PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Wpływ mocowania elementu półprzewodnikowego na jego przejściową impedancję termiczną

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Influence of the mounting of a semiconductor device on its transient thermal impedance
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań wpływu sposobu mocowania elementu półprzewodnikowego na jego przejściową impedancję termiczną. Opisano zastosowaną przez autorów metodę pomiaru tego parametru oraz wyniki pomiarów cza-sowych przebiegów przejściowej impedancji termicznej wybranych typów tranzystorów pracujących przy różnych warunkach mocowania. Przy wykorzystaniu autorskiego programu ESTYM wyznaczono wartości parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej i przeanalizowano wpływ sposobu mocowania na wartości tych parametrów. Badania przeprowadzono zarówno dla elementów pracujących pojedynczo, jak i dla analogowego układu scalonego oraz tranzystorów pracujących na wspólnym radiatorze.
EN
In the paper some results of investigations of the influence of the manner of mounting semiconductor devices on its transient thermal impedance are presented. The applied by the authors the method of measurements of this parameter is described and some results of measurements of waveforms of the transient thermal impedance of selected types of transistors operating at different mounting conditions are shown. With the use of the authors’ program ESTYM the values of parameters of the model of the transient thermal impedance were estimated. The influence of the manner of mounting manner on the value of these parameters is analysed. Investigations were passed both for devices operating one by one, as and for the analog integrated circuit and transistors situating on the common heat-sink.
Rocznik
Tom
Strony
57--64
Opis fizyczny
Bibliogr. 13 poz.
Twórcy
autor
autor
Bibliografia
  • 1. Zarębski J.: Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w ele-mentach półprzewodnikowych i układach elektronicznych. Prace Nauk. WSM w Gdyni, Gdynia 1996.
  • 2. Mawby P.A., Igic P.M., Towers M.S.: Physically based compact device models for circuit modelling applications. „Microelectronics Journal” 2001, Vol. 32, p. 433-447.
  • 3. Blackburn D.L.: Temperature Measurements of Semiconductor Devices – A Review. 20th IEEE Semiconductor Thermal Measurement and Menagement Symposium SEMI-THERM, 2004, p. 70-80.
  • 4. Bagnoli P.E., Casarosa C., Ciampi M., Dallago E.: Thermal Resistance Analysis by Induced Transient (TRAIT) Method for Power Electronic Devices Thermal Characterization – Part I: Fundamentals and Theory. „IEEE Transactions on Power Electronics” 1998, Vol. 13, No. 6, 1998, p. 1208-1219.
  • 5. Szekely V.: A New Evaluation Method of Thermal Transient Measurement Results. „Microelectronic Journal” 1997, Vol. 28, No.3, 1997, p. 277-292.
  • 6. Blackburn D.L., Oettinger F.F.: Transient Thermal Response Measurements of Power Transistors. IEEE Transactions on Industrial Electronics and Control Instrum., IECI-22, 1976, No. 2, p. 134-141.
  • 7. Zarębski J., Górecki K.: A Method of Measuring the Transient Thermal Impedance of Monolithic Bipolar Switched Regulators. „IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies” 2007, Vol. 30, No. 4, p. 627 – 631.
  • 8. Górecki K., Zarębski J.: System mikrokomputerowy do pomiaru parametrów ter-micznych elementów półprzewodnikowych i układów scalonych. „Metrologia i Systemy Pomiarowe” 2001, t. VIII, Nr 4, s. 379-396.
  • 9. Górecki K., Zarębski J.: Badanie wpływu wybranych czynników na parametry cieplne tranzystorów mocy MOS. „Przegląd Elektrotechniczny” 2009, Vol. 85, No. 4, p. 159-164.
  • 10. Górecki K., Zarębski J.: Modeling the influence of selected factors on thermal resistance of semiconductor devices. „IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology” 2014, Vol. 4, No. 3, p. 421-428.
  • 11. Górecki K., Zarębski J.: Nonlinear compact thermal model of power semiconductor devices. „IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies” 2010, Vol. 33, No. 3, p. 643-647.
  • 12. Górecki K., Zarębski J.: Badanie charakterystyk termometrycznych elementów półprzewodnikowych ze złączem p-n. „Metrologia i Systemy Pomiarowe” 2001, t. VIII, Nr 4, s. 397-411.
  • 13. Zarębski J., Górecki K.: Modelowanie tranzystora Darlingtona mocy z uwzględnieniem oddziaływań elektrotermicznych. „Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji” 1999, t. 45, z. 3-4, s. 455-472.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-ec675de7-5a94-4e35-b7f4-8566c72a79a1
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.