotliwości (RF-13,56 MHz). Pokazano, ze warstwy osadzane przy użyciu metody RF PECVD mają większą zawartość fazy krzemowej przy podobnej zawartości fazy i₃N₄. Warstwy nanoszone przy użyciu generatora LF lepiej nadają się więc na warstwy antyrefleksyjne i pasywujące, natomiast warstwy nanoszone przy użyciu generatora RF do wytwarzania struktur wielowarstwowych z krzemowymi krystalicznymi kropkami kwantowymi dla ogniw trzeciej generacji.
EN
Surface characterization of the silicon nitride layer using XPS method is presented. The layers were deposited by PECVD method applying low frequency (LF-100 kHz) or radio frequency (RF-13.56 MHz) generators. It was shown that the layers deposited with RF PECVD contain more silicon phase than the layers deposited with LF PECVD for the same contents of Si₃N₄ phase. The LF PECVD SiNx layers are more suitable for ARC and passivation layers whilst the RF PECVD for multilayered structures with silicon quantum dots that are used for third generation solar cells.
EN
Nanostructured silicon nitride and aluminium nitride powder mixtures have been successfully produced by high-energy mechanical activation in the planetary mill. The effect of planetary milling parameters (time, ball-to-powder ratio, surfactants addition) and means of deagglomeration by the ultrasound disintegration (type of dispersant, the ultrasonic action) were studied. The resultant powders were examined by XRD, SEM and TEM as well as the specific surface area (BET) was measured and grain size distribution was analyzed. It has been found that significant agglomeration occurred in the samples milled with the highest energy accompanied by the severe destruction of the crystal lattice. The results show the crucial effect of dispersant action for a one-modal distribution of the milled powders.
PL
Proces mechanochemiczny w młynku planetarnym został z powodzeniem zastosowany do otrzymywania nanostrukturalnych proszków w mieszaninie azotku krzemu i glinu. Badano wpływ parametrów procesu mielenia i deaglomeracji takich jak: czas mielenia, prędkość obrotowa młyna, średnica mielników, stosunek mielników do proszku, rodzaj i ilość dodatków powierzchniowo czynnych, czas i energia dezintegracji ultradźwiękowej na właściwości proszku po procesie. Przeprowadzono badania XRD, SEM, oraz TEM, badania powierzchni właściwej metodą BET oraz rozkład dystrybucji ziarn metodą laserową po procesie mechanochemicznym prowadzonym z różną energią. Stwierdzono, że w wyniku zastosowania najwyższej energii mielenia następowało znaczące zniszczenie sieci krystalicznej w ziarnach proszku, ale towarzyszyło im zjawisko znacznej aglomeracji. W uzyskaniu jednomodalnego rozkładu ziarnowego mieszaniny proszków kluczowa role odgrywa działanie zastosowanego środka dyspergującego.
14
Content available remote Sintered stainless steel surface alloyed with Si3N4 powder
EN
Purpose: The goal of this study was to investigate effects of laser surface alloying with Si3N4 powder on the microstructural changes and properties of vacuum sintered stainless steels, both austenitic X2CrNi17-12-2, ferritic X6Cr13 and duplex X2CrNiMo22-8-2. Design/methodology/approach: High power diode laser (HPDL) was applied to surface modification of sintered stainless steels with Si3N4 powder. The influence of laser alloying conditions on the width, penetration depth of alloyed surface layer were studied and analysed via FEM simulation. The microstructure of alloyed layers was examined using light and scanning electron microscopy as well as X-ray diffraction. The microhardness and wear resistance of studied surface layers were also evaluated. Findings: The hardness increased with addition of Si3N4 due to strong solution hardening effect of nitrogen and silicon that dissolved in the steel matrix during laser alloying. The strong austenite stabilizer effect of nitrogen was observed in ferritic stainless steel that revealed duplex microstructure. The hardness increased with addition of Si3N4 due to strong solution hardening effect of nitrogen and silicon dissolved in the steel matrix during laser alloying. The hardening effect of Si3N4 was strongest in case of ferritic stainless steel where microhardness increased to 450 HV0.1 for 2.1 kW of laser beam power. The duplex stainless steel shows the regular microhardness on the whole penetration depth. Laser surface alloying with Si3N4 improved wear resistance of sintered stainless steels compared to not processed stainless steel as well as comparing layers prepared as machined grooves and surface with pre-coated paste. Practical implications: Laser surface alloying with Si3N4 powder can be an efficient method of surface layer hardening of sintered stainless steels and produce improvement of surface layer properties in terms of hardness and wear resistance. Moreover, application of high power diode laser HPDL and surface prepared as machined grooves can guarantee uniform heating of treated surface, thus uniform thermal cycle across processed area and uniform penetration depth of alloyed surface layer. Originality/value: Application of high power diode laser can guarantee uniform heating of treated surface, thus uniform thermal cycle across processed area and uniform penetration depth of alloyed surface layer.
