Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Electron radiation effects on RuO2-based thick-film temperature sensors

Mleczko K., Zawislak Z., Kolek A., Danilchenko B., Voitsihovska O.

Optica Applicata

2011

Vol. 41, nr 2

455--462

The paper discusses the effects of electron radiation on resistance type Ru-based thick-film temperature sensors. Specimens, both commercial and lab made, were irradiated by the electron beam of the fluence from 5×1015 to 5×1017 e/cm2. R vs. T characteristics were measured from 4 to 300 K before irradiation and after each radiation dose. Measurements show that sensors containing a higher amount of metallic phase (lower resistance) are more immune to radiation. This statement concerns also low frequency noise which was observed to increase less for low-resistance samples. Our conclusion is that the application of Ru-based temperature sensors in the radiation environment is limited to the low temperature region - below 20…25 K.

Źródła szumów w rezystorach grubowarstwowych na bazie dwutlenku rutenu

Kolek A., Zawislak Z., Stadler A. W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2005

Vol. 46, nr 10

38-40

Omówiono metodę pomiarów weryfikujących koncepcję, zgodnie z którą źródłem szumów niskoczęstotliwościowych są systemy dwustanowe o kinetyce aktywowanej termicznie. Pokazano, że takie systemy wywołują szumy w rezystorach grubowarstwowych wykonanych z past rezystywnych na bazie dwutlenku rutenu i szkła.

A study on low-frequency noise sources in thick film resistors made of resistive pastes based on ruthenium dioxide and glass has been presented. The paper focuses on the excess noise spectrum dependence on temperature in the range 77 K < T < 300 K. Experimental data have been then analyzed to extract characteristic values of activation energy and time constant describing unique features of the measured spectra. It has been proved that the noise in RuO2 + glass thick film resistors is caused by two-states systems of thermally activated kinetics.