Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 21

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  Schottky diode
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Content available remote Hafnium dioxide effect on the electrical properties of M/n-GaN structure
EN
In the present paper, using of SILVACO-TCAD numerical simulator for studying the enhancement in Pt/n-GaN Schottky diode current–voltage (I-V) characteristics by introduction of a layer of hafnium dioxide (HfO2) (with a thickness e = 5 nm) between the Pt contact and semiconductor interface of GaN is reported. The simulation of I-V characteristics of Pt/n-GaN was done at a temperature of 300 K. However, the simulation of Pt/HfO2/n-GaN structure was performed in a temperature range of 270 – 390 K at steps of 30 K. The electrical parameters: barrier height (Φb), ideality factor and series resistance have been calculated using different methods: conventional I-V, Norde, Cheung, Chattopadhyay and Mikhelashvili. Statistical analysis showed that the metal-insulator-semiconductor (Pt/HfO2/n-GaN) structure has a barrier height of 0.79 eV which is higher compared with the (Pt/n-GaN) structure (0.56 eV). The parameters of modified Richardson (mathematical formula) equation versus (mathematical formula) have been extracted using the mentioned methods. The following values: A∗Simul=22.65 A/cm2⋅K2, 14.29 A/cm2⋅K2, 25.53 A/cm2⋅K2 and 21.75 A/cm2⋅K2 were found. The Chattopadhyay method occurred the best method for estimation the theoretical values of Richardson constant.
EN
In this work, we have presented a theoretical study of Au/Ni/GaN Schottky diode based on current-voltage (I-V) measurement for temperature range of 120 K to 400 K. The electrical parameters of Au/Ni/GaN, such as barrier height (Φb), ideality factor and series resistance have been calculated employing the conventional current-voltage (I-V), Cheung and Chattopadhyay method. Also, the variation of Gaussian distribution (P (Φb)) as a function of barrier height (Φb) has been studied. Therefore, the modified [formula] relation has been extracted from (I-V) characteristics, where the values of ΦB0 and A+Simul have been found in different temperature ranges. The obtained results have been compared to the existing experimental data and a good agreement was found.
PL
W artykule przedstawiono historię kolejnych opracowań i wprowadzenia do zastosowań praktycznych pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych w latach 1954-2000. Są to germanowe i krzemowe diody prostownicze, fotodiody, diody Zenera i przyrządy mikrofalowe dla uzbrojenia radioelektronicznego, głównie dla radiolokacji (waraktory, diody ładunkowe, diody Schottky’ego, diody i generatory Gunna, diody PIN, tranzystory).
EN
Article describes history of successive studies and introduction to practical applications of first Polish semiconductor devices in the period of 1954-2000. They are german and silicon rectifying diodes, photodiodes, Zener diodes and microwave devices for radioelectronic military egwiment mailny for radiolocation (varactors, charge storage diodes, Schottky diodes, Gunna diodes and generators, PIN diodes, transistors).
PL
W artykule przedstawiono historię kolejnych opracowań i wprowadzenia do zastosowań praktycznych pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych w latach 1964-2000. Są to germanowe i krzemowe diody prostownicze, fotodiody, diody Zenera i przyrządy mikrofalowe dla uzbrojenia radioelektronicznego, głównie dla radiolokacji (waraktory, diody ładunkowe, diody i generatory Gunna, diody PIN, tranzystory).
EN
Article describes history of successive studies and introduction to practical applications of first Polish semi-conductor devices in the period of 1964-2000. They are germanous and siliceous rectifying diodes, photodiodes, Zener diodes and microwave devices for radioelectronic weaponry mainly for radiolocation (varactors, charge storage diodes, Gunna diodes and generators, PIN diodes, Schottky diodes, transistors).