15
Content available remote Silicon nitride for photovoltaic application
EN
Purpose: of this paper is to present the research results of silicon nitride SiNx films used for industrial silicon solar cells and for third generation solar cells. Design/methodology/approach: The SiNx films were deposited using RF- and LF-PECVD methods. The optical and structural properties were investigated by spectroscopic ellipsometry, XPS, FTIR spectroscopy and X-Ray reflectometry. The passivation properties were investigated by carriers lifetime measurements using a photoconductance decay (PCD) technique. For the photovoltaics of third generation the multilayer structures of SiNx were deposited and annealed in order to obtain the silicon quantum superlattices. These structure were characterized by high-resolution TEM, GI-XRD, photoluminescence, Raman and SPV spectroscopy. Findings: It is shown that the layers deposited by LF PECVD have more profitable optical and electrical properties for industrial silicon solar cells than those deposited by RF PECVD. The other finding is that multi-layer structure of SiNx annealed at high temperature shows the properties of the new semiconductor with the gap energy broader then the gap of the silicon. Research limitations/implications: The maximal density of SiNx layers is equal to 2.6 g/cm3. It is too low to obtain high efficiency mc-Si cells. The deposition process should be further optimized. The other limitation is obtaining a regular structure of quantum superlattice composed of quantum dots with defined diameter and density which is a very difficult technological task. This work should be continued in the future. Practical implications: The results of SiNx investigation can be used to increase the efficiency of mc-Si solar cells. The results of multilayer SiNx investigations may be applied to a solar cells based on silicon QDs superlatice. Originality/value: The work present useful methods for optimisation of passivation properties of SiNx films. The other value of the paper is obtaining new kind of nanomaterial composed of Si quantum dots embed in the dielectric matrix.
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań warstw (Cr,Si)N/TiN, naniesionych na 4-ostrzowych płytkach tokarskich wykonanych z węglików spiekanych. Warstwę podłożową z TiN nanoszono za pomocą techniki łukowej. Do nanoszenia warstwy wierzchniej z (Cr,Si)N wykorzystano magnetron WMK-50. Reaktywne rozpylanie w mieszaninie argonu i azotu prowadzono z targetów wykonanych ze spieków chromowo-krzemowych o zawartości 0,5; 1,0; 2,0; 3,0; 4,0 i 5,0% at. Si. Obserwacje mikrostruktury powłok z wykorzystaniem transmisyjnej mikroskopii elektronowej pozwoliły stwierdzić, że warstwa (Cr,Si)N ma silnie zdefektowaną budowę kolumnową o krystalitach o wielkości od 50 do 100 nm. Metodą ball-on-disc wykonano testy odporności na zużycie ścierne powłok naniesionych na płytki tokarskie. W rzeczywistych warunkach eksploatacji wykonano na dużej próbie testy pracą podczas toczenia wzdłużnego oraz poprzecznego. Toczenie prowadzono bez chłodzenia. Przy toczeniu wzdłużnym stosowano prędkości 70 i 119 m/min. Przy prędkości 70 m/min trwałość płytek z powłoką przewyższała prawie pięciokrotnie trwałość płytek fabrycznych, zaś przy prędkości skrawania 119 m/min - aż dziesięciokrotnie. Obrabiano wałki ze stali 13HMNF. Przy toczeniu poprzecznym, dokładnej obróbce poddano krążki ze stali OH18N9. Stosowano trzy prędkości skrawania: VCśr1 = 42 m/min, VCśr2 = 52 m/min oraz VCśr3 = 68 m/min. Przy pręaKości VCśr = 52 m/mln, płytki z powłoką posiadały siedmiokrotnie większą trwałość w porównaniu z płytkami bez powłoki. Dobre wyniki testu pracą badanych powłok wskazują na możliwość ich wykorzystania na narzędziach skrawających z węglików spiekanych w obróbce bez chłodzenia.
EN
The paper presents results of investigation conducted for (Cr,Si)N/TiN coatings deposited at sintered carbides 4-edge inserts for milling. The base layer of TiN had been deposed using arc technique. To obtain the top layer the magnetron WMK-50 had been used. Reactive sputtering in argon-nitrogen mixture had been conducted from chromiumsilicon sinter targets with following content of silicon: 0.5, 1.0, 2.0, 3.0, 4.0 and 5.0% at. Si. Based on observations of the coatings microstructure performed with HREM, it had been found that (Cr,Si)N layer has significantly detected column structure with crystallites of about 50 to 100 nm. The coated inserts for turning were tested for abrasion wear resistance by the "ball-on-disc" method. The work tests during sliding and surfacing for large size statistical sample were mad e in the industrial conditions. The testing turning without cooling was used. The slided stock was 13HMNF steel shafts and the cutting speed for sliding were 70 m/min and 119 m/min. At that speeds the tooll life of coating inserts was correspondingly - nearly five times and ten times higher than the tooll life of uncoated inserts. At surfacing the 0H18N9 discs were finishing turned. Three values of mean cutting speed were used : Vcm1 = 42 m/min; Vcm2 = 52 m/min and Vcm3 = 68 m/min. At 52 m/min mea n cutting speed the coated inserts tool life was seven times higher than the tool life of analogical uncoated inserts. Good results of working tests of researched coatings shows, that the application of them for sintered carbides inserts at cutting without cooling is possible.
