Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 21

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  dioda Schottky'ego
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
PL
W artykule przedstawiono historię kolejnych opracowań i wprowadzenia do zastosowań praktycznych pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych w latach 1954-2000. Są to germanowe i krzemowe diody prostownicze, fotodiody, diody Zenera i przyrządy mikrofalowe dla uzbrojenia radioelektronicznego, głównie dla radiolokacji (waraktory, diody ładunkowe, diody Schottky’ego, diody i generatory Gunna, diody PIN, tranzystory).
EN
Article describes history of successive studies and introduction to practical applications of first Polish semiconductor devices in the period of 1954-2000. They are german and silicon rectifying diodes, photodiodes, Zener diodes and microwave devices for radioelectronic military egwiment mailny for radiolocation (varactors, charge storage diodes, Schottky diodes, Gunna diodes and generators, PIN diodes, transistors).
PL
W artykule przedstawiono historię kolejnych opracowań i wprowadzenia do zastosowań praktycznych pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych w latach 1964-2000. Są to germanowe i krzemowe diody prostownicze, fotodiody, diody Zenera i przyrządy mikrofalowe dla uzbrojenia radioelektronicznego, głównie dla radiolokacji (waraktory, diody ładunkowe, diody i generatory Gunna, diody PIN, tranzystory).
EN
Article describes history of successive studies and introduction to practical applications of first Polish semi-conductor devices in the period of 1964-2000. They are germanous and siliceous rectifying diodes, photodiodes, Zener diodes and microwave devices for radioelectronic weaponry mainly for radiolocation (varactors, charge storage diodes, Gunna diodes and generators, PIN diodes, Schottky diodes, transistors).
EN
This paper deals with performance of the 50 kVA three-phase converter built with switches based on SiC MOSFET and anti-parallel Schottky diodes. In contrast to popular IGBT converters, a negative switch current is capable of flowing through the reverse conducting transistor, which results in different distribution of power losses among the devices. Thus, equations describing the conduction power losses of the transistor and diode are improved and verified by means of circuit simulations in Saber. Moreover, a comparison of power losses calculated with the use of standard and new equations is also shown. Total power losses in three SiC MOSFET modules of a 50 kVA converter operating at 20 kHz are up to 30% lower when reverse conduction is taken into account. This shows the importance of the discussed problem and proves that much better accuracy in the estimation of power losses and junction temperatures of SiC devices may be obtained with the proposed approach.
PL
W pracy przedstawiono wyniki weryfikacji eksperymentalnej wybranych modeli diod Schottky’ego z węglika krzemu, oferowanych przez producentów rozważanych przyrządów półprzewodnikowych. W tym celu modele diod zaimplementowano w programie SPICE i przeprowadzono symulacje wybranych charakterystyk statycznych oraz charakterystyk C(u) tych przyrządów. Przeprowadzono ocenę dokładności modeli poprzez porównanie charakterystyk obliczonych tymi modelami z charakterystykami zmierzonymi diod, dostępnymi w ich kartach katalogowych. Do badań wybrano wykonane z węglika krzemu diody Schottky’ego trzech producentów: ST Microelectronics, GeneSiC oraz Rohm.
EN
The paper presents the results of experimental verification of selected models of the silicon carbide Schottky diodes offered by various manufacturers. Schottky diodes fabricated by ST Microelectronics, GeneSiC and Rohm, were chosen for investigations. Models were implemented in SPICE. Calculations of DC characteristics as well as C-V characteristics of the investigated Schottky diodes, were performed. Evaluation of the models accuracy by means of comparison of the calculated and measured characteristics, were performed.
EN
One of the method of electronic device quality and reliability evaluation is observation of its inherent noise. Generally, the inherent noise of semiconductor device consists of Gaussian (i.e. 1/f, shot noise) and non-Gaussian components (i.e. random telegraph signal, RTS). The RTS phenomena usually indicates the presence of large defects in the structure of the material of the device, therefore it can be treated as an indicator of technology quality. In the paper authors present results of RTS investigations in reverse polarized Silicon Carbide Schottky diodes. Devices being studied are commercially available diodes with reverse voltage UR = 600 V. The RTS was observed during device stress by applying high voltage for several minutes and the change in signal parameters were studied.
