Ograniczanie wyników
Czasopisma help
Autorzy help
Lata help
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 48

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 3 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 3 next fast forward last
EN
The paper reports on a long-wave infrared (cut-off wavelength ~ 9 μm) HgCdTe detector operating under nbiased condition and room temperature (300 K) for both short response time and high detectivity operation. The ptimal structure in terms of the response time and detectivity versus device architecture was shown. The response time of the long-wave (active layer Cd composition, xCd = 0.19) HgCdTe detector for 300 K was calculated at a level of τs ~ 1 ns for zero bias condition, while the detectivity - at a level of D* ~ 109 cmHz1/2/W assuming immersion. It was presented that parameters of the active layer and P+ barrier layer play a critical role in order to reach τs ≤ 1 ns. An extra series resistance related to the processing (RS+ in a range 5-10 Ω) increased the response time more than two times (τs ~ 2.3 ns).
2
Content available Fast Response Hot (111) HGCDTE MWIR Detectors
EN
In this work we report simulation and experimental results for an MWIR HgCdTe photodetector designed by computer simulation and fabricated in a joint laboratory run by VIGO Sytems S.A. and Military University of Technology. The device is based on a modified N+pP+ heterostructure grown on 2”., epiready, semi-insulating (100) GaAs substrates in a horizontal MOCVD AIX 200 reactor. The devices were examined by measurements of spectral and time responses as a function of a bias voltage and operating temperatures. The time response was measured with an Optical Parametric Oscillator (OPO) as the source of ~25 ps pulses of infrared radiation, tuneable in a 1.55–16 μm spectral range. Two-stage Peltier cooled devices (230 K) with a 4.1 μm cut-off wavelength were characterized by 1.6 × 1012 cm Hz1/2/W peak detectivity and < 1 ns time constant for V > 500 mV.
3
Content available Analysis of Free-Space Optics Development
EN
The article presents state of work in technology of free-space optical communications (Free Space Optics - FSO). Both commercially available optical data links and their further development are described. The main elements and operation limiting factors of FSO systems have been identified. Additionally, analyses of FSO/RF hybrid systems application are included. The main aspects of LasBITer project related to such hybrid technology for security and defence applications are presented.
PL
W artykule omówiono moduł detekcyjny do optoelektronicznego systemu sensorów biomarkerów zawartych w wydychanym powietrzu. Zastosowany on został do detekcji promieniowania transmitowanego przez wnękę optyczną w czujniku CEAS (ang. Cavity Enhanced Absorption Spectroscopy), służącym do pomiaru stężenia tlenku azotu o stężeniu rzędu ppb. NO jest markerem astmy oraz przewlekłego zapalenia dróg oddechowych. Do konstrukcji opracowanego modułu detekcyjnego zastosowano detektor o dużej wykrywalności i szybkości działania oraz szerokopasmowy i niskoszumowy przedwzmacniacz. Dodatkowo został on wyposażony w obiektyw zapewniający dużą transmisję promieniowania.
EN
The article discusses the detection module for the optoelectronic sensor systems of the biomarkers contained in the exhaled human air. It has been used to detect radiation transmitted by the optical cavity in the sensor CEAS (Cavity Enhanced Absorption Spectroscopy) for measuring nitric oxide concentration. NO is the marker of asthma and chronic airway inflammation. The detection module consists of a fast and high-detection photodetector and high-speed and low-noise preamplifier and the also the lens ensures high transmission of radiation.
PL
W artykule omówiono optoelektroniczny system sensorów biomarkerów zawartych w wydychanym powietrzu. System ten składa się z pięciu bloków funkcjonalnych: układu pobierania próbek (UPP), układu kondycjonowania (UK), czujnika CEAS (ang. Cavity Enhanced Absorption Spectroscopy), dwuwidmowego czujnika MUPASS (ang. MUltiPass Absorption Spectroscopy System), oraz układu przetwarzania sygnałów (UPS). Układ UPP służy do pobrania od pacjenta próbki wydychanego powietrza z górnych lub z dolnych dróg oddechowych. Zadaniem UK jest minimalizacja wpływu interferentów, jakimi są m.in. para wodna, czy ditlenek węgla. Czujnik CEAS umożliwia wykrywanie tlenku azotu. Dla tego markera uzyskano granicę wykrywalności około 30 ppb. Do detekcji metanu i tlenku węgla zastosowano dwuwidmowy sensor MUPASS z jedną komórką wieloprzejściową. Dla metanu uzyskano granicę wykrywalności 100 ppb, natomiast dla tlenku węgla wyniosła ona 400 ppb.