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań warstw (Cr,Si)N/TiN naniesionych na płytkach frezarskich 3- i 4-ostrzowych wykonanych z węglików spiekanych. Warstwę podłożową z TiN nanoszono przy użyciu techniki łukowej. Do nanoszenia warstwy wierzchniej z (Cr,Si)N wykorzystano magnetron. Reaktywne rozpylanie w mieszaninie argonu i azotu prowadzono z targetów wykonanych ze spieków chromowo-krzemowych o zawartości 0,5; 1,0; 2,0; 3,0; 4,0 i 5,0% at. Si. Nanoszenie przeprowadzano w temperaturach 300, 400, 500 i 600°C. Obserwacje mikrostruktury powłok z wykorzystaniem transmisyjnej mikroskopii elektronowej pozwoliły stwierdzić, że warstwa (Cr,Si)N ma silnie zdefektowaną budowę kolumnową o krystalitach o wielkości od 50...100 nm. Nie stwierdzono obecności fazy Si₃N₄ w badanych warstwach. Twardość powłok przy obciążeniu 50 mN przekraczała 20 GPa. Test pracą (skrawano stal trudnoobrabialną 13 HMNF, 330 HB) wykazał prawie dwukrotne wydłużenie czasu eksploatacji płytek z powłokami (Cr,Si)N uzyskanymi z targetów TO.5 oraz T5 w stosunku do tych z powłokami CrN (trzykrotne w odniesieniu do płytek - "fabrycznych"). Bardzo wysoki wzrost odporności na zużycie uzyskano przy toczeniu stali bez chłodzenia. Najwyższy, bo prawie dziesięciokrotny wzrost odporności na zużycie w stosunku do płytek bez naniesionych warstw, wykazały te, które miały powłoki wytworzone z targetu o 5% zawartości Si.
EN
The paper presents results of investigation conducted for (Cr,Si)N/TiN coatings deposited at sintered carbides 3-edge and 4-edge inserts for milling. The base layer of TiN had been deposed using are technique. To obtain the top layer the magnetron had been used. Reactive sputtering in argon-nitrogen mixture had been conducted from chromium-silicon sinter targets with following content of silicon: 0.5,1.0, 2.0, 3.0, 4.0, and 5.0 at.% Si. Deposition had been conducted under different temperatures: 300, 400, 500 and 600°C. Based on observations of the coatings microstructure performed with HREM, it had been found that (Cr,Si)N layer has significantly defected column structure with crystallites of about 50...100 nm. Si₃N₄ phase had not been found in any of investigated layers. Hardness of coatings at 50 mN load exceeded 20 GPa. Working test (machine cutting of cutting-resistant steel 13 HMNF, 330 HB) showed almost double increase of exploitation time for inserts with (Cr,Si)N coatings obtained with TO.5 and T5 targets in comparison to inserts with CrN coatings (triple increase in comparison to "typical" inserts). Significant wear-resistant improvement had been obtained for steel turning without cooling. The highest, even ten times prolonged wear-resistant in comparison to un-coated inserts had been obtained for inserts with coatings produced from targets with 5at.% of Si.
EN
Two approaches have been presented to model the complex gas phase kinetics and nucleation of silicon nitride from the gaseous precursors: silane and ammonia in a laser-induced chemical vapour precipitation reactor. A comparison between the conventional and hybrid first principle-neural network model was made.
PL
Przedstawiono dwie metody modelowania kinetyki złożonej reakcji chemicznej w fazie gazowej z jednoczesną nukleacją azotku krzemu z gazowych reagentów, silanu i amoniaku, w reaktorze typu CVP. Dokonano porównania modelu konwencjonalnego z modelem hybrydowym.
