Narzędzia help

Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
first previous next last
cannonical link button

http://yadda.icm.edu.pl:80/baztech/element/bwmeta1.element.baztech-c800bbbb-8a22-45fd-89cc-4e59bded65bd

Czasopismo

Materials Science Poland

Tytuł artykułu

Characterization of deep-level defects in GaNAs/GaAs heterostructures grown by APMOVPE

Autorzy Gelczuk, Ł.  Dąbrowska-Szata, M.  Ściana, B.  Pucicki, D.  Radziewicz, D.  Kopalko, K.  Tłaczała, M. 
Treść / Zawartość http://www.materialsscience.pwr.wroc.pl/
Warianty tytułu
Języki publikacji EN
Abstrakty
EN Conventional deep level transient spectroscopy (DLTS) and high-resolution Laplace DLTS techniques were used to study electrical properties of deep-level defects in dilute GaNAs epitaxial layers grown by atmospheric-pressure metalorganic vapourphase epitaxy (APMOVPE) on the GaAs substrate. Three samples with nitrogen concentrations of 1.2 %, 1.6 % and 2.7 % were investigated. In DLTS and LDLTS spectra of the samples, four predominant electron traps were observed. On the basis of the obtained electrical parameters and previously published results, one of the traps was associated with N-related complex defects, while the other traps with common GaAs-like native defects and impurities, called EL6, EL3 and EL2.
Słowa kluczowe
EN GaNAs   dilute nitrides   deep-level defects   DLTS   LDLTS   AP MOVPE  
Wydawca Springer
Czasopismo Materials Science Poland
Rocznik 2016
Tom Vol. 34, No. 4
Strony 726--734
Opis fizyczny Bibliogr. 37 poz., rys., tab.
Twórcy
autor Gelczuk, Ł.
  • Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw University of Science and Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland, lukasz.gelczuk@pwr.edu.pl
autor Dąbrowska-Szata, M.
  • Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw University of Science and Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland
autor Ściana, B.
  • Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw University of Science and Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland
autor Pucicki, D.
  • Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw University of Science and Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland
autor Radziewicz, D.
  • Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw University of Science and Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland
autor Kopalko, K.
  • Institute of Physics, Polish Academy of Science, al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland
autor Tłaczała, M.
  • Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wroclaw University of Science and Technology, Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland
Bibliografia
[1] GEISZ J.F., FRIEDMAN D.J., Semicond. Sci. Tech., 17 (2002), 769.
[2] KURTZ S.R., ALLERMAN A.A., JONES E.D., GEE J.M., BANAS J.J., HAMMONS B.E., Appl. Phys. Lett., 74 (1999), 729.
[3] KONDOW M., UOMI K., NIWA A., KITATANI T., WATAHIKI S., YAZAWA Y., Jpn. J. Appl. Phys., 35 (1996), 1273.
[4] FISCHER M., GOLLUB D., REINHARDT M., KAMP M., FORCHEL A., J. Cryst. Growth, 251 (2003), 353.
[5] ŚCIANA B., ZBOROWSKA-LINDERT I., PUCICKI D., BORATYŃSKI B., RADZIEWICZ D., TŁACZAŁA M., SERAFIŃCZUK J., POLOCZEK P., SĘK G., MISIEWICZ J., Opto-Electron. Rev., 16 (2008), 1.
[6] BUYANOVA I.A., CHEN W.M., TU C.W., J. Phys.- Condens. Mat., 16 (2004), S3027.
[7] LI W., PESSA M., AHLGREN T., DEKKER J., Appl. Phys. Lett., 79 (2001), 1094.
