Ograniczanie wyników
Czasopisma help
Autorzy help
Lata help
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 110

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 6 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  SiC
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 6 next fast forward last
PL
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów sprawności czterech falowników o mocy wyjściowej do 450W, dwóch zbudowanych na tranzystorach SiC a dwóch na GaN. Tranzystory mają klasę napięciową (650 – 900)V, prądową (20-30)A, obudowy przewlekane (TO-220, TO-247) i SMD (np. D2PAK-7). Badania wykazały, że tranzystory GaN pozwalają na uzyskanie sprawności całkowitej (89-92)% natomiast tranzystory SiC sprawności (70-80)%. Uzyskane sprawności falowników z tranzystorami GaN są wyższe niż podobnych falowników z najlepszymi Si RF MOSFET.
EN
Efficiency measurement results of the four inverters with output power up to 450W, built with SiC (2x) and GaN (2x) transistors are presented in the paper. Used transistors were in (650-900)V voltage class, (20-30)A current class, (TO-220, TO-247) THT cases and (e.g. D2PAK-7) SMD cases. The research has shown that GaN and SiC transistors allow to obtain total efficiency of (89-92)% and (70-80)% respectively. The obtained efficiency results of the inverters with GaN transistors are higher than similar inverters with the best Si RF MOSFETs.
PL
W pracy zaproponowano metodę przygotowywania topionych pereł do analizy chemicznej metodą XRF dla materiałów ogniotrwałych zawierających węglik krzemu. Opracowana metoda utleniania SiC zawartego w próbce za pomocą mieszaniny węglanu sodu i boraksu pozwala na uzyskanie stopu bez zniszczenia platynowych tygli. Z tak otrzymanego stopu przygotowuje się perły litowo-boranowe odpowiednie do analizy chemicznej metodą XRF. Poprawność uzyskiwanych wyników potwierdzono, wykonując analizy certyfikowanych materiałów odniesienia zawierających SiC.
EN
This paper proposes a method for the preparation of fused beads for chemical analysis using the XRF method for refractory materials containing silicon carbide. The developed method of oxidizing SiC contained in the sample with a mixture of sodium carbonate and borax allows to obtain an alloy without destroying the platinum crucibles. From the alloy thus obtained lithium-borate beads suitable for chemical analysis by XRF are prepared. The correctness of the obtained results was confirmed by the analysis of certified reference materials containing SiC.
3
EN
The paper presents the results of the electrodeposition of nickel composite coatings reinforced with the nano size SiC ceramic particles. The type and size of the ceramic particles or organic additives used play a important role during electrodeposition processes. A Watts type galvanic bath with various organic additives was used. These additives were: 2-sulfobenzoic acid imide, dioctyl sulfosuccinate sodium salt (DSS), sodium dodecyl sulfate, tris (hydroxymethyl) aminomethane and hexamethyldisilizane. The nickel composite coating was electrodeposited on a 2xxx aluminum alloy series substrate (EN-AW 2017) with zinc interlayer. The work concerns the determination of the impact of the change in the zeta potential of SiC nanoceramic particles used on properties of composite coatings (wear resistance, corrosion, etc.). The paper characterized the composite nickel coatings on aluminum alloy using SEM techniques, wear resistance tests by TABER method and coating adhesion to the substrate using the “scratch test” method. The corrosion resistance of coatings was also tested using electrochemical methods. The research allowed to determine the effect of SiC nanoceramic particle size on the value of the zeta potential in the model KCl solution.
EN
Copper have always been an important material and incorporation of elements into copper for property enhancement. Bronze is a relevant cuprous alloy which is important for many industrial and automotive applications like bearings and machineries. The present research is directed towards the fabrication and tribological analysis of regular bronze (Cu-6Sn) and metal matrix composites reinforced with varying particle sized SiC ceramic reinforcement (30, 35 and 40 μm). The developed specimens were subjected to wear analysis according to ASTM standards, to identify the tribological properties utilizing a pin on disk tribometer. It was noted that the wear rates of developed MMC’s phenomenally decremented with an increase in size of SiC particle reinforcement. Also, the test parameters were influential in altering the wear rates to notable margins. The standard scanning electron microscopy techniques aided in identifying the influence of adhesive wear on the specimen surface.
