Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 12

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
W pracy przeanalizowano problem doboru parametru termoczułego na wynik pomiaru rezystancji termicznej tranzystora IGBT. Przedstawiono metody wykonywania pomiaru rezystancji termicznej tego tranzystora przy wykorzystaniu w charakterze parametru termoczułego napięcia między bramką a emiterem lub napięcia na spolaryzowanej w kierunku przewodzenia diodzie antyrównoległej. Przedyskutowano czynniki wpływające na dokładność pomiaru realizowanego przy wykorzystaniu tych metod. Przedstawiono i przedyskutowano wyniki pomiarów rozważanych parametrów uzyskanych przy wykorzystaniu omawianych metod dla różnych warunków chłodzenia badanego tranzystora. Oceniono uzyskane rozbieżności między tymi wynikami pomiarów.
EN
In this paper the problem of the selection of the thermo-sensitive parameter on the result of the measurement of thermal resistance of the IGBT is analysed. Methods of the measurements of thermal resistance of this transistor using the voltage between the gate and the emitter or voltage on forward biased antiparallel diode as the thermo-sensitive parameters are presented. Factors influencing measuring error of the considered measurement methods are discussed. Measurement results of thermal resistance obtained with the use of considered methods for different cooling conditions of the tested transistor are presented and discussed. Obtained differences between these results of measurements are evaluated.
2
Content available remote Wpływ trybu pracy lampy LED typu HUE na jej parametry elektryczne i optyczne
PL
W pracy przedstawiono i przedyskutowano wyniki pomiarów parametrów elektrycznych i optycznych lampy LED typu HUE emitującej światło białe. Przedstawiona lampa LED typu HUE może być sterowana bezprzewodowo. Parametry elektryczne i optyczne wybranej klasy lamp LED zostały zmierzone za pomocą autorskiego układu pomiarowego. Szczególną uwagę poświęcono wpływowi badanej lampy LED na parametry sieci elektroenergetycznej. Zbadano wpływ wartości napięcia zasilającego oraz wartości temperatury barwowej światła emitowanego przez badaną lampę LED na wartość współczynnika zawartości harmonicznych THD prądu zasilającego.
EN
In the paper electrical and optical properties of LED lamp of the HUE type emitting white light are analysed. This lamp makes it possible to remote control the mode of its operation. Properties of this class of lamps given by the producer was characterised and the authors’ set-up to measure electrical and optical parameters of the considered lamps is proposed. Attention was paid on parameters characterising influence of the LED lamp on the electroenergy network. Additionally, influence of feeding voltage, the fixed value of illuminance and correlated color temperature (CCT) of the emitted light on THD (Total Harmonic Distortion) is analysed and discussed.
3
Content available remote Porównanie właściwości dynamicznych wybranych czujników fotometrycznych
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów parametrów dynamicznych dwóch arbitralnie wybranych czujników natężenia oświetlenia. Czujniki te wykonano z użyciem fotodiody oraz fototranzystora. Mogą być one wykorzystywane w systemach oświetleniowych jako źródło sygnału zwrotnego dla układów wykonawczych w postaci półprzewodnikowych źródeł światła. Za pomocą wykonanego układu pomiarowego zarejestrowano kształt napięcia na oświetlonych czujnikach fotometrycznych. Uzyskane wyniki badań zostały zaprezentowane i przedyskutowane.
EN
This paper presents the result of the measurements of the dynamic parameters of two arbitrarily selected photometric sensors. These sensors contain a photodiode or a phototransistor. These sensors could be used in lighting systems as a source of feedback for executive systems in the form of the semiconductor light sources. The waveform of voltage of illuminated photometric sensors has been recorded with the use of the authors’ measurement system. The obtained measurement results were presented and discussed.