PL
Jedną z metod do badania jakości i niezawodności elementów elektronicznych jest obserwacja ich szumów własnych, które zawierają składową gaussowską (szum typu 1/f, szum śrutowy) oraz składową niegaussowską (szum RTS). Obecność szumu RTS zazwyczaj wskazuje na defekty w strukturze materiału, z którego jest wykonany element, ale jednocześnie może być doskonałym wskaźnikiem jakości badanego elementu. W artykule autorzy prezentują wyniki pomiarów w zaporowo spolaryzowanych diodach Schottkiego wykonanych z SiC. Badane elementy są powszechnie dostępnymi o UR = 600 V. Szum RTS był obserwowany po kilkuminutowym użytkowaniu badanego elementu w warunkach wysokiego napięcia.
6
Content available remote Wpływ warunków pracy na charakterystyki statyczne diod MPS z węglika krzemu
PL
W pracy omówiono wpływ warunków zasilania na charakterystyki prądowo-napięciowe diod Schottky’ego z węglika krzemu, z dodatkowym złączem PiN (Merged PiN Schottky). Zaprezentowano symulacje nieizotermicznych charakterystyk I-V przykładowej diody MPS, w których uwzględniono wpływ temperatury otoczenia na parametry krytyczne, takie jak prąd, moc oraz temperatura wnętrza, dla których element narażony jest na zniszczenie. W symulacjach uwzględniono wpływ temperatury otoczenia i wnętrza na rezystancję termiczną elementu.
EN
In the paper, the influence of operation conditons, especially ambient temperature, on the nonisothermal current-voltage characteristics of the silicon carbide Merged PiN Schottky diodes is disscussed. The investigations are mainly devoted to the dangerous regions of the DC, I-V characteristics. The simulations of the nonisothermal characteristics, with the critical parameters such as current, power and junction temperature, depending on the ambient temperature are presented. Also, the influence of the ambient and junction temperature on the thermal resistance has been included.
7
Content available remote Electrothermal Model of SiC Power Schottky Diodes
EN
The paper concerns the problem of modelling d.c. characteristics of commercial SiC power Schottky diodes with self-heating taken into account. The electrothermal model of the investigated devices is proposed and experimentally verified. The evaluation of accuracy of the elaborated model has been performed by comparison of measured and calculated characteristics of selected SiC power Schottky diodes.
PL
Praca dotyczy problemu modelowania, z uwzględnieniem zjawiska samonagrzewania, prądowo-napięciowych charakterystyk komercyjnie dostępnych diod Schottky’ego mocy wykonanych z węglika krzemu. Zaproponowano i eksperymentalnie zweryfikowano elektrotermiczny model rozważanych w pracy elementów półprzewodnikowych. Ocenę dokładności modelu przeprowadzono poprzez porównanie charakterystyk obliczonych w programie SPICE z charakterystykami zmierzonymi wybranych diod Schottky’ego z węglika krzemu.
PL
W artykule, stanowiącym kontynuację tematyki z poprzedniej pracy zamieszonej w tym numerze, przedstawiono sposób tworzenia modeli symulacyjnych trójfazowych falowników z tranzystorami MOSFET i COOLMOS oraz z diodami zwrotnymi z węglika krzemu. Badania symulacyjne modeli o mocach 500 VA (100V) i 5000 VA (300V) ukierunkowano na określenie strat mocy we wszystkich przyrządach półprzewodnikowych z uwzględnieniem strat w stanach przewodzenia i łączeniowych. Wyniki przeprowadzonych badań porównawczych wskazują na poprawę efektywności energetycznej falowników z diodami zwrotnymi z węglika krzemu.
EN
In the paper being the continuation of subject from previous paper in this issue number the method of creation of the simulating models of three phase voltage source inverter with MOSFET and COOLMOS and silicon carbide anti-parallel diodes is presented. Simulations of the 500 VA (100 V) and 5000 VA (300V) PWM inverters were made in order to determine the power losses in all semiconductor devices. ). Positive effects caused by SiC diode applications have been confirmed.