EN
The article is related to the optoelectronic sensors system of the biomarkers contained in the exhaled human air. This system consists of five functional blocks: the sampling system (UPP), air conditioning system (UK), the cavity enhanced absorption spectroscopy (CEAS) sensor, two-wavelength multipass absorption spectroscopy system (MUPASS), and the signal processing system (UPS). UPP is used to collect a sample of the patient’s breath from the upper airways or lower airways of respiratory tract. The task of the UK is to minimize the effect of interfering substances, which include water vapor and carbon dioxide. CEAS sensor, which is designed to nitric oxide detection, provides the lowest detection limit of approximately 30 ppb. MUPASS is used for methane and carbon monoxide detecting. Lowest detection limit of 100 ppb was obtained for methane and of 400 ppb for carbon monoxide.
PL
W wyniku widocznych na naszym globie zmian klimatycznych, które przyczyniają się do podnoszenia średniego poziomu mórz i oceanów oraz do zwiększonej liczby sztormów, zauważalny jest nasilający się proces abrazji morskiej występującej na klifach. W artykule zaprezentowano badania zmierzające do określenia tempa cofania się fragmentu odcinka brzegu klifowego zlokalizowanego w pobliżu miejscowości Pleśna. Przeanalizowano przemieszczenia klifu zachodzące wskutek czynników erozyjnych na podstawie obserwacji z lat 2006-2015. Okresowe pomiary klifu były wykonywane techniką naziemnego skaningu laserowego. W analizach zastosowano opracowaną metodykę monitorowania brzegów klifowych, która była wynikiem pięcioletnich badań prowadzonych przez pracowników Katedry Geodezji Politechniki Koszalińskiej.
EN
Climate changes on our planet contribute to the rise in the average level of the seas, oceans, and a greater number of storms. It causes an increasing process of the sea abrasion on the cliffs. The paper presents the research, which determines the rate of retreat of the cliff shore fragment located in the vicinity of Pleśna village. The cliff displacements, which are the effect of erosive factors, were analysed on the basis of observations made in the years 2006-2015. Terrestrial laser scanning technology was applied to periodic measurements of the cliff. In the studies, the methodology of cliff shores monitoring was used, which was the result of five-year research performed by the staff of the Department of Geodesy Technical University of Koszalin.
7
Content available remote Status of long-wave Auger suppressed HgCdTe detectors operating > 200 K
EN
We report on the status of long-wave infrared Auger suppressed HgCdTe multilayer structures grown on GaAs substrates designed for high operating temperature condition: 200-300 K exhibiting, detectivity ~10¹¹ cmHz¹/² /W, time response within a ~120 ps range at 230 K. Abnormal responsivity within the range of ~30 A/W for electrical area 30×30 μm² under reverse bias V = 150 mV is reported. Maximum extraction coefficient of ~2.3 was estimated for analysed structures.
8
Content available remote Different cap-barrier design for MOCVD grown HOT HgCdTe barrier detectors
EN
The performance of HgCdTe barrier detectors with cut-off wavelengths up to 3.6 μm fabricated using metaloorganic chemical vapour deposition operated at high temperatures is presented. The detectors’ architecture consists of four layers: cap contact, wide bandgap barrier, absorber and bottom contact layer. The structures were fabricated both with n- and p-type absorbing layers. In the paper, different design of cap-barrier structural unit (n-Bp', n+-Bp', p+-Bp) were analysed in terms of various electrical and optical properties of the detectors, such as dark current, current responsivity time constant and detectivity. The devices with a p-type cap contact exhibit very low dark current densities in the range of (2÷3)×10⁻⁴ A/cm² at 230 K and the maximum photoresponse of about 2 A/W in wide range of reverse bias voltage. The time constant of measured de- vices with n-type cap contact and p-type absorbing drops below 1 ns with reverse bias while the detectivity is at the level of 1010 cm・Hz1/2/W.
9
Content available remote MOCVD grown MWIR HgCdTe detectors for high operation temperature conditions
EN
The paper reports on photoelectrical performance of the mid-wave infrared HgCdTe detector for high operating temperature condition. Detector structure was simulated with APSYS numerical platform by Crosslight Inc. The comprehensive analysis of the detector performance such as dark current, detectivity, time response vs. device architecture and applied bias has been performed. The N⁺pP⁺n⁺ HgCdTe heterostructure photodiode operating in room temperature at a wavelength range of 2.6–3.6 μm enabled to reach: detectivity ~ 8.7×10¹⁰ cmHz¹/²/W, responsivity ~ 1.72 A/W and time response ~ 145 ps(V = 200 mV).
