Artykuł traktuje o technikach, które opisują zachowanie tranzystorów w warunkach pracy wielkosygnałowej. Przedstawia wady i zalety poszczególnych technik wykorzystywanych do projektowania wzmacniaczy mocy. Praca zawiera również wprowadzenie do analizy wielkosygnałowej. Porównano projektowanie z wykorzystaniem macierzowych parametrów [S] wielkosygnałowych i małosygnałowych z metodą load-pull. Wyniki podano dla dwóch tranzystorów: dużej mocy MRF181S i małej NE34018.
EN
In this paper techniques, which are used to show transistor behaviour under large-signal conditions are presented. Advantages and disadvantages of these techniques for power amplifiers design are described. Introduction into vectorial large-signal analysis is also described. Large-signal vs. small-signal [S]-parameters and source/load-pull design are compared for MRF181S and NE34018 transistors.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.