Optica Applicata - Tom Vol. 35, nr 3 (2005) - BazTech - Yadda

Tom - szczegóły

Tytuł artykułu

Vol. 35, nr 3

Czasopismo

Optica Applicata

Wydawca

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Rocznik

2005

Identyfikatory

Zawartość wolumenu

Vol. 35, nr 3
- artykuł: Interaction of nitrogen dioxide free base phthalocyaninewith (Białek B.), s. 323-328
- artykuł: Infrared second-order nonlinear optical effect in Sb2Te3-SrBr2-PbCl2 glass (Gruhn W.), s. 329-336
- artykuł: Influence of the composition of M78Si9B13 metallic glasses on their structural stability (Jakubczyk E., Stępień Z., Jakubczyk M.), s. 339-346
- artykuł: X-ray photoelectron spectroscopy studies of PrAlO3 crystals before and after thermal treatment (Kruczek M., Talik E., Pawlak D., Łukasiewicz T.), s. 347-328
- artykuł: Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces (Miczek M., Adamowicz B., Hashizume T., Hasegawa H.), s. 355-361
- artykuł: Formation of cobalt hydridesin low temperature field evaporation (Stępień Z. M.), s. 363-368
- artykuł: Electron transport in the multi-terminal guantum dot system (Taranko E., Taranko R., Wiertel M.), s. 369-374
- artykuł: Hydrogen chemisorption on palladium surface in a high electric field (Tomaszewska A., Stępień Z. M.), s. 375-383
- artykuł: High resolution photoemission yield study of the GaAs(100) surface cleaned by atomic hydrogen (Tomkiewicz P., Kościelniak P., Girycki A., Szuber J.), s. 385-391
- artykuł: Influence of high pressure annealing on electrical properties of surface layer of neutron irradiated or germanium-doped Czochralski-grown silicon (Jung W., Misiuk A., Londos C. A., Yang D., Antonova I. V., Prujszczyk M.), s. 393-398
- artykuł: Some problems of molecular beam epitaxy growth of epitaxial structures of semiconductor lasers for a 980 nm band (Kosmala M., Regiński K., Kosiel K.), s. 399-405
- artykuł: Photoluminescence of poly(N-vinylcarbazole) thin films deposited by dip-coating technique (Rębarz M., Dalasiński P., Bała W., Łukasiak Z., Wojdyła M., Kreja L.), s. 407-412
- artykuł: Thin films of ZnO and ZnMnO by atomic layer epitaxy (Wójcik A., Kopalko K., Godlewski M., Łusakowska E., Guziewicz E., Minikayev R., Paszkowicz W., Świderski J., Klepka M., Jakieła R., Kiecana M., Sawicki M., Dybko K., Phillips M. R.), s. 413-4217
- artykuł: Post-deposition stress evolution in Cu and Ag thin films (Chocyk D., Prószyński A., Gładyszewski G., Pieńkos T., Gładyszewski L.), s. 419-424
- artykuł: Properties of transparent oxide thin films prepared by plasma deposition (Domaradzki J., Borkowska A., Kaczmarek D., Prociów L.), s. 425-430
- artykuł: On the microstructure of TiHfOx thin films (Domaradzki J., Borkowska A., Kaczmarek D., Prociów L., Wasielewski R., Ciszewski A.), s. 431-435
- artykuł: Dielectric coatings for infrared detectors (Hejduk K., Pierściński K., Rzodkiewicz W., Muszalski J., Kaniewski J.), s. 437-442
- artykuł: Angle-resolved photoemission of ultrathin Pb films on Si(111)-(6x6) Au: quantum size effect (Kisiel M.), s. 443-448
- artykuł: Band structure of Au monoatomic chains on Si(335) and Si(557) surfaces (Kisiel M., Skrobas K., Zdyb R., Jałochowski M.), s. 449-455
- artykuł: Deep centers in InGaAs/InP layers grown by molecular beam epitaxy (Kowalczyk A. E., Ornoch L., Muszalski J., Kaniewski J., Bąk-Misiuk J.), s. 457-463
- artykuł: Properties of constricted 2DEG/metal structures in microwave electric fields (Kozič A., Suziedelis A., Petkun V., Cerskus A., Shtrikmann H., Gradauskas J., Kundrotas J., Asmontas S.), s. 465-470
- artykuł: Optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells with different distance from Si-delta-doping layer (Motyka M., Sęk G., Andrzejewski J., Kudrawiec R., Misiewicz J., Ściana B., Radziewicz D., Tłaczała M.), s. 471-477
- artykuł: Thermoreflectance and micro-Raman measurements of the temperature distributions in broad contact laser diodes (Ochalski T. J., Piwoński T., Wawer D., Pierściński K., Bugajski M., Kozłowska A., Maląg A., Tomm J. W.), s. 479-484
- artykuł: Certain effects of field and light induced electron emission from indium thin oxide (ITO) layers (Olesik J.), s. 485-494