EN
This paper deals with performance of the 50 kVA three-phase converter built with switches based on SiC MOSFET and anti-parallel Schottky diodes. In contrast to popular IGBT converters, a negative switch current is capable of flowing through the reverse conducting transistor, which results in different distribution of power losses among the devices. Thus, equations describing the conduction power losses of the transistor and diode are improved and verified by means of circuit simulations in Saber. Moreover, a comparison of power losses calculated with the use of standard and new equations is also shown. Total power losses in three SiC MOSFET modules of a 50 kVA converter operating at 20 kHz are up to 30% lower when reverse conduction is taken into account. This shows the importance of the discussed problem and proves that much better accuracy in the estimation of power losses and junction temperatures of SiC devices may be obtained with the proposed approach.
PL
Kontakty prostujące stanowią główny element w konstrukcji diod Schottky’ego i tranzystorów MESFET zapewniających niski pobór mocy układów scalonych i płaskich wyświetlaczy z aktywnymi matrycami. W niniejszej pracy proponujemy wytworzenie bariery Schottky’ego do a-IGZO w oparciu o przezroczysty tlenek przewodzący (ang. Transparent Conductive Oxide, TCO) Ru-Si-O. Skład atomowy i amorficzna mikrostruktura tego TCO są skuteczne w zapobieganiu reakcjom międzyfazowym w obszarze złącza, pozwalając na uniknięcie wstępnej obróbki powierzchni półprzewodnika. Kontakty Ru-Si-O/In-Ga-Zn-O zostały wykonane za pomocą reaktywnego magnetronowego rozpylania katodowego. Przedstawiamy wyniki badań nad wpływem składu chemicznego Ru-Si-O na właściwości elektryczne i optyczne kontaktu do a-IGZO. Określono okno procesowe wytwarzania Ru-Si-O, w którym warstwy tworzą przezroczystą barierę Schottky’ego do a-IGZO bez wstępnej obróbki powierzchni tego półprzewodnika. Przezroczysta bariera Schottky’ego została wykorzystana w konstrukcji tranzystora MESFET.
EN
In the following reposrt we propose utilization of transparenct conductive oxide as Schottky contact to transparent amorphous oxide semiconductor. Ru-Si-O Schottky contacts to In-Ga-Zn-O have been fabricated by means of reactive sputtering without neither any annealing processes nor semiconductor surface treatments. The ideality factor, effective Schottky barrier height and rectification ratio are equal to < 2, > 0.9 eV and 105 A/A, respectively. We employed Ru-Si-O/In-Ga-Zn-O Schottky barriers as gate electrodes for In-Ga-Zn-O metal-semiconductor field-effect transistors (MESFETs). MESFET devices exhibit on-to-off current ratio at the level of 103 A/A in a voltage range of 2 V and subthreshold swing equal to 420 mV/ dec. Channel mobility of 7,36 cm2/Vs was achieved.
7
Content available remote Wpływ warunków pracy na charakterystyki statyczne diod MPS z węglika krzemu
PL
W pracy omówiono wpływ warunków zasilania na charakterystyki prądowo-napięciowe diod Schottky’ego z węglika krzemu, z dodatkowym złączem PiN (Merged PiN Schottky). Zaprezentowano symulacje nieizotermicznych charakterystyk I-V przykładowej diody MPS, w których uwzględniono wpływ temperatury otoczenia na parametry krytyczne, takie jak prąd, moc oraz temperatura wnętrza, dla których element narażony jest na zniszczenie. W symulacjach uwzględniono wpływ temperatury otoczenia i wnętrza na rezystancję termiczną elementu.
EN
In the paper, the influence of operation conditons, especially ambient temperature, on the nonisothermal current-voltage characteristics of the silicon carbide Merged PiN Schottky diodes is disscussed. The investigations are mainly devoted to the dangerous regions of the DC, I-V characteristics. The simulations of the nonisothermal characteristics, with the critical parameters such as current, power and junction temperature, depending on the ambient temperature are presented. Also, the influence of the ambient and junction temperature on the thermal resistance has been included.