5
Content available remote Przegląd metod czyszczenia powierzchni podłoży SiC
PL
Zapewnienie wysokiego poziomu uzysku produkcyjnego w technologii półprzewodnikowej wymaga opracowania poszczególnych procesów technologicznych wytwarzania przyrządu oraz wysokiej jakości podłoża. Podstawowymi wskaźnikami jakości podłoży półprzewodnikowych jest gęstość określonego rodzaju defektów oraz poziom czystości powierzchni podłoży przed kolejnymi procesami. W niniejszym komunikacie dokonano przeglądu obecnego stanu wiedzy na temat metod przygotowania i czyszczenia powierzchni węglika krzemu.
EN
Fabrication of an efficient, reliable and durable semiconductor device requires not only the development of specific technological processes used during its production, but also a high quality substrate. The quality of the substrate can be determined by the level of contamination of their surfaces and the presence of defects. They can interfere with proper operation or shorten the life of the instruments. This article reviews the current state of knowledge on the methods of preparation and cleaning of silicon carbide surfaces.
PL
Praca opisuje badania mikrostruktury kompozytowej powłoki Cu-SiC-G powstałej w procesie natapiania w piecu próżniowym mieszaniny proszków miedzi (Cu) i węglika krzemu (SiC) na podłoże stalowe. Zastosowana mieszanina proszków stanowi materiał odpadowy pochodzący z procesu wytwarzania struktur węglowych, w tym grafenu (G), na proszkach miedzi, opracowanego w Instytucie Mechaniki Precyzyjnej. Na powierzchni powłoki Cu-SiC-G występują licznie ziarna SiC o nieregularnych, ostrych krawędziach, stanowiące fazę umacniającą metaliczną osnowę. W wyniku działania wysokiej temperatury (do 1110°C) część SiC w kontakcie z Cu ulega termicznemu rozkładowi. Zdysocjowany Si i C dyfunduje w kierunku podłoża, które z kolei jest źródłem Fe i Cr, dyfundującego w kierunku powłoki. Między powłoką a podłożem tworzy się warstwa przejściowa. Na podstawie danych literaturowych oraz wyników przeprowadzonych badań można wnioskować, że w natapianej powłoce i warstwie przejściowej oprócz Cu, SiC i związków typu CuxSiy mogą tworzyć się związki typu FexCy oraz CrxCy, a także struktury węglowe – głównie grafit. W celu jednoznacznej identyfikacji faz należy przeprowadzić dodatkowe badania, uzupełnione o rentgenowską analizę fazową (XRD).
EN
The paper describes the microstructure study of a Cu-SiC-G composite coating formed in the vacuum furnace melting process of a mixture of copper (Cu) and silicon carbide (SiC) powders on a steel substrate. The used mixture of powders is a waste material from the process of producing carbon structures, including graphene (G), on Cu powders, developed at the Institute of Precision Mechanics. On the surface of the Cu-SiC-G coating there are numerous SiC grains with irregular, sharp edges, constituting the strengthening phase of the metallic matrix. As a result of high temperature (up to 1110°C), the SiC part in contact with Cu undergoes the thermal decomposition. The dissociated Si and C diffuses towards the substrate, which in turn is the source of Fe and Cr, diffusing towards the coating. A transition layer is formed between the coating and the substrate. On the basis of the literature data and the results of the conducted tests, it can be concluded that in the melted coating and the transition layer, FexCy and CrxCy compounds can be formed in addition to Cu, SiC and CuxSy compounds, as well as carbon structures – mainly graphite. In order to uniquely identify the phases, additional tests should be performed, supplemented with a X-ray phase analysis (XRD).
EN
Flexible composites from high performance fibres were developed and targeted to replace the wall of existing rigid ceramic Particulate Filters. The composites are made from E Glass fibre webs of different density in the middle, with standard SiC Ceramic fibres webs in in the outer layers, forming a sandwich structure. Different needling densities were applied to form nonwoven composites, and they were stitched diagonally on the surface at specified intervals with continuous glass fibre filament yarn. In total, nine novel flexible composites were developed and evaluated for their structural, surface, mechanical and thermal properties. Based on the results and statistical analysis, the B2 sample is considered to be taken for further research to develop Particulate Matter (PM) filters.