PL
W cyklu dwóch publikowanych kolejno artykułów przedstawiono zagadnienia dotyczące oceny korzyści jakich można oczekiwać w zakresie poprawy właściwości użytkowych, w tym głównie sprawności energetycznej, urządzeń energoelektronicznych budowanych z zastosowaniem przyrządów z węglika krzemu (SiC). W pierwszym z dwóch artykułów zaprezentowano wyniki badań eksperymentalnych łączników oraz kompletnych niskonapięciowych trójfazowych falowników PWM (100V; 500VA) o częstotliwość przełączeń powyżej 50 kHz, w których zastosowano krzemowe tranzystory MOSFET z diodami zwrotnymi w postaci diod Schottky'ego z węglika krzemu. Wyznaczone eksperymentalnie łączeniowe straty energii wskazują na korzystne właściwości energetyczne falowników z przyrządami z SiC. Badania symulacyjne falowników o mocach 500VA i 5000VA przedstawiono w spójnym tematycznie artykule, zamieszczonym w niniejszym numerze.
EN
In the two connected and published in serial numbers papers the simulation and experimental results are presented in order to determine impact of silicon carbide devices on reduction of power losses in the power electronics equipment. In this first one the experimental investigations results of alone switches consist of low voltage MOSFETs and anti-parallel SiC Schottky diodes as well as complete three phase PWM low voltage inverters operating at switching frequency over 50 kHz (100V/500VA) have been presented. The experimentally determined switching and conducting losses show the good energetic properties of voltage source inverter built with MOSEFETs and SiC diodes. The simulating investigations of the 500VA and 5000VA inverters are the subject of the second paper which is published in this issue.
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań diod Schottky'go wykonanych z węglika krzemu przy komutacji prądu z częstotliwością 10...200 kHz. Wyznaczono w tych warunkach straty mocy powstające w diodach SiC i porównano je z odpowiednimi wartościami określonymi dla ultraszybkich diod krzemowych. Zamieszczono wyniki pomiarów strat mocy w tranzystorze współpracującym w procesie komutacji prądu z diodą Schottky'go wykonaną z węglika krzemu oraz ultraszybką diodą krzemową. Przedstawiono także przebiegi przejściowego prądu wstecznego i przejściowego napięcia przewodzenia tych diod przy określonej stromości zmian prądu w przyrządzie.
EN
Measurement results of properties of the silicon carbide Schottky diodes in commutating current with frequency 10...200 kHz are presented in the paper. The power losses generated in the SiC diodes at these conditions are measured. These values are compared to the corresponding values determined for ultrafast silicon diodes. Results of measurement of power losses in a transistor switching at high frequency and cooperating in the commutation process with a silicon carbide diode and silicon diode respectively-are presented. Transient reverse current and transient forward voltage of these diodes at defined rise of current conditions are presented also.
11
PL
Artykuł prezentuje praktyczne rozwiązania wysokosprawnych układów zasilania SSL (Solid State Lighting ) LED dużej mocy (prądy 350-700mA) z autonomicznych instalacji fotowoltaicznych wyposażonych w akumulatory 24V. Prezentowane układy zostały zaprojektowane, wykonane oraz przetestowane przez autorów i charakteryzują się sprawnościami rzędu 95%. Istotą tych rozwiązań jest zastosowanie nowoczesnych elementów elektronicznych, zaaplikowanych w sposób pozwalający na najbardziej efektywną zamianę napięcia z akumulatorów na prąd potrzebny do zasilania diod LED oraz zapewniający im odpowiednio długi czas życia.
EN
The paper deals with the practical solutions of high-efficient power supplies for high power SSL LED (current of 350-700mA) powered from photovoltaic devices equipped with 24 V batteries. These highly efficient solutions (up to 95%) were designed, made and tested by authors. The idea of these solutions is using modern electronic components to achieve the most efficient way of converting energy stored in a battery to current that was usable for feeding LED and providing them a long life.
12
Content available remote Three-phase inverter with SiC JFETs and Schottky diodes
EN
This paper describes the design, construction and tests of 2kVA three-phase Current Source Inverter with Silicon Carbide (SiC) JFETs and Schottky diodes. Low forward voltage drops and switching energies of SiC elements result in the switching frequency increase to 100kHz and passive elements, especially inductors, are significantly reduced. Operation of the 2kVA/400VDC/3x400VAC model is illustrated by laboratory test results – measured efficiency at nominal power was 96,55%.