4
Content available remote Nowa metoda pomiaru krzywej magnesowania rdzenia dławika
PL
W pracy zaproponowano metodę pomiaru pętli histerezy rdzenia dławika bazującą na pomiarze i rejestracji czasowych przebiegów prądu i napięcia. Opisano sposób realizacji metody pomiarowej i układ pomiarowy. Przedstawiono i przedyskutowano wyniki badań wpływu wybranych parametrów sygnału pomiarowego na przebieg krzywych magnesowania dla wybranych dławików z rdzeniem ferrytowym.
EN
The paper presents a new method of measuring the hysteresis loop of the inductor. The proposed method based on the measurement and recording the current and the voltage time waveforms of inductor. The implementation of the method and the manner of measuring were described. The results of the investigation were presented and discussed especially the influence of selected measurement signal parameters on the waveform of magnetization curves for selected inductors with a ferrite core.
PL
Praca dotyczy wybranych komponentów systemów chłodzenia przyrządów półprzewodnikowych. Opisano budowę i zasadę działania elementów pasywnych tych systemów, takich jak ciepłowody, komory parowe i cieczowe, oraz aktywnych modułów termoelektrycznych Peltiera i zintegrowanych systemów chłodzenia cieczowego. Przedyskutowano parametry wpływające na wydajność opisywanych elementów, a także wskazano ich zastosowania.
EN
In the paper selected components of cooling systems of semiconductor devices have been presented. Structure and principles of operation of Heat Pipes, Vapour and Liquid Chambers as well as Thermoelectric Peltier Modules and integrated liquid cooling systems (AiO LC) have been described. Typical applications and parameters influencing on performance of devices and systems under consideration have been indicated.
6
Content available remote Porównanie właściwości statycznych wybranych czujników fotometrycznych
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych czterech różnych czujników natężenia oświetlenia. Czujniki te mogą być wykorzystywane w systemach oświetleniowych jako źródło sygnału zwrotnego dla układów wykonawczych w postaci półprzewodnikowych źródeł światła. Za pomocą rozważanych czujników zmierzono parametry charakteryzujące promieniowanie emitowane przez pięć różnych źródeł światła. Uzyskane wyniki badań zostały zaprezentowane i przedyskutowane.
EN
This paper presents the result of the measurements of the static parameters of four different light intensity sensors. These sensors could be used in lighting systems as a source of feedback for executive systems in the form of the semiconductor light sources. Using considered light sensors, the radiation emitted by five different light sources was measured. The obtained results were presented and discussed.
PL
W pracy zaproponowano sposób modelowania właściwości elementów półprzewodnikowych przy uwzględnieniu wpływu zewnętrznego pola elektromagnetycznego. Przedstawiono koncepcję modelowania rozważanych elementów za pomocą programu SPICE oraz pokazano postać hybrydowego modelu elementu półprzewodnikowego uwzględniającego oddziaływanie rozważanego pola na przebiegi napięcia i prądu elementu półprzewodnikowego. Rozważania szczegółowe przeprowadzono na przykładzie diody p-n. Przedstawiono i przedyskutowano wyniki obliczeń charakterystyk statycznych i dynamicznych tej diody. Wskazano, przy jakich wartościach parametrów pola elektromagnetycznego widoczny jest jego wpływ na rozważane charakterystyki.
EN
This paper proposes the manner of the modelling properties of semiconductor devices with an influence of the external electromagnetic field taken into account. The idea of modelling considered devices by means of the SPICE software is presented and the form of the hybrid model of the semiconductor device taking into account the influence of considered field on courses of the voltage and the current of this device is shown. Detailed considerations were passed on the example of the p-n diode. Results of calculations of dc and dynamic characteristics of this diode are presented and discussed. It is shown, at which values of parameters characterising electromagnetic field its influence on considered characteristics is visible.
8
Content available remote Metody pomiaru strat mocy w rdzeniach dławików
PL
W artykule omówiono źródła strat mocy występujących w materiałach magnetycznych wykorzystywanych do budowy dławików lub transformatorów oraz przeanalizowano wybrane literaturowe metody pomiaru tych strat. Opisano wybrane z tych metod i wskazano ich ograniczenia wynikające z zastosowania rozważanych metod pomiarowych. Wykazano potrzebę opracowania nowej metody pomiarowej.