EN
The paper presents the method and results of low-frequency noise measurements of modern mid-wavelength infrared photodetectors. A type-II InAs/GaSb superlattice based detector with nBn barrier architecture is compared with a high operating temperature (HOT) heterojunction HgCdTe detector. All experiments were made in the range 1 Hz - 10 kHz at various temperatures by using a transimpedance detection system, which is examined in detail. The power spectral density of the nBn’s dark current noise includes Lorentzians with different time constants while the HgCdTe photodiode has more uniform 1/f - shaped spectra. For small bias, the low-frequency noise power spectra of both devices were found to scale linearly with bias voltage squared and were connected with the fluctuations of the leakage resistance. Leakage resistance noise defines the lower noise limit of a photodetector. Other dark current components give raise to the increase of low-frequency noise above this limit. For the same voltage biasing devices, the absolute noise power densities at 1 Hz in nBn are 1 to 2 orders of magnitude lower than in a MCT HgCdTe detector. In spite of this, low-frequency performance of the HgCdTe detector at ~ 230K is still better than that of InAs/GaSb superlattice nBn detector.
11
Content available Barrier detectors versus homojunction photodiode
EN
In the last two decades several new concepts of photodetectors to improve their performance have been proposed. New strategies are especially addressed to the group of so called high-operating-temperature detectors where - apart from increasing of operating temperature - both the size and power consumption reduction is expected. In this paper a new strategy in the photo-detector design is presented - the barrier detectors: CnBn; CnBnN+, CpBn and unipolar barrier photodiodes. In spite of considering barrier detectors based on AIIIBV bulk compounds and type-II superlattices as having theoretically a better performance than those based on HgCdTe, the latter compound is also used to fabricate barrier detectors. Among many new applications of barrier detectors the detection of explosives can be extremely important due to an increased threat of terrorist attacks. This paper presents the status of the barrier detectors and compares the performance of mid-wave HgCdTe barrier detectors and unipolar barrier photodiodes.
EN
This paper describes the analysis and conclusions regarding the use of butanol/biobutanol as a component of conventional mineral fuels employed in different areas of transportation. Butanol from biomass - biobutanol is interesting as biocomponent of gasoline, diesel fuel as well as aviation fuels. This is especially important in case of air transport, which is the carbon dioxide emission source of the fastest growth. Biobutanol is tested as biocomponent of gasoline, including aviation ones, but there are no information about biobutanol added to mineral Jet fuel as well as diesel fuel. Direction of research conducted by leading aviation companies indicates that hydrocarbon biocomponent will be main biofuel used as aviation turbine fuel. One of reported technology is focused on use of butane-1-ol as semi-finished products for isoparaffinic hydrocarbons generation that then would be used for aviation turbine fuels production. In order to do such analysis the preliminary lab testing of blends of butanol isomers with aviation fuel Jet A-1 and diesel fuel were performed. The paper contains the results of standard tests for blends of mineral fuels with butane-1-ol and butane-2-ol added in concentration of 0-20 %(V/V). Both the advantages and disadvantages regarding the use of such component of mineral fuels are presented. Butanol decreases value of flash point and significantly influence on conductivity of Jet fuel. In case of aviation fuel for turbine engines, and diesel fuel, the restrictions regarding direct use of butanol are important. However, butanol can be treated as semi-finished material for synthesizing of biohydrocarbons used in above applications.
13
Content available remote High-operating temperature MWIR nBn HgCdTe detector grown by MOCVD
EN
The paper reports on the first experimental results of the mid-wave infrared (MWIR) HgCdTe barrier detectors operated at near-room temperatures and fabricated using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). SIMS profiles let to compare projected and obtained structures and reveals interdiffusion processes between the layers. Undesirable iodine diffusion from cap to the barrier increase the valance band offset and is the key item in limiting the performance of HgCdTe nBn detector. However, MOCVD technology with a wide range of composition and donor/acceptor doping and without post grown annealing might be successfully adopted for barrier device architectures.
EN
The paper reports on the photoelectrical performance of the long wavelength infrared (LWIR) HgCdTe high operating temperature (HOT) detector. The detector structure was simulated with commercially available software APSYS by Crosslight Inc. taking into account SRH, Auger and tunnelling currents. A detailed analysis of the detector performance such as dark current, detectivity, time response as a function of device architecture and applied bias is performed, pointing out optimal working conditions.