PL
W pracy opracowano giętkie kompozyty wzmocnione włóknami ceramicznymi i szklanymi do zastosowania w ścianach filtrów cząstek stałych. Kompozyty tworzące strukturę wielowarstwową zostały wykonane ze wstęg z włókna szklanego o różnej gęstości (warstwa wewnętrzna) i włókien ceramicznych (warstwa zewnętrzna). Zastosowano różne gęstości igłowania w celu utworzenia kompozytów włókninowych i zszyto je ukośnie na powierzchni w określonych odstępach za pomocą ciągłej przędzy z włókna szklanego. Opracowano dziewięć nowych giętkich kompozytów i oceniono ich właściwości: strukturalne, powierzchniowe, mechaniczne i termiczne. Na podstawie wyników i analizy statystycznej stwierdzono, że do dalszych badań w celu opracowania filtrów materii cząstek stałych (PM) należy wytypować próbkę B2.
EN
The paper presents the results of the electrodeposition of nickel composite coatings reinforced with the ceramic SiC particles. A Watts type galvanic bath modified with various organic additives was used. These additives were: 2-sulfobenzoic acid imide (LSA), dioctyl sulfosuccinate sodium salt (DSS), sodium dodecyl sulfate (SDS), tris (hydroxymethyl) aminomethane (THAM) and hexamethyldisilizane (HMDS). The nickel composite coating was electrodeposited on a 2xxx aluminum alloy series substrate (EN-AW 2017) with zinc interlayer. Studies concerned the effect of the applied organic additives on properties of composite coatings such as: microstructure, microhardness, adhesion to the substrate, corrosion resistance and roughness. The structure of the coatings was assessed by scanning electron microscopy and light microscopy. Based on the studies of zeta potential it was found that the bath modification had a significant impact on the amount of the ceramic phase embedded in metal matrix. The tests conducted in a model 0.01 M KCl solution were not fully representative of the true behavior of particles in a Watts bath.
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań właściwości mas formierskich z węglika krzemu przeznaczonych do otrzymywania elementów silników lotniczych metodą odlewania precyzyjnego. Całkowite stężenie fazy stałej w ceramicznych masach lejnych z SiC wynosiło 60% wag. Spoiwem konstrukcyjnym była nanodyspersja polimerowo-ceramiczna zawierająca koloidalny Al2O3. Jako spoiwa modyfikujące zastosowano wodne roztwory glikolu polietylenowego (PGE) o ciężarach cząsteczkowych 6000, 10000 i 20000 g/mol, które dodawano w ilościach 5%, 10% i 15% wagowych w stosunku do proszku. Proszek SiC charakteryzowano pod względem: wielkości cząstek metodą dyfrakcji laserowej i za pomocą skaningowego mikroskopu elektronowego (SEM) oraz składu fazowego i chemicznego za pomocą dyfraktometrów rentgenowskich XRD i XRF. Masy formierskie charakteryzowano pod względem: lepkości dynamicznej, czasu wypływu oraz adhezji do płyty (tzw. test płyty) i grubości warstwy. Pomiary te przeprowadzano przez 96 h w warunkach laboratoryjnych w temperaturze 21ºC. Otrzymane wyniki pokazały, że masy lejne z SiC zawierające nanodyspersję oraz PGE charakteryzują się obiecującymi właściwościami i mają szansę zostać zastosowane w odlewnictwie precyzyjnym.
EN
In the present paper properties of silicon carbide slurries in manufacturing shell moulds for investment casting of aircraft turbine elements were studied. Ceramic SiC slurries with a solid concentration of 60 wt. % were applied. As a structural binder nanodispersion containing colloidal Al2O3 was used. The poly(ethylene glycol) (PGE) with molecular weight 6000, 10000 and 20000 g/mol as a rheological modificators were added at different amount: 5, 10, 15 wt. %. Characterization of SiC powder were made by: grain size by laser diffraction, Scanning Electron Microscopy (SEM) and X-Ray diffraction (XRD, XRF) methods. The properties of ceramic slurries such as: relative and dynamic viscosity, plate (plate weight test) and wax adhesion were studied by a range of techniques. These measurements were taken in laboratory conditions by 96 hours at temperature 21ºC. The results shows that SiC-based slurries, nanodispersion binder and PGE meet the investment casting requirements of aircraft turbine parts and had promising properties.