- artykuł: Computer simulation studies of roughness of thin films formed in the ion beam assisted deposition (IBAD) process (Oleszkiewicz W., Romiszowski P.), s. 495-501
- artykuł: Determination of surface waviness using radius of curvature measurement with laser scanning technique (Pieńkos T., Gładyszewski L., Prószyński A., Chocyk D., Gładyszewski G.), s. 503-507
- artykuł: Optical properties of InGaAsP quantum well for infrared emission investigated by modulation spectroscopy (Podhorodecki A., Andrzejewski J., Motyka M., Kudrawiec R., Misiewicz J., Wójcik J., Robinson B. J.), s. 509-515
- artykuł: Measurement of stress as a function of temperature in Ag and Cu thin films (Prószyński A., Chocyk D., Gładyszewski G., Pieńkos T., Gładyszewski L.), s. 517-522
- artykuł: Application of interference methods for determination of curvature radius in metal-oxide-semiconductor (MOS) structures (Rzodkiewicz W., Borowicz L.), s. 523-527
- artykuł: Photoreflectance spectroscopy of thick GaN layers grown by hydride vapour phase epitaxy technique (Syperek M., Kudrawiec R., Misiewicz J., Korbutowicz R., Paszkiewicz R., Tłaczała M.), s. 529-535
- artykuł: Properties and origin of oval defects in epitaxial structures grown by molecular beam epitaxy (Szerling A., Kosiel K., Wójcik-Jedlińska A., Płuska M., Bugajski M.), s. 537-548
- artykuł: Influence of materials grain structure on the performance of optoelectronic devices (Szyszka A., Paszkiewicz B., Wośko M., Tłaczała M.), s. 549-554
- artykuł: Analysis of high-power diode laser thermal properties by micro-Raman spectroscopy (Wawer D., Tomm J. W., Pierściński K., Bugajski M.), s. 555-560
- artykuł: Lock-in phase analysis of copper phthalocyanine photoabsorption spectrum (Wojdyła M., Derkowska B., Bała W.), s. 561-571
- artykuł: Thermally induced changes of broad contact pulse-operated single quantum well (SQW) separate confinement heterostructure (SCH) laser spectra (Kowalczyk E., Ornoch L., Szerling A., Mroziewicz B.), s. 573-578
- artykuł: Simplified modelling of photonic-crystal-confined vertical-cavity surface-emitting diode lasers (Nakwaski W.), s. 579-589
- artykuł: Analysis of thermal conditions of pulse operated single quantum well separate confinement heterostructure (SQW SCH) lasers (Ornoch L., Kowalczyk E., Mroziewicz B.), s. 591-595
- artykuł: Piezoelectric effect and spontaneous polarization in computer modelling of AIII--N heterostructures (Piasecki T., Kośnikowski W., Paszkiewicz B.), s. 597-604
- artykuł: Analysis of mounting induced strain in semiconductor structures by means of spatially resolved optical modulation techniques (Pierściński K., Piwoński T., Ochalski T. J., Kowalczyk E., Wawer D., Bugajski M.), s. 605-610
- artykuł: Thermoreflectance study of temperature distribution on the semiconductor laser mirrors (Piwoński T., Wawer D., Szymański M., Ochalski T., Bugajski M.), s. 611-617
- artykuł: Optimization of multi quantum well solar cell (Prażmowska J., Korbutowicz R.), s. 619-626
- artykuł: Magnetic field sensors based on undoped In0.53Ga0.47As/InP heterostructures fabricated by molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition (Przesławski T., Wolkenberg A., Kaniewski J., Regiński K., Jasik A.), s. 627-634
- artykuł: An impact of a localization of an oxide aperture within a vertical-cavity surface-emitting diode laser (VCSEL) cavity on its lasing threshold (Sarzała R. P.), s. 635-644
- artykuł: AlGaAs/GaAs heterojunction phototransistor with Zn delta-doped base region (Ściana B., Radziewicz D., Pucicki D., Tłaczała M., Kovac J., Srnanek R.), s. 645-650
- artykuł: Envelope function description of quantum cascade laser electronic states (Wasiak M., Bugajski M., Nakwaski W.), s. 651-654
- artykuł: High-sensitivity NO2 sensor based on n-type InP epitaxial layers (Wierzbowska K., Adamowicz B., Mazet L., Brunet J., Pauly A., Bideux L., Varenne C., Berry L., Germain J. P.), s. 655-662
- artykuł: Applications of functionally graded materials in optoelectronic devices (Wośko M., Paszkiewicz B., Piasecki T., Szyszka A., Paszkiewicz R., Tłaczała M.), s. 663-667

rozwiń roczniki

JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.