8
Content available remote Electrothermal Model of SiC Power Schottky Diodes
EN
The paper concerns the problem of modelling d.c. characteristics of commercial SiC power Schottky diodes with self-heating taken into account. The electrothermal model of the investigated devices is proposed and experimentally verified. The evaluation of accuracy of the elaborated model has been performed by comparison of measured and calculated characteristics of selected SiC power Schottky diodes.
PL
Praca dotyczy problemu modelowania, z uwzględnieniem zjawiska samonagrzewania, prądowo-napięciowych charakterystyk komercyjnie dostępnych diod Schottky’ego mocy wykonanych z węglika krzemu. Zaproponowano i eksperymentalnie zweryfikowano elektrotermiczny model rozważanych w pracy elementów półprzewodnikowych. Ocenę dokładności modelu przeprowadzono poprzez porównanie charakterystyk obliczonych w programie SPICE z charakterystykami zmierzonymi wybranych diod Schottky’ego z węglika krzemu.
9
Content available remote Electrically active defects in SiC Schottky barrier diodes
EN
The electrical properties of deep-level defects in real packaged SiC Schottky barrier rectifiers were studied by deep level transient spectroscopy (DLTS). One deep-level trap with an activation energy in the 0.29-0.30 eV range was revealed to be present in all the tested samples. The electrical characteristics of the trap indicate it is probably attributed to dislocations or to metastable defects, which can be responsible for discrepancies observed in I-V characteristics (see Ref. [2]).
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań diod Schottky'go wykonanych z węglika krzemu przy komutacji prądu z częstotliwością 10...200 kHz. Wyznaczono w tych warunkach straty mocy powstające w diodach SiC i porównano je z odpowiednimi wartościami określonymi dla ultraszybkich diod krzemowych. Zamieszczono wyniki pomiarów strat mocy w tranzystorze współpracującym w procesie komutacji prądu z diodą Schottky'go wykonaną z węglika krzemu oraz ultraszybką diodą krzemową. Przedstawiono także przebiegi przejściowego prądu wstecznego i przejściowego napięcia przewodzenia tych diod przy określonej stromości zmian prądu w przyrządzie.
EN
Measurement results of properties of the silicon carbide Schottky diodes in commutating current with frequency 10...200 kHz are presented in the paper. The power losses generated in the SiC diodes at these conditions are measured. These values are compared to the corresponding values determined for ultrafast silicon diodes. Results of measurement of power losses in a transistor switching at high frequency and cooperating in the commutation process with a silicon carbide diode and silicon diode respectively-are presented. Transient reverse current and transient forward voltage of these diodes at defined rise of current conditions are presented also.
11
PL
Artykuł prezentuje praktyczne rozwiązania wysokosprawnych układów zasilania SSL (Solid State Lighting ) LED dużej mocy (prądy 350-700mA) z autonomicznych instalacji fotowoltaicznych wyposażonych w akumulatory 24V. Prezentowane układy zostały zaprojektowane, wykonane oraz przetestowane przez autorów i charakteryzują się sprawnościami rzędu 95%. Istotą tych rozwiązań jest zastosowanie nowoczesnych elementów elektronicznych, zaaplikowanych w sposób pozwalający na najbardziej efektywną zamianę napięcia z akumulatorów na prąd potrzebny do zasilania diod LED oraz zapewniający im odpowiednio długi czas życia.
EN
The paper deals with the practical solutions of high-efficient power supplies for high power SSL LED (current of 350-700mA) powered from photovoltaic devices equipped with 24 V batteries. These highly efficient solutions (up to 95%) were designed, made and tested by authors. The idea of these solutions is using modern electronic components to achieve the most efficient way of converting energy stored in a battery to current that was usable for feeding LED and providing them a long life.
12
Content available remote Three-phase inverter with SiC JFETs and Schottky diodes
EN
This paper describes the design, construction and tests of 2kVA three-phase Current Source Inverter with Silicon Carbide (SiC) JFETs and Schottky diodes. Low forward voltage drops and switching energies of SiC elements result in the switching frequency increase to 100kHz and passive elements, especially inductors, are significantly reduced. Operation of the 2kVA/400VDC/3x400VAC model is illustrated by laboratory test results – measured efficiency at nominal power was 96,55%.