PL
Przeprowadzono badania warstw azotku krzemu osadzonych na płytkach z fosforku indu metodą PECVD (Plasma Enhanced Chemical Yapor Deposition) z wykorzystaniem do wytwarzania plazmy dwóch generatorów pracujących na różnych częstotliwościach. Celem badań było ustalenie warunków wytwarzania warstw azotku krzemu stosowanych w technologii planarnych fotodiod wykonanych na bazie InP, w których obszarem absorpcyjnym są studnie kwantowe z InxGa1-xAs. Warstwy azotku krzemu były osadzane w temperaturach pomiędzy 250°C i 300°C. Podstawą do oceny wytworzonych warstw były wyniki badań: ich składu chemicznego, struktury, współczynnika załamania, poziomu naprężeń, rezystywności, wytrzymałości dielektrycznej, stałej dielektrycznej i efektywnej gęstości powierzchniowej ładunków elektrycznych. Stwierdzono, że warstwy osadzane w temperaturze 250°C mają najlepszą strukturę, dobrze spełniają rolę maski w procesie selektywnej dyfuzji cynku, a właściwości elektryczne umożliwiają wykorzystanie ich do pasywacji powierzchni bocznych złącz p-n, pod warunkiem zastosowania odpowiedniego cyklu wygrzewań po procesie osadzania.
EN
Silicon nitride films, deposited on InP wafers by the PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) method, have been investigated in terms of their applicability in the technology of InP based planar photodiodes with the InxGa1-xAs quantum well absorption region. In order to compensate the mechanical stress in the films, the plasma was excited by two radio-frequency sources operating at frequencies of 13,56 MHz and 100 kHz. The films were deposited at different temperatures in the range of 250 - 300°C. The chemical composition of all examined films, determined by the RBS (Rutherford Backscattering Spectrometry) method, is very close to that of stoichiometric Si3N4. The films contain a large amount of hydrogen. The hydrogen content, evaluated by the NRA (Nuclear Reactions Analysis) technique, exceeds 30 %. The silicon nitride films deposited at 300°C have grown much faster on InP wafers than on Si wafers placed beside these and the structure of both films is different. As the films deposited on Si are amorphous with smooth surfaces, the films deposited on InP are heterogeneous with rough surfaces. These last ones exhibit lower Si-N bond concentration, lower refractive index, higher extinction coefficient, lower resistivity and lower dielectric breakdown strength than the films deposited on silicon. Deterioration of the film quality is caused probably by the reaction of phosphorus, released from the InP substrate at the beginning of the deposition process, with deposited SiNx:H. Such films should not be used in the fabrication of InP based planar photodiodes. When the deposition temperature decreases, the properties of silicon nitride films improve. Their structure becomes more homogeneous and the Si-N bond concentration increases. The silicon nitride films deposited on InP at 250°C have the same amorphous structure and the same Si-N bond concentration, determined from FTIR (Fourier Transform Infrared Spectroscopy) absorption characteristics, as the films deposited on silicon. They exhibit the highest refractive index, the lowest extinction coefficient, the highest resistivity and the highest dielectric breakdown strength. These films are continuous, they do not crack during thermal processes and they can be applied as masking layers for the selective Zn diffusion used to form the p-n junctions. Unfortunately the films deposited at 250°C have the highest hydrogen content and the highest effective charge density. These films cannot be applied directly to passivate the p-n junction side surfaces. Measurements of hydrogen depth profiles and of FTIR absorption characteristics have revealed that the amount of hydrogen and of Si-N, Si-H and N-H bonds changed during annealing. An analysis of C-V characteristics of Al/Si3N4:H/InP MIS capacitors containing these films has shown, that annealing of the Si3N4:H films reduced the electronic defect state density at the Si3N4:H/InP interface. It is possible to take advantage of the thermal instability of silicon nitrides deposited by the PECVD method and to reduce the trap state density and the effective charge density by proper annealing processes. These investigations have enabled us to achieve reverse current values as low as 4 - 15 pA at the voltage of - 5 V and 200 - 500 pA at the voltage of -50 V for planar InP diodes with the 320 um diameter p-n junction. A high yield of 90 % is obtained. These results make a good base for development of planar photodiodes with InxGa1-xAs quantum wells inserted into the depletion region of the InP p-n junction.
20
Content available remote Silicon nitride ceramics - review of structure, processing and properties
EN
Purpose: The purpose of this review is to examine the development of silicon nitride and the related sialons and their processing into a range of high-grade structural ceramic materials. Design/methodology/approach: Silicon nitride is one of the major structural ceramics that possesses high flexural strength, good fracture resistance, good creep resistance and high hardness. These properties arise because of the processing route which involves liquid phase sintering and the development of microstructures in which high aspect ratio grains and intergranular glass phase lead to excellent fracture toughness and high strength. Findings: This review has examined the development of silicon nitride and the related sialons and their processing into a "family" of structural ceramic materials with high hardness, strength, fracture toughness, creep resistance and wear resistance. Practical implications: The development of knowledge of microstructure-property relationships in silicon nitride materials is outlined, particularly recent advances in understanding of the effects of grain boundary chemistry and structure on mechanical properties. Originality/value: This review should be of interest to scientists and engineers concerned with the processing and use of ceramics for engineering applications.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.