PL
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów falownika klasy DE 12 MHz z tranzystorami SiC MOSFET C3M0120090 (900 V, 22 A, 120 mΩ). Pomiarów falownika dokonano dla dwóch wersji tranzystorów, z obudową TO-247 i D2PAK-7. Badania wykazały, że tranzystory w obudowie D2PAK-7 umożliwiają uzyskanie wyższej sprawności niż tranzystory w obudowie TO-247 (dla E=200 V: ηTO-247=68%, ηD2PAK-7=84%). Uzyskane wartości sprawności nie są mniejsze niż opisywane w literaturze.
EN
Measurement results of 12 MHz Class DE inverter with SiC MOSFET transistors C3M0120090 (900 V, 22 A, 120 mΩ) are presented in the paper. Measurements were done with two versions of transistors, in case TO-247 and D2PAK-7. Laboratory tests showed that transistors in D2PAK-7 case allow to obtain higher efficiency of Class DE inverter than transistors in TO-247 case (for E=200 V: ηTO-247=68%, ηD2PAK-7=84%). Obtained efficiency values are not lower then described in the literature.
PL
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów mocy strat w obwodzie bramkowym dla tranzystorów MOSFET na bazie Si: APT5010JFLL, IXFN44N80P oraz APT40SM120J na bazie SiC. Pomiary były wykonywane w układzie falownika klasy DE w przedziale częstotliwości od 275 kHz do 525 kHz i przy napięciu zasilania falownika E=0 V i E=300 V. Wyniki pomiarów porównano z wynikami obliczeń mocy strat na podstawie danych katalogowych. Wykazano rozbieżności wyników i podano możliwe przyczyny.
EN
Measurement results of power losses in the gate circuit in Si: APT5010JFLL, IXFN44N80P and SiC: APT40SM120J MOSFET transistors are presented in the paper. Measurements were taken in class DE inverter configuration in frequency range from 275 kHz to 525 kHz and with inverter supply voltage E=0 V and E=300 V. The article contains also the comparison of evaluated power loss values, based on datasheets, with laboratory results.
PL
W artykule przedstawiono wyniki porównania falowników klasy D-ZVS, 300 kHz i mocy ok. 20 kW. Falowniki zbudowano na tranzystorze CAS120M12BM2 (SiC, 138 A) oraz 5-ciu równolegle połączonych tranzystorach IXFN 44N80P (Si, 5x25 A). Falownik z SiC MOSFET w porównaniu do 5xSi MOSFET uzyskuje (8-26)% wyższą moc wyjściową, sprawność jest o 2% wyższa, moc sterowania obwodu bramkowego jest 2,5 razy niższa. Równoległe połączenie kilku Si MOSFET jest dopuszczalne w przypadku dużej mocy falownika, ok. 20 kW lub większej.
EN
Comparison results of 300 kHz, 20 kW Class D-ZVS inverters are presented in the paper. Inverters were based on CAS120M12BM2 (SiC, 138 A) transistor and 5 parallel placed IXFN 44N80P (Si, 5x25 A) transistors. The inverter with SiC MOSFET in comparison with 5xSi MOSFET achieves (8-26)% higher output power, higher efficiency by 2% and gate circuit power losses are 2.5 times lower. The parallel placement of several Si MOSFET transistors is acceptable in the inverter of high power, 20 kW or more.
13
PL
Szybko rośnie zastosowanie szklanych mikrosoczewek sferycznych w przemyśle samochodowym. Wykonuje się je przez prasowanie w matrycach ceramicznych z węglika krzemu w temperaturze 400÷800°C. To wymusza poszukiwanie efektywnych metod obróbki takich matryc.
EN
This paper presents a comparison of the efficiency of two bidirectional DC/DC converters based on dual H-bridge topology. Tested converters were built using Si-based IGBT transistors and SiC-based MOSFETs. The results of the research are efficiency characteristics, taken from tests at the frequency range of 10÷60 kHz. Analysis of the results points to a massive advantage of the SiC-based design over the Si-based one.