PL
Artykuł przedstawia projektowanie, konstrukcję i badania trójfazowego falownika prądu o mocy 2kVA zbudowanego z użyciem elementów z węglika krzemu: diod Schottky’ego i tranzystorów JFET. Małe spadki napięcia i energie przełączeń tych elementów pozwalają zwiększyć częstotliwość pracy układu do 100kHz. W efekcie elementy bierne obwodu, ze szczególnym uwzględnieniem dławików zostały znacząco zmniejszone. Działanie modelu 2kVA/400VDC/3x400VAC jest zilustrowane wynikami badań laboratoryjnych, sprawność układu przy mocy nominalnej wynosi 96,55%.
13
Content available remote Systemy prostownicze o podwyższonej sprawności energetycznej
PL
Artykuł omawia innowacyjne metody konfigurowania systemów prostowniczych, przewidzianych do zastosowania głównie w małej i średniej skali energetyki prądów stałych i przemiennych niskiej częstotliwości. Istotą tych rozwiązań jest specyficzne powiązanie i wykorzystanie cech nowoczesnych i tanich elementów elektroniki w szczególny sposób, umożliwiający znaczną redukcję strat energii, wymiarów oraz nakładu środków, dotychczas nieuchronnie związanych z realizacją typowych rozpowszechnionych procesów prostowania napięć przemiennych, kluczowania itp. Z tytułu masowości zastosowań efekty ekonomiczne tych nowych rozwiązań stanowić mogą olbrzymi wkład w jakże aktualnym, naglącym procesie oszczędzania energii elektrycznej.
EN
The paper discusses innovative methods for configuring rectifying circuits, mainly for applications in low and medium scale DC and low frequency AC energetic systems. The substance of these solutions are specific conjunctions and utilizing the modern and cheap elements of electronics in a peculiar way, enabling a significant reduction of energy losses, of dimensions, as well as of expenses, till now inevitably bound with the realization of the typical propagated AC rectifying processes, current keying etc. On ground of mass-use scale – the economical effects of these new solutions may create an enormous contribution in the unavoidable and urgent electric energy saving process.
14
Content available remote Modelling of power Schottky diodes with thermal effects taken into account
EN
The dissertation deals with the problem of modelling and analysis in SPICE of thermal effects influence on properties of power Schottky diodes made of different semiconductor materials, i.e. silicon, gallium arsenide and silicon carbide. The electrothermal model (ETM) of the investigated diodes was formulated and experimentally verified. The proper procedure of parameter estimation for the elaborated model was carried out. The evaluation of accuracy and examination of usefulness of the elaborated model have been performed by comparison of characteristics of the power Schottky diodes: measured and calculated by worked out the electrothermal model.
PL
Przedmiotem pracy są diody Schottky'ego mocy wykonane z krzemu, arsenku galu oraz węglika krzemu, wytwarzane przez czołowych producentów elementów elektronicznych. W pracy sformułowano i eksperymentalnie zwery fikowano uniwersalny model elektrotermiczny diody Schottky'ego mocy, słuszny dla diod wykonanych z różnych materiałów półprzewodnikowych, uwzględniający wpływ zjawiska samonagrzewania na parametry i charaktery styki tych diod. Model ten sformułowano w postaci akceptowalnej przez pro gram SPICE (PSPICE) oraz opracowano procedurę estymacji parametrów tego modelu. Przeprowadzono eksperymentalną weryfikację dokładności modelu zaproponowanego w pracy oraz oceniono jego przydatność w analizie układów elektronicznych zbudowanych z zastosowaniem diod Schottky`ego mocy.