PL
W pracy przedstawiono pomiary szumów małej częstotliwości detektora średniej podczerwieni typu nBn wykonanego na bazie supersieci II-rodzaju InAs/GaSb z barierą Al0.2Ga0.8Sb. Badania przeprowadzono w temperaturze 77K. Pokazano, że widma szumów są superpozycją lorencjanów o różnych stałych czasowych. Dla małych prądów szum 1/f powiązano z fluktuacjami rezystancji upływu S1(f) ~ U/2/IRsh2. W zakresie napięć, gdzie dominują prądy tunelowe, zaobserwowano zależność S1(f) ~ /I. Wyniki pomiarów porównano z szumami m. cz. fotodiody z HgCdTe.
EN
In this paper low frequency noise of mid-wavelength infrared detector nBn made of II-type superlattices InAs/GaSb with barrier Al0.2Ga0.8Sb was shown. Measurements at temperature 77K was done. It was concluded that power spectral density is a sum of several lorentzians with different time constants. For small currents 1/f noise was connected with fluctuations of leakage resistance S1(f) ~ U2IRsh2. When tunneling currents dominate in total dark current relationship S1(f) ~ I was observed. Results of the noise measurements was compared with low frequency noise of the photodiode p-n based on HgCdTe.
PL
Fotonowe detektory średniej podczerwieni wymagają chłodzenia celem zredukowania niepożądanych szumów, wśród których główną rolę odgrywają procesy generacyjno-rekombinacyjne (GR) Augera i Shockley-Read-Halla (SRH), jak również efekty tunelowe. Zwiększenie temperatury pracy detektora (warunki pracy HOT – high operating temperature) jest istotnym elementem wytwarzania systemów detekcyjnych spełniających kryteria SWaP (size, weight and power). Początkowe prace nad detektorami HOT skupiły się na wykorzystaniu efektu fotoprzewodnictwa i efektu fotoelektromagnetycznego. W następnej kolejności podjęto próby wykorzystania zjawisk nierównowagowych ograniczających procesy GR Augera, jak również zredukowania objętości detektora, czego ostatnim przykładem są struktury typu PTD (photon trapping detectors). Badane od dwóch dekad unipolarne i komplementarne struktury barierowe, jak również struktury wielokrotne (CID-cascade infrared detectors) zademonstrowały możliwości pracy w warunkach HOT. Niniejszy artykuł przedstawia osiągi barierowych detektorów typu nBnnn+ InAsSb; nBnn, nB1nB2 z HgCdTe oraz CID z T2SLs InAs/GaSb oraz ich możliwości w rozwoju wysokotemperaturowych detektorów MWIR na tle innych technologii HOT.
EN
The photon infrared detectors require cryogenic cooling to suppress dark current, which is typically limited by Shockley-Read-Hall (SRH) and Auger generation-recombination (GR) processes and tunneling effects. Currently, increasing the operating temperature (HOT-high operating temperature) of the infrared detection systems without sacrificing its performance remains to be a crucial objective as for as SWaP (size, weight and power) is concerned. The preliminary R&D was focused on the photoconductive and photoelectromagnetic effects. The next step was to incorporate non-equilibrium effects to suppress GR Auger process. The idea of PTD (photon trapping detectors) has been used to increase quantum efficiency and limit dark current. Recently, the barrier UBIRD and CBIRD structures (T2SLs InAs/GaSb, InAsSb, HgCdTe) and cascade architectures (CID - cascade infrared detectors) has shown the potential capabilities to operate at HOT conditions. The paper presents the nBnnn+ InAsSb; nBnn, nB1nB2 z HgCdTe barrier structures’ performance and T2SLs InAs/GaSb CID detectors and their potential capabilities in HOT detectors’ development in MWIR range.
EN
We report on temperature dependence characteristics of mid wavelength InAs/GaSb type-II superlattice photodiodes in a temperature range from 120 K to 240 K. A bulk based model with an effective bandgap of superlattice material has been used in modelling of the experimental data. Temperature and bias dependent differential resistances have been analyzed in detail due to contributing mechanisms that limit the electrical performance of the diodes. C1-HH1 reduced mass was estimated from the fitting to the high reverse bias (< - 1.0 V) voltage, and given about 0.015 m0 in the whole considered temperature range. This value agree well with much more complex simulations and cyclotron resonance measurements. Obtaining so good results was possible thanks to including series resistance into calculations.