PL
Artykuł przedstawia projektowanie, konstrukcję i badania trójfazowego falownika prądu o mocy 2kVA zbudowanego z użyciem elementów z węglika krzemu: diod Schottky’ego i tranzystorów JFET. Małe spadki napięcia i energie przełączeń tych elementów pozwalają zwiększyć częstotliwość pracy układu do 100kHz. W efekcie elementy bierne obwodu, ze szczególnym uwzględnieniem dławików zostały znacząco zmniejszone. Działanie modelu 2kVA/400VDC/3x400VAC jest zilustrowane wynikami badań laboratoryjnych, sprawność układu przy mocy nominalnej wynosi 96,55%.
PL
W artykule przedstawiono informacje dotyczące zastosowań diod Schottky'ego wykonanych na bazie węglika krzemu SiC w układach energoelektronicznych przekształcających energię elektryczną z wysoką częstotliwością. Omówiono także oferowane obecnie moduły tranzystorowo-diodowe wykonane w całości z węglika krzemu. Omówiono zastosowania zestawów tranzystorowo-diodowych z diodami Schottky'ego SiC w przekształtnikach energoelektronicznych o częstotliwości łączeń 50÷200 kHz przeznaczonych dla grzejnictwa indukcyjnego. Przedstawiono wyniki porównawcze badań strat mocy w funkcji częstotliwości, generowanych w układzie przekształtnika z twardą komutacją prądu, przy zastosowaniu ultraszybkich diod krzemowych oraz diod Schottky'ego SiC.
EN
The paper presents information concerning the use of Schottky's diodes produced on the base of silicon carbide at high frequency converters. The transistor-diode SiC modules offered currently on the market have been discussed. The paper also presents the applications of the transistor-diode modules with SiC Schottky's diodes at the high frequency converters (50÷200 kHz) destined for metal induction heating. The comparable results of analyses of power losses versus frequency generated in a hard commutation converter with silicon or silicon carbide diodes are presented.
14
Content available remote Systemy prostownicze o podwyższonej sprawności energetycznej
PL
Artykuł omawia innowacyjne metody konfigurowania systemów prostowniczych, przewidzianych do zastosowania głównie w małej i średniej skali energetyki prądów stałych i przemiennych niskiej częstotliwości. Istotą tych rozwiązań jest specyficzne powiązanie i wykorzystanie cech nowoczesnych i tanich elementów elektroniki w szczególny sposób, umożliwiający znaczną redukcję strat energii, wymiarów oraz nakładu środków, dotychczas nieuchronnie związanych z realizacją typowych rozpowszechnionych procesów prostowania napięć przemiennych, kluczowania itp. Z tytułu masowości zastosowań efekty ekonomiczne tych nowych rozwiązań stanowić mogą olbrzymi wkład w jakże aktualnym, naglącym procesie oszczędzania energii elektrycznej.
EN
The paper discusses innovative methods for configuring rectifying circuits, mainly for applications in low and medium scale DC and low frequency AC energetic systems. The substance of these solutions are specific conjunctions and utilizing the modern and cheap elements of electronics in a peculiar way, enabling a significant reduction of energy losses, of dimensions, as well as of expenses, till now inevitably bound with the realization of the typical propagated AC rectifying processes, current keying etc. On ground of mass-use scale – the economical effects of these new solutions may create an enormous contribution in the unavoidable and urgent electric energy saving process.
PL
W artykule omówiono właściwości materiałów półprzewodnikowych nowej generacji ze szczególnym uwzględnieniem węglika krzemu. Przedstawiono wyniki pomiarów przejściowego prądu wstecznego i dynamicznego napięcia przewodzenia przy stromości zmian prądu w przyrządzie wynoszącej 500 A//µs. Porównano te dane z odpowiednimi parametrami określonymi dla ultraszybkich diod krzemowych. Przedstawiono wyniki badań strat mocy w diodach z węglika krzemu przy komutacji prądu z częstotliwością (10 ÷ 200) kHz, porównując je z odpowiednimi danymi określonymi dla szybkich diod krzemowych. Przedstawiono także wyniki badań strat mocy w tranzystorze przełączającym z wysoką częstotliwością i współpracującym w procesie komutacji prądu z diodą z węglika krzemu i odpowiednio z diodą krzemową.