PL
Praca dotyczy problematyki modelowania w programie SPICE wpływu temperatury na zależność pojemności złączowej diody od napięcia polaryzacji oraz charakterystyk wyłączania diod Schottky'ego mocy. Dokonano oceny dokładności modelu diody wbudowanego w tym programie przez porównanie wyników symulacji z wynikami pomiarów krzemowej diody Schottky'ego oraz diody Schottky'ego z węglika krzemu, przeprowadzonych w szerokim zakresie zmian temperatury otoczenia. Zaproponowano nowe zależności opisujące wpływ temperatury na wybrane parametry rozważanego modelu diody oraz zmodyfikowano ich wartości biblioteczne, w wyniku czego uzyskano znaczną poprawę zgodności wyników obliczeń i pomiarów charakterystyk rozważanych elementów.
EN
In the paper the usefulness of the SPICE built-in diode model in modelling dynamic properties of the Si and SiC Schottky diodes, is investigated. The quality of Schottky diodes modelling is estimated by measurements. Due to the unacceptably differences between measurements and calculations performed by SPICE with the use of the available library parameter original values, some modifications of the model have been proposed.
PL
W artykule przedstawiono podstawowe właściwości węglika krzemu (SiC) jako nowego materiału przydatnego do budowy przyrządów półprzewodnikowych mocy, znajdujących zastosowanie w energoelektronice. Zaprezentowano wyniki badań laboratoryjnych łącznika półprzewodnikowego, złożonego z krzemowego tranzystora IGBT i diody Schottky'ego z węglika krzemu oraz łącznika, złożonego z krzemowego tranzystora IGBT i krzemowej diody szybkiej. Porównanie wyników tych badań wyraźnie wskazuje na korzystne właściwości węglika krzemu jako materiału półprzewodnikowego, który zastępując krzem, stwarza możliwości budowy układów energoelektronicznych o nieosiągalnych dotychczas właściwościach, takich jak wysoka gęstość mocy, małe gabaryty, wysoka sprawność energetyczna, wysoka temperatura pracy, niski poziom zakłóceń elektromagnetycznych, wysoka częstotliwość przełączeń.
EN
The paper describes basic properties of silicon carbide (SiC), new semiconductor material suitable for built devices for power electronic. Experimental investigations results of switch consisting silicon (Si) IGBT and SiC Schottky diode or Si ultrafast diode are presented. Comparison shows very positive properties of SiC, which makes possible construction of power electronics converters with unavailable before features as high power density, small dimensions, high efficiency, high operating temperature, low EMI emission, high switching frequency.
PL
Przedstawiono ofertę grupy badawczej Wydziału Elektroniki Mikrosystemów I Fotoniki Politechniki Wrocławskiej, kierowanej przez Marka Tłaczałę, na opracowanie technologii i konstrukcji tranzystorów HFET i diod Schottky'ego na bazie heterostruktur AIII-N/SiC, przeznacz-nych do pracy w zakresie b.w.cz. Omówiono główne założenia i cele projektu. Przedstawiono oczekiwane rezultaty jego realizacji. Pokazano uwarunkowania technologiczne (urządzenia i laboratoria) oraz oprogramowanie i techniki charakteryzacji umożliwiające podjęcie realizacji projektu.
EN
This paper presents the offer formulated by research group of the Faculty of Microsystem Electronics and Photonic of Wroclaw University of Technology, headed by Marek Tłaczala, for the design of technology and fabrication process of AIII-N/SiC heterostructures HFET transistors and Schottky diodes for microwave application. The main assumption and goals of the project are given. The anticipated results are discussed. The main technological facilities (systems and clean rooms) as well as the software and measurements techniques intended for the realization of the project are presented.
18
Content available remote Wpływ temperatury na charakterystyki statyczne diod Schottky'ego mocy
PL
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów ilustrujących wpływ temperatury na charakterystyki statyczne diod mocy. Porównano zarówno izotermiczne, jak i nieizotermiczne charakterystyki diod Schottky'ego, wykonanych w tradycyjnej technologii krzemowej oraz w nowoczesnej technologii bazującej na węgliku krzemu. Pomierzone dla zakresu zaporowego charakterystyki diod Schottky'ego porównano także z charakterystykami katalogowymi. Wyznaczono wartości wybranych parametrów elektrycznych.
