Narzędzia help

Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
first previous next last
cannonical link button

http://yadda.icm.edu.pl:80/baztech/element/bwmeta1.element.baztech-f05d2b10-01d6-438f-b1c6-6e8f37d60318

Czasopismo

Materials Science Poland

Tytuł artykułu

Scanning capacitance microscopy characterization of AIIIBV epitaxial layers

Autorzy Szyszka, A.  Obłąk, M.  Szymański, T.  Wośko, M.  Dawidowski, W.  Paszkiewicz, R. 
Treść / Zawartość http://www.materialsscience.pwr.wroc.pl/
Warianty tytułu
Języki publikacji EN
Abstrakty
EN The applicability of scanning capacitance microscopy (SCM) technique for chosen electrical properties characterization of AIIIBV structures fabricated by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) was examined. The calibration curves for quantitative characterization of doping levels in GaAs layers were created. The AlGaN/GaN/Si heterostructures for high electron mobility transistor fabrication and InGaAs tunnel junction for tandem solar cell characterization were presented. The crucial factors of measurement conditions which could influence the obtained results were also discussed.
Słowa kluczowe
EN scanning   capacitance   microscopy   SCM   atomic force microscopy (AFM)   GaAs   InGaAs   AlGaN/GaN  
Wydawca Springer
Czasopismo Materials Science Poland
Rocznik 2016
Tom Vol. 34, No. 4
Strony 845--850
Opis fizyczny Bibliogr. 14 poz., rys.
Twórcy
autor Szyszka, A.
  • Wroclaw University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Janiszewskiego Street 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland
autor Obłąk, M.
  • Wroclaw University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Janiszewskiego Street 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland
autor Szymański, T.
  • Wroclaw University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Janiszewskiego Street 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland
autor Wośko, M.
  • Wroclaw University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Janiszewskiego Street 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland
autor Dawidowski, W.
  • Wroclaw University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Janiszewskiego Street 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland
autor Paszkiewicz, R.
  • Wroclaw University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Janiszewskiego Street 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland
Bibliografia
[1] SZYSZKA A., ŚCIANA B., RADZIEWICZ D., MACHERZYŃSKI W., PASZKIEWICZ B., TŁACZAŁA M., Opt. Appl., 41 (2011), 281.
[2] MOCZAŁA M., SOSA N., TOPOL A., GOTSZALK T., Ultramicroscopy, 141 (2014), 1.
[3] PARK K. W., NAIR H. P., CROOK A. M., BANK S. R., YU E. T., Appl. Phys. Lett., 99 (2011), 133114.
[4] BASSANI F., PERIWAL P., SALEM B., CHEVALIER N., MARIOLLE D., AUDOIT G., GENTILE P., BARON T., Phys. Status Solidi-R, 8 (2014), 312.
[5] GOGHEROA D., GIANNAZZOB F., RAINERIA V., Mater. Sci. Eng. B-Adv., 102 (2003), 152.
[6] BHUSHAN B. (Ed.), Scanning Probe Microscopy in Nanoscience and Nanotechnology 2, Springer-Verlag, Berlin Heidelberg, 2001.
[7] ŚCIANA B., RADZIEWICZ D., PUCICKI D., TŁACZAŁA M., SĘK G., POLOCZEK P.,MISIEWICZ J., KOVÁC J., SRNANEK R., CHRISTOFI A., Mater. Sci.-Poland, 26 (2008), 71.
[8] DAWIDOWSKI W., ŚCIANA B., ZBOROWSKA-LINDER I., MIKOLÁŠEK M., LATKOWSKA M., RADZIEWICZ D., PUCICKI D., BIELAK K., BADURA M., KOVÁC J., TŁACZAŁA M., Int. J. Electron. Telecommun., 60 (2014), 151.
[9] SZYMAŃSKI T., WOŚKO M., PASZKIEWICZ B., PASZKIEWICZ R., DRZIK M., J. Vac. Sci. Technol. A, 33 (2015), 041506.
[10] SMITH K.V., DANG X.Z., YUA E.T., REDWING J.M., J. Vac. Sci. Technol. B, 18 (2000), 2304.
[11] YIN H., LII T., WANG W., HU W., LIN L., LU W., Appl. Phys. Lett., 95 (2009), 093506.
[12] SZYSZKA A., ŚCIANA B., RADZIEWICZ D., MACHERZYŃSKI W., PASZKIEWICZ B., TŁACZAŁA M., Opt. Appl., 41 (2011), 281.
[13] KROST A., DADGAR A., STRASSBURGER G., CLOS R., Phys. Status Solidi-R, 200 (2003), 26.
[14] WOŚKO M., PASZKIEWICZ B., SZYMAŃSKI T., PASZKIEWICZ R., J. Cryst. Growth, 414 (2015), 248.
Uwagi
Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017).
Kolekcja BazTech
Identyfikator YADDA bwmeta1.element.baztech-f05d2b10-01d6-438f-b1c6-6e8f37d60318
Identyfikatory
DOI 10.1515/msp-2016-0104