PL
W pracy przedstawiono analizę charakterystyk prądowo-napięciowych oraz rezystancji dynamicznych fotodiod PIN z supersieci II typu InAs10ML/ GaSb10ML zakresu średniej podczerwieni. Rozważania teoretyczne transportu nośników przeprowadzono stosując teorię Shockley’a złącza wykonanego w materiale objętościowym. W zakresie temperatur 120 - 240 K zaobserwowano kilka mechanizmów składowych prądu ciemnego, w tym: mechanizm dyfuzyjny i generacyjno-rekombinacyjny, dwa mechanizmy tunelowania, oraz upływność powierzchniową. W obliczeniach uwzględniono również wpływ rezystancji szeregowej, który szczególnie w zakresie temperatur osiąganych przez chłodziarki termoelektryczne (T > 180 K), okazał się znaczący. Wybrane parametry dopasowujące uzyskane z analitycznych zależności na składowe prądu ciemnego (w tym masę zredukowaną przejścia C1-HH1) zostały porównane z dostępnymi literaturowymi danymi eksperymentalnymi.
PL
Opisano metodykę pomiaru szumów małej częstotliwości diodowych detektorów podczerwieni.
EN
The paper describes methodology of low frequency noise measurements using diode infrared detectors
PL
Praca prezentuje wyniki badań nad minimalizacją, prądu ciemnego w heterostrukturach z HgCdTe przeznaczonych do delekcji promieniowania podczerwonego w zakresie LWIR W artykule przedstawiono wyniki symulacji z wykorzystaniem pakietu APSYS wspomagającego projektowanie heterostruktur z HgCdTe optymalizowanych ze względu na pracę w warunkach nierównowagowych. Do wytwarzania takich struktur wykorzystano technologię MOCVD, która umożliwia osądzanie warstw HgCdTe o dowolnym profilu składu i domieszkowania zarówno donorowego jak i akceptorowego bez konieczności wygrzewania poprocesowego. Przedstawiono wpływ architektury absorbera oraz warstw przejściowych (interfejsów) na wartość prądu ciemnego l min.
EN
The researches on minimizing of dark current in HgCdTe heterastructures designed for infrared detection in LWIR range are presented. The paper presents program APSYS simulation results supporting design of HgCdTe heterestructures optimized for non-equilibrium mode of operation. MOCVD technology have been used for HgCdTe deposition with lull range of composition and donor and acceptor doping without post grown annealing. The absorber layer and interface layers architecture influence on dark current l min are presented.
PL
Detektory promieniowania podczerwonego z wąską przerwą energetyczną wymagają chłodzenia celem ograniczenia prądów ciemnych generowanych w strukturze detekcyjnej wśród których najważniejszymi są: procesy generacyjno - rekombinacyjne Shockley-Read-Halla i procesy Augera. Obecnie, zwiekszenie temperatury pracy urządzeń detekcyjnych bez ograniczenia ich osiągów jest głównym celem wielu zespołów badawczych. Procesy generacyjno - rekombinacyjne Augera można ograniczyc poprzez budowę urządzęń detekcyjnych z supersieci II rodzaju (type II superlattice - T2SLs) z związków AIIIBV należących do rodziny 6.1 L. Implementacja barier do struktur detekcyjnych pozwala zredukować niekorzystny wpły procesów Shockley-Read-Halla. Ograniczenie wpływu obu mechanizmów pozwoli zwiększyć temperaturę pracy detektora. Artykuł przedstawia osiągi unipolarnych detektorów nBn z T2SLs InAs/GaSb/B- AI₀.₂Ga₀.₈Sb i HgCdTe oraz ich potencjalne możliwości w rozwoju detektorów promieniowania podczerwonego.
EN
The narrow band gap infrared detectors require cryogenic cooling to suppress dark current, which is typically limited by Shockley-Read-Hall (SRH) and Auger generation-recombination processes. Currently, increasing the operating temperature of the infrared detection systems without sacrificing its performance remains to be a crucial objective of the research groups. Intrinsic Auger thermal generation recombination process could be controlled by implementation of the type II superlattices (T2SLs) AIIIBV 6.1 L family to the detectors architecture while extrinsic SRH process could be suppressed by the barrier's incorporation into detector's structure respectively. Both SHR and Auger suppression lead to increase of the device's operating temperature. The paper reports on the unipolar barrier infrared detector (UBIRD) medium wavelength infrared (MWIR) HgCdTe nBn/B-n type and T2SLs nBn lnAs/GaSb/B-AI₀.₂Ga₀.₈Sb detector's photoelectrical performance and their potential possibilities in the field of infrared detectors development.
first rewind previous Strona / 3 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.