EN
The paper discusses properties of semiconductor materials of the new generation with particular consideration of silicon carbide. Measurement results of the reverse recovery current and the dynamic conduction voltage at current change slopes of 500 A/µs are presented. These data are compared with the corresponding parameters determined for ultrafast silicon diodes. The results of investigations of the power losses which are generated at silicon carbide Schottky diodes at frequency (10 ÷ 200) kHz are presented. These power losses are composed to power losses generated in silicon diodes in the same conditions. Results of investigations into power losses in a transistor switching at high frequency and cooperating in the commutation process with a silicon carbide diode and a silicon diode respectively.
16
Content available remote Modelling of power Schottky diodes with thermal effects taken into account
EN
The dissertation deals with the problem of modelling and analysis in SPICE of thermal effects influence on properties of power Schottky diodes made of different semiconductor materials, i.e. silicon, gallium arsenide and silicon carbide. The electrothermal model (ETM) of the investigated diodes was formulated and experimentally verified. The proper procedure of parameter estimation for the elaborated model was carried out. The evaluation of accuracy and examination of usefulness of the elaborated model have been performed by comparison of characteristics of the power Schottky diodes: measured and calculated by worked out the electrothermal model.
PL
Przedmiotem pracy są diody Schottky'ego mocy wykonane z krzemu, arsenku galu oraz węglika krzemu, wytwarzane przez czołowych producentów elementów elektronicznych. W pracy sformułowano i eksperymentalnie zwery fikowano uniwersalny model elektrotermiczny diody Schottky'ego mocy, słuszny dla diod wykonanych z różnych materiałów półprzewodnikowych, uwzględniający wpływ zjawiska samonagrzewania na parametry i charaktery styki tych diod. Model ten sformułowano w postaci akceptowalnej przez pro gram SPICE (PSPICE) oraz opracowano procedurę estymacji parametrów tego modelu. Przeprowadzono eksperymentalną weryfikację dokładności modelu zaproponowanego w pracy oraz oceniono jego przydatność w analizie układów elektronicznych zbudowanych z zastosowaniem diod Schottky`ego mocy.
PL
Praca dotyczy problematyki modelowania w programie SPICE wpływu temperatury na zależność pojemności złączowej diody od napięcia polaryzacji oraz charakterystyk wyłączania diod Schottky'ego mocy. Dokonano oceny dokładności modelu diody wbudowanego w tym programie przez porównanie wyników symulacji z wynikami pomiarów krzemowej diody Schottky'ego oraz diody Schottky'ego z węglika krzemu, przeprowadzonych w szerokim zakresie zmian temperatury otoczenia. Zaproponowano nowe zależności opisujące wpływ temperatury na wybrane parametry rozważanego modelu diody oraz zmodyfikowano ich wartości biblioteczne, w wyniku czego uzyskano znaczną poprawę zgodności wyników obliczeń i pomiarów charakterystyk rozważanych elementów.
EN
In the paper the usefulness of the SPICE built-in diode model in modelling dynamic properties of the Si and SiC Schottky diodes, is investigated. The quality of Schottky diodes modelling is estimated by measurements. Due to the unacceptably differences between measurements and calculations performed by SPICE with the use of the available library parameter original values, some modifications of the model have been proposed.
PL
W artykule przedstawiono podstawowe właściwości węglika krzemu (SiC) jako nowego materiału przydatnego do budowy przyrządów półprzewodnikowych mocy, znajdujących zastosowanie w energoelektronice. Zaprezentowano wyniki badań laboratoryjnych łącznika półprzewodnikowego, złożonego z krzemowego tranzystora IGBT i diody Schottky'ego z węglika krzemu oraz łącznika, złożonego z krzemowego tranzystora IGBT i krzemowej diody szybkiej. Porównanie wyników tych badań wyraźnie wskazuje na korzystne właściwości węglika krzemu jako materiału półprzewodnikowego, który zastępując krzem, stwarza możliwości budowy układów energoelektronicznych o nieosiągalnych dotychczas właściwościach, takich jak wysoka gęstość mocy, małe gabaryty, wysoka sprawność energetyczna, wysoka temperatura pracy, niski poziom zakłóceń elektromagnetycznych, wysoka częstotliwość przełączeń.