PL
W artykule zaprezentowano badania porównawcze sprawności dwóch dwukierunkowych przekształtników DC/DC wykonanych w topologii podwójnego mostka H. Badane przekształtniki wykonano w technologii krzemowej z tranzystorami IGBT oraz w technologii węglika krzemu z tranzystorami SiC MOSFET. Rezultatem badań są charakterystyki sprawności uzyskane z testów przy częstotliwości pracy w zakresie 10÷60 kHz. Analiza uzyskanych wyników wskazuje na zdecydowaną przewagę rozwiązania wykonanego w technologii węglika krzemu nad rozwiązaniem z tranzystorami krzemowymi IGBT
EN
Light weight, low density with high mechanical properties and corrosion resistance, aluminum is the most important material and is commonly used for high performance applications such as aerospace, military and especially automotive industries. The researchers who participate in these industries are working hard to further decrease the weight of end products according to legal boundaries of greenhouse gases. A lot of research was undertaken to produce thin sectioned aluminum parts with improved mechanical properties. Several alloying element addition were investigated. Yet, nowadays aluminum has not met these expectations. Thus, composite materials, particularly metal matrix composites, have taken aluminum’s place due to the enhancement of mechanical properties of aluminum alloys by reinforcements. This paper deals with the overview of the reinforcements such as SiC, Al2O3 and graphene. Graphene has recently attracted many researcher due to its superior elastic modulus, high fatigue strength and low density. It is foreseen and predicted that graphene will replace and outperform carbon nanotubes (CNT) in near future.
PL
Znanym zagadnieniem w jednofazowych falownikach napięcia jest pobieranie ze źródła napięcia stałego składowej przemiennej o częstotliwości dwukrotnie większej od częstotliwości generowanej przez falownik. Jednym z rozwiązań problemu jest stosowanie dużej baterii kondensatorów elektrolitycznych, lecz lepszym sposobem z punktu widzenia niezawodności i gęstości mocy przekształtnika jest stosowanie aktywnych układów odsprzęgania mocy. W pracy przedstawiono ideę aktywnego odsprzęgania mocy na przykładzie układu podwyższającego napięcie. Następnie zaprezentowano sposób doboru elementów obwodu odprzęgającego oraz przyjętą strategię sterowania. Zaproponowany model zweryfikowano w programie symulacyjnym oraz zaimplementowano w zbudowanym modelu laboratoryjnym falownika. W badaniach laboratoryjnych osiągnięto znaczną redukcję składowej prądu wejściowego o częstotliwości dwukrotnie większej od częstotliwości podstawowej falownika oraz sprawność powyżej 94%.
EN
In single-phase inverters the instantaneous output power contains a DC component and a double line frequency power oscillation. To cope with the issue of inducing a significant current and voltage ripples on the DC side, the most popular approach is to decouple DC and AC sides with a bulky bank of electrolytic capacitors. This method is however reducing the reliability, life-time and power density of a converter. Most recently active power decoupling methods are gaining popularity as an alternative approach to solve this issue. In this paper a film capacitor based active power decoupling method in a boost topology is presented. First of all, the methods of DC active power decoupling, the principle of decoupling in a boost topology and selection of decoupling circuit elements are given. Then, the proposed control strategy is described and verified by the simulation. Finally, a constructed prototype of the single-phase inverter is presented and measurements at 500 W output power are conducted. The obtained results proves the feasibility of the identified approach and also high power efficiency of 94% is achieved.
PL
W artykule omówiono zalety zastosowania warstw dielektrycznych o wysokim współczynniku przenikalności elektrycznej osadzanych techniką ALD (ang. Atomic Layer Deposition) i praktyczne aspekty ich wykorzystania w przyrządach mocy typu MOSFET wytwarzanych w technologii węglika krzemu (SiC).
EN
This article describes the benefits of high-k dielectrics’ application in silicon carbide (SiC) technology aimed for production of power MOSFETs. The importance of the finding a new dielectric material for SiC MIS structures is explained and the main application problems are disscussed. The stacked dielectric layers of Al2O3/SiO2 and ZrO2/SiO2 manufactured by atomic layer deposition technique (ALD) on 4H-SiC substrates are then investigated by means of electrical methods useful in power device technology.
