Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  metoda SIMS
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Warstwy diamentopodobne (DLC) są atrakcyjnym materiałem ze względu na unikalne właściwości, takie jak duża twardość, odporność chemiczna oraz dobre przewodnictwo cieplne i elektryczne. Właściwości te są szeroko powiązane z procesem oraz parametrami osadzania warstw, a także powinny być skorelowane ze składem chemicznym oraz strukturą warstw. W celu analizy chemicznej warstw DLC osadzonych przy różnych parametrach procesu RF CVD (13,56 MHz) zostały użyte metody SIMS oraz AES. Warstwy DLC osadzone zostały na gładkim podłożu krzemowym. Nanoszenie warstw odbywało się przy zastosowaniu ujemnego potencjału autopolaryzacji elektrody w zakresie -60 V - -420 V. Tworząc profile głębokościowe analizie chemicznej poddano powierzchnię i objętość warstwy DLC oraz obszar granicy DLC/Si. W składzie chemicznym warstwy DLC oprócz węgla wykryto obecność wodoru i tlenu. Uzyskane metodami SIMS i AES profile głębokościowe wskazują na obecność zanieczyszczeń takich jak żelazo i chrom w obszarze rozdziału faz, pomiędzy podłożem a warstwą DLC.
EN
Diamond-like carbon (DLC) films attract considerable interest due to their mechanical hardness, chemical inertness, thermal and electrical properties. Those properties are highly influenced by the deposition parameters and in turn should be correlated with chemical composition and structure of the DLC films. In this study the Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry (TOF-SIMS) and Auger Electron Spectroscopy (AES) were used to analyze chemical composition of DLC films deposited at various preparation parameters. The DLC films were deposited on flat Si substrates using Radio Frequency Plasma Chemical Vapour Deposition (RFPCVD 13,56 MHz) method. Deposition of samples took place with different negative self-bias voltage of electrode between -60 V and -420 V. Both surface and bulk chemical composition were analyzed for all samples by acquiring surface mass spectra and performing depth profiles respectively. Carbon, hydrogen and oxygen in the DLC films were detected. Collected depth profiles showed that all samples were contaminated with considerable amount of Fe and Cr in the interface region of the substrate and deposited DLC film.
EN
Aiborne particles were collected in two different environments in Poland - in Legnica, a middle size town situated close to the big copper works and in rural site in the suburs of Krakow. Bulk analysis of particulate matter collected on quartz fiber filte5rs was performed using spark source mass spectroscopy (SSMS). Analysis of aerosol particles from urban and rural environments revealed differences in partial concentration of 20 selected elements. In urban aerosol collected in Legnica we found more: Pb, Cr - 20 times than in the rural environment and As, Sr - 10 times, Co - 7 times, Cl -5 times, V, Y - 3 times, Ti, Mn, Cu, Se - 2 times and Fe, Ni, Zn, Br, Zr, Mo almost two times more than in the rural environment. Secondary ions mass spectrometry (SIMS) depth profile analyses were performed for samples of aerosol particles collected at Al-foils with the use of nine-stage rotating plates cascade impactor. SIMS results obtained with the use of 5 keV Ar(+) ion sputtering show "core-shell" structure of urban and rural particles dependent of their grain size in the range of 300 nm tu 15 um. Ultra fine (300-500 nm dia) rural particles have shell layers enriched in iron and manganese, while such enrichment is observed for coarse (5-10 um dia) urban particles.
PL
Przeprowadzono analizę profilową nanostruktur warstwowych wytworzonych metodą epitaksji z fazy gazowej związków metalo-organicznych (ang. MOVPE). Do analizy zastosowano spektrometrię mas jonów wtórnych (SIMS) - wykorzystano wiązkę jonów o ultra niskiej energii. Badanymi układami były wielokrotne studnie kwantowe (ang. MQW) składające się ze związków InAlGaAs, AlGaAs oraz GaAs. Struktury naniesione były na podłoże GaAs i składały się z buforu 150 - 500 nm GaAs, rejonu studni kwantowych oraz warstwy przykrywającej 50-70 nm GaAs. Rejon studni kwantowych jest trzywarstwową strukturą okresową składającą się z warstw InxAlyGai1-x-yAs o grubości 4,5 - 9 nm oraz warstw GaAs lub AlzGa1-zAs o grubości 30 nm. Analizy profilowe SIMS przeprowadzono stosując wiązkę jonów Ar+ o energii 880 e V i na granicy warstw GaAs/InAlGaAs układu wielokrotnych studni kwantowych uzyskano głębokościową zdolność rozdzielczą (16%-84%) ok. 3 nm. Porównanie wyników SIMS z wynikami uzyskanymi metodą wysokorozdzielczej dyfrakcji promieniowania X (ang. HRXRD) pozwoliło na pomiar grubości poszczególnych warstw badanych struktur a także na pomiar molowej zawartości indu w czteroskładnikowym związku InAlGaAs.
EN
Ultra-low energy secondary ion mass spectrometry (SIMS) depth profile analysis was performed on metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE) grown structures. The layered systems are multi-quantum well (MQW) structures composed of InAlGaAs, AlGaAs and GaAs. The structures typically consisted of GaAs substrate, 150 - 500 nm GaAs buffer, MQW region and 50 - 70 nm GaAs cap layer. The MQW is a 3-layer period superlattice made of 4.5 - 9 nm thick InxAlyGa1-x-yAs layers and 30 nm thick GaAs or AlzGa1-zAs layers. SIMS analyses performed with the use of 880 eV Ar+ ion beam give depth profile resolution (16%-84%) of ~3 nm measured at GaAs/InAlGaAs interface of MQW structure. Comparison of SIMS data with high resolution X-ray diffraction (HRXRD) allows to measure thickness of particular layers in the studied structures as well as indium molar fraction in quaternary compound InAlGaAs.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.