EN
The paper describes basic properties of silicon carbide (SiC), new semiconductor material suitable for built devices for power electronic. Experimental investigations results of switch consisting silicon (Si) IGBT and SiC Schottky diode or Si ultrafast diode are presented. Comparison shows very positive properties of SiC, which makes possible construction of power electronics converters with unavailable before features as high power density, small dimensions, high efficiency, high operating temperature, low EMI emission, high switching frequency.
19
Content available remote Wpływ temperatury na charakterystyki statyczne diod Schottky'ego mocy
PL
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów ilustrujących wpływ temperatury na charakterystyki statyczne diod mocy. Porównano zarówno izotermiczne, jak i nieizotermiczne charakterystyki diod Schottky'ego, wykonanych w tradycyjnej technologii krzemowej oraz w nowoczesnej technologii bazującej na węgliku krzemu. Pomierzone dla zakresu zaporowego charakterystyki diod Schottky'ego porównano także z charakterystykami katalogowymi. Wyznaczono wartości wybranych parametrów elektrycznych.
EN
In this paper the influence of the temperature on d.c. characteristics of the Schottky diodes has been investigated. The characteristics of the silicon Schottky diode and silicon carbide (SiC) Schottky diodes were measured at the broad range of the ambient temperature. Measured characteristics in the reverse range have been compared with the catalog's characteristics. The parameter values of the Schottky diodes were extracted.
20
Content available remote SiC Schottky Barrier Rectifiers - Theory and Practice
EN
The direct current characteristics of real packaged SiC Schottky barrier rectifiers in the light of up to date knowledge on the reveal subject are presented in this paper. The theory on SiC Schottky barrier rectifier from literature is collected in the text. For comparison the characteristics of SiC Schottky diodes fabricated in research laboratories and reported in literature are also presented. The investigated diodes were intended to work with the maximal forward current of 1 A and the maximal reverse voltage of 600 V. The measured characteristics of four diodes are in a harmony with characteristics presented in product data sheets for room temperature. In the forward current range for which the diodes are intended to work that is for current from 1 mA to 1 A, the I-V characteristics of the diodes are almost identical. The ideality factor ranges from about 1.12 to about 1.17 and is within the range reported in relevant literature. However, there are very different values of reverse leakage currents, although these values are within the range guaranteed by the producer. On the other hand, the forward I-V characteristics below the voltage of 0.75 V and the reverse I-V characteristics below the voltage of 600 V have large discrepancies. The measured reverse I-V characteristics are different from the commonly shown characteristics in papers.
PL
W artykule przedstawiono stałoprądowe charakterystyki handlowo dostępnych, prostowniczych diod Schottky 'ego wykonanych z węglika krzemu (SiC) oraz omówiono mechanizmy przepływu prądu zgodnie z obecnym stanem wiedzy w tej dziedzinie. Dla porównania przedstawiono dostępne w literaturze charakterystyki diod Schottky 'ego z SiC wytworzonych w laboratoriach badawczych. Badane diody przewidziane 53 do pracy z maksymalnym prądem przewodzenia wynoszącym 1 A i z maksymalnym napięciem wstecznym wynoszącym 600 V. Zmierzone w temperaturze pokojowej parametry czterech diod spełniają wymagania zawarte w karcie katalogowej producenta. W istotnym dla pracy tego typu prostownika przedziale wartości natężenia prądu tj. od 1 mA do 1 A, charakterystyki I-V tych diod s§ prawie identyczne. Współczynnik idealności badanych diod wynoszący od 1.12 do 1.17 mieści się w przedziale ktory podawany jest w literaturze. Natomiast, dla polaryzacji wstecznej badane diody majaą bardzo różne wartości prądu upływu, chociaż mieszczą się one w granicach gwarantowanych przez producenta. Generalnie, dla napieć poniżej 0.75 V w kierunku przewodzenia oraz dla napiec poniżej 600 V dla kierunku wstecznego, zmierzone charakterystyki I-V zdecydowanie różnią się między sobą i istotnie inne od tych prezentowanych zwykle w publikacjach.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.