EN
In this paper the influence of the temperature on d.c. characteristics of the Schottky diodes has been investigated. The characteristics of the silicon Schottky diode and silicon carbide (SiC) Schottky diodes were measured at the broad range of the ambient temperature. Measured characteristics in the reverse range have been compared with the catalog's characteristics. The parameter values of the Schottky diodes were extracted.
19
Content available remote SiC Schottky Barrier Rectifiers - Theory and Practice
EN
The direct current characteristics of real packaged SiC Schottky barrier rectifiers in the light of up to date knowledge on the reveal subject are presented in this paper. The theory on SiC Schottky barrier rectifier from literature is collected in the text. For comparison the characteristics of SiC Schottky diodes fabricated in research laboratories and reported in literature are also presented. The investigated diodes were intended to work with the maximal forward current of 1 A and the maximal reverse voltage of 600 V. The measured characteristics of four diodes are in a harmony with characteristics presented in product data sheets for room temperature. In the forward current range for which the diodes are intended to work that is for current from 1 mA to 1 A, the I-V characteristics of the diodes are almost identical. The ideality factor ranges from about 1.12 to about 1.17 and is within the range reported in relevant literature. However, there are very different values of reverse leakage currents, although these values are within the range guaranteed by the producer. On the other hand, the forward I-V characteristics below the voltage of 0.75 V and the reverse I-V characteristics below the voltage of 600 V have large discrepancies. The measured reverse I-V characteristics are different from the commonly shown characteristics in papers.
PL
W artykule przedstawiono stałoprądowe charakterystyki handlowo dostępnych, prostowniczych diod Schottky 'ego wykonanych z węglika krzemu (SiC) oraz omówiono mechanizmy przepływu prądu zgodnie z obecnym stanem wiedzy w tej dziedzinie. Dla porównania przedstawiono dostępne w literaturze charakterystyki diod Schottky 'ego z SiC wytworzonych w laboratoriach badawczych. Badane diody przewidziane 53 do pracy z maksymalnym prądem przewodzenia wynoszącym 1 A i z maksymalnym napięciem wstecznym wynoszącym 600 V. Zmierzone w temperaturze pokojowej parametry czterech diod spełniają wymagania zawarte w karcie katalogowej producenta. W istotnym dla pracy tego typu prostownika przedziale wartości natężenia prądu tj. od 1 mA do 1 A, charakterystyki I-V tych diod s§ prawie identyczne. Współczynnik idealności badanych diod wynoszący od 1.12 do 1.17 mieści się w przedziale ktory podawany jest w literaturze. Natomiast, dla polaryzacji wstecznej badane diody majaą bardzo różne wartości prądu upływu, chociaż mieszczą się one w granicach gwarantowanych przez producenta. Generalnie, dla napieć poniżej 0.75 V w kierunku przewodzenia oraz dla napiec poniżej 600 V dla kierunku wstecznego, zmierzone charakterystyki I-V zdecydowanie różnią się między sobą i istotnie inne od tych prezentowanych zwykle w publikacjach.
PL
Praca dotyczy problematyki modelowania diod Schottky'ego z węglika krzemu (SiC), z uwzględnieniem efektów termicznych, w programie SPICE. Przedstawiono i szczegółowo opisano elektrotermiczny makromodel diody Schottky'ego SiC dla programu SPICE, opracowany przez firmę Infineon Technologies. Makromodel został zweryfikowany doświadczalnie. Zaproponowano modyfikacje poprawiające jego dokładność.
EN
The paper deals with the problem of SPICE modelling of the class of silicon-carbide (SiC) Schottky diodes with thermal effects (selfheating) taken into account. In the paper the SPICE electrothermal (including selfheating) macromodel of Infineon Technologies SiC Schottky diode is presented and detaily investigated. The considered macromodel has been verified experimentally and some modifications of the macromodel were introduced.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.