EN
The article discusses the sources of power losses occurring in magnetic materials used to build the inductor or the transformers. The paper analyses selected literature methods for measuring these losses and presents the limitation of proposed methods. The overview of literature indicates the need to develop a new measurement method.
PL
W artykule tym dokonano analizy wykorzystania wybranych kontrolerów sygnałowych w falownikach jednofazowych. Do tego celu wykorzystano kontroler stałoprzecinkowy o małej mocy obliczeniowej oraz dla porównania kontroler zmiennoprzecinkowy z jednostką trygonometryczną. Zadaniem kontrolera było sterowanie mostkiem H poprzez dedykowany układ sterujący tranzystorami MOSFET mocy. Do tego celu użyto tranzystorów wykonanych w technologii NexFET o małej rezystancji kanału. Mostek H jest głównym układem mocy falownika jednofazowego, dwupoziomowego zasilanego z akumulatora o napięciu 12V. Jako metodę modulacji zastosowano modulację naturalną sygnałem nośnym z wykorzystaniem przebiegu trójkątnego. Celem głównym było pokazanie możliwości kontrolerów sygnałowych w sterowaniu falownikami w czasie rzeczywistym oraz zaprezentowanie maksymalnych częstotliwości próbkowania falownika, które można uzyskać dla powyższego przykładu.
EN
The analysis of usage of chosen digital signal controllers in power inverter was done. Fixed point controller with low processor capacity and in comparison to it floating-point controller with trigonometric unit were used. The controller’s task was controlling of H-bridge by means of dedicated driver controlling power MOSFET transistors. NexFET transistors with low resistance channel were used to this purpose. H-bridge is the main power circuit of one-phase two-level power inverter supplied by 12 V battery. Natural modulation by carrier signal with usage of triangular signal was used as a modulation method. Showing of technical capability of digital signal controllers in real time controlling of power inverters and presenting maximum sampling frequency for particular solution was the main aim of this paper.
10
Content available remote Modelling thermal properties of large LED modules
EN
In this paper a problem of modelling thermal properties of large LED modules is considered. The compact thermal model of such modules is proposed. The form of this model is presented and a method of parameters estimation is described. The practical usefulness of this model is verified experimentally by comparing the results of calculations and measurements of internal temperature of selected LEDs included in LED modules. The modules were fabricated by Fideltronic, Poland and measurements of temperature distribution on the surface of the modules at selected variants of power dissipation were performed at the Gdynia Maritime University. Good agreement between the results of measurements and modelling was obtained.
EN
In the paper the problem of modelling thermal properties of semiconductor devices with the use of compact models is presented. This class of models is defined and their development over the past dozens of years is described. Possibilities of modelling thermal phenomena both in discrete semiconductor devices, monolithic integrated circuits, power modules and selected electronic circuits are presented. The problem of the usefulness range of compact thermal models in the analysis of electronic elements and circuits is discussed on the basis of investigations performed in Gdynia Maritime University.
PL
W artykule tym zaprezentowano wykorzystanie dwóch metod przetwarzania sygnałów w analizie sygnału elektroenergetycznego. Przedstawiono dyskretną diadyczną transformację falkową i jej efektywność w detekcji i rekonstrukcji zakłóceń oraz transformatę Gabora-Wignera w analizie energii i lokalizacji na płaszczyźnie czas-częstotliwość.
EN
Two advanced digital signal processing methods in the power voltage waveforms processing were presented in the paper. There were introduced Discrete Dyadic Wavelet Transformation and its effectiveness in detection and reconstruction of voltage waveform disturbances. Moreover, Gabor-Wigner Transformation in analysis of signal energy and its localization on time-frequency plane, was also shown.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.