PL
Artykuł dotyczy prac nad otrzymaniem tworzywa z SiC na drodze odlewania żelowego (ang. gel-casting) w oparciu o zawiesinę, w której dyspergatorem był zol krzemionkowy. Bazując na drobnych frakcjach SiC, uzyskano tworzywo drobnoporowate o wysokiej porowatości otwartej. Po wypaleniu w 600 °C w atmosferze powietrza ceramika charakteryzowała się wytrzymałością na zginanie bliską 10 MPa. Wypalenie próbki w temperaturze 1600 °C w atmosferze azotu dało wynik wytrzymałości przekraczający 50 MPa.
EN
The article concerns works aimed at obtaining a silicon carbide material by the gelcasting method, based on a suspension in which the dispersing agent is a silica sol. Based on fine SiC fractions, a fine-porous material of high open porosity was obtained. After firing at 600 °C in air, a ceramic material’s bending strength was nearly 10 MPa. Firing the sample at 1600 °C in nitrogen resulted in an increase of the strength value to more than 50 MPa.
PL
Do analizy chemicznej materiałów węglowych zawierających węglik krzemu mają zastosowanie metody opisane w normie PN-EN ISO 21068: 2010 „Analiza chemiczna surowców i wyrobów ogniotrwałych zawierających węglik krzemu”, części 1 – 3. Obejmuje ona swoim zakresem analizę zarówno produktów, jak i surowców ogniotrwałych formowanych i nieformowanych, zawierających w swoim składzie węgiel i/lub węglik krzemu. Norma obejmuje cały zakres materiałów od czystego węglika krzemu do materiałów tlenkowych z niską jego zawartością. Przedstawiono w niej między innymi różne metody oznaczania zawartości węgla całkowitego i wolnego oraz wyznaczania zawartości węglika krzemu. W pracy oznaczano stratę prażenia (ΔP) i węgiel całkowity (Ctotal) w próbkach suchych i po prażeniu. Na ich podstawie obliczano zawartość węgla wolnego (Cfree) oraz węglika krzemu (SiC). Analizie poddano materiały zawierające znaczne ilości węgla wolnego (> 50%) w postaci grafitu i węgla amorficznego. Analizowano próbki komercyjnie dostępnych wyrobów węglowych zawierających węglik krzemu oraz wzorcowe próbki przygotowane z materiałów o znanym składzie. Porównano wyniki uzyskane różnymi metodami dopuszczanymi przez normę. Przedstawiono zalety i wady poszczególnych metod analitycznych oraz wskazano potencjalne źródła błędów uzyskiwanych wyników.
EN
The methods described in PN-EN ISO 21068: 2010 "Chemical analysis of raw materials and refractories containing silicon carbide", Part 1 - 3, apply to the chemical analysis of carbon materials containing silicon carbide. It covers the scope of analysis of both refractory products (shaped and non-shaped) and raw materials containing carbon and/or silicon carbide in their composition. The standard covers the whole range of materials from pure silicon carbide to oxide materials with low silicon carbide content. It presents various methods of determining the total and free carbon content and determination of the content of silicon carbide. The presented work included determination of the loss of ignition (ΔP) and the total carbon (Ctotal) in dry and calcined samples. Based on the results of that determination, the contents of free carbon (Cfree) and silicon carbide (SiC) were calculated. Materials containing significant amounts of free carbon (> 50%) in the form of graphite and amorphous carbon were analyzed. Samples of commercially available carbon products containing silicon carbide and reference samples prepared from materials of the known composition were analyzed. The results were compared that obtained by various analytical methods allowed by the standard. The advantages and disadvantages of the methods were presented and potential sources of errors were reported.
EN
A conventional powder metallurgy method (PM) was used to produce Al-SiC and Al4Cu alloy matrix composites with 2.5, 5, 7.5 and 10 wt% of SiC particles. Two different sizes of the reinforcing phase particles were applied to determine their effect on composite microstructure. The sintering process was carried out at 600°C under nitrogen atmosphere, and its consequence was the appearance of aluminium nitrides in composite microstructure acting as an additional strengthening phase. The composites were next re-pressed and re-sintered (2p2s) under the same conditions. The main aim of this article was to examine the microstructure of the SiC reinforced Al and Al4Cu alloy matrix composites. To achieve this goal and characterize the sintered materials, scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM) and X-ray diffraction (XRD) techniques were used.
first rewind previous Strona / 6 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.