[8] KHAN A., KURTZ S.R., PRASAD S., JOHNSTON S.W., GOU J., Appl. Phys. Lett., 90 (2007), 243509.
[9] ŚCIANA B., RADZIEWICZ D., PUCICKI D., ZBOROWSKA-LINDERT I., SERAFIŃCZUK J., TŁACZAŁA M., LATKOWSKA M., KOVÁC J., SRNANEK R., Cryst. Res. Technol., 47 (2012), 313.
[10] SHAN W., WALUKIEWICZ W., AGER III J.W., HALLER E., GEISZ J.F., FRIEDMAN D.J., OLSON J.M., KURTZ S.R., Phys. Rev. Lett., 82 (1999), 1221.
[11] KAMYCZEK P., BIEGAŃSKI P., PŁACZEK-POPKO E., ZIELONY E., GELCZUK Ł., ŚCIANA B., PUCICKI D., RADZIEWICZ D., TŁACZAŁA M., KOPALKO K., DĄBROWSKA-SZATA M., Mater. Sci.-Poland, 31 (2013), 595.
[12] BLOOD P., ORTON J.W., Characterization of Semiconductors: Majority Carriers and Electron States, Academic Press, London, 1992.
[13] JOHNSTON S.W., KURTZ S.R., FRIEDMAN D.J., PTAK A.J., AHRENKIEL R.K., CRANDALL R.S., Appl. Phys. Lett., 86 (2005), 072109.
[14] TANAKA S., MOTO A., TAKAHASHI M., TANABE T., TAKAGISHI S., J. Cryst. Growth, 221 (2000), 467.
[15] KRISPIN P., SPRUETTE S.G., HARRIS J.S., PLOOG K.H., J. Appl. Phys., 88 (2000), 4153.
[16] BOUZAZI B., SUZUKI H., KOJAMI N., OHSITA Y., YAMAGUCHI M., Physica B, 406 (2011), 1070.
[17] GEISZ J.F., FRIEDMAN D.J., OLSON J.M., KURTZ S.R., KEYES B.M., J. Cryst. Growth, 195 (1998), 401.
[18] MOTO A., TAKAHASHI M., TAKAGISHI S., J. Cryst. Growth, 221 (2000), 485.
[19] KAPLAR R.J., KWON D., RINGEL S.A., ALLERMAN A.A., KURTZ S.R., JONES E.D., SIEG R.M., Sol. Energ. Mat. Sol. C., 69 (2001), 851.
[20] GELCZUK Ł., STOKOWSKI H., DĄBROWSKASZATA M., KUDRAWIEC R., J. Appl. Phys., 119 (2016), 185706.
[21] GELCZUK Ł., DĄBROWSKA-SZATA M., PUCICKI D., Acta Phys. Pol. A, 126 (20014), 1195.
[22] DOBACZEWSKI L., PEAKER A.R., BONDENIELSEN K., J. Appl. Phys., 96 (2004), 4689.
[23] ZHANG S.B., WEI S.-H., Phys. Rev. Lett., 86 (2001), 1789.
[24] SPRUYTTE S.G., COLDREN C.W., HARRIS J.S., WAMPLER W., KRISPIN P., PLOOG K., LARSON M.C., J. Appl. Phys., 89 (2001), 4401.
[25] LI W., PESSA M., LIKONEN J., Appl. Phys. Lett., 78 (2001), 2864.
[26] KRISPIN P., GAMBIN V., HARRIS J.S., PLOOG K.H., J. Appl. Phys., 93 (2003), 6095.
[27] SHAFI M., MARI R.H., HENINI M., TAYLOR D., HOPKINSON M., Phys. Status Solidi C, 6 (2009), 2652.
[28] JOHNSTON S.W., KURTZ S.R., J. Vac. Sci. Technol. A, 24 (2006), 1252.
[29] MARTIN G.M., MITONNEAU M., MIRCEA A., Electron. Lett., 13 (7) (1977), 191.
[30] POLYAKOV A.Y., SMIRNOV N.B., GOVORKOV A.V., BOTCHKAREV A.E., NELSON N.N., FAHMI M.M.E., GRIFFIN J.A., KHAN A., MOHAMMAD S.N., JOHNSTONE D.K., BUBLIK V.T., CHSHERBATCHEV K.D., VORONOVA M.I., KASATOCHKIN V.S., Solid State Electron., 46 (2002), 2155.
[31] SKOWRONSKI M., Mater. Sci. Forum, 83 – 87 (1992), 377.
[32] WOHLRAB A., GRUNDIG-WENDROCK B., JURISCH M., KIESSLING F.-M., NIKLAS J.R., Eur. Phys. J.-Appl. Phys., 27 (2004), 223.
[33] REDDY C.V., FUNG S., BELING C.D., Phys. Rev. B, 54 (1996), 11290.
[34] BOURGOIN J.C., VON BARDELEBEN H.J., STIÉVENARD D., J. Appl. Phys., 64 (1988), R65.
[35] SHIRAKI H., TOKUDA Y., SASSA K., J. Appl. Phys., 84 (1998), 3167.
[36] FANG Z.-Q., SCHLESINGER T.E., MILNES A.G., J. Appl. Phys., 61 (1987), 5047.
[37] KAMINSKA ´ M., WEBER E.R., EL2 Defect in GaAs, in: WEBER E.R. (Ed.), Imperfections in III/V Materials, Semiconductors and Semimetals, Vol. 8, Academic Press, Boston, 1993, p. 59.
Uwagi
Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017).
Kolekcja BazTech
Identyfikator YADDA bwmeta1.element.baztech-c800bbbb-8a22-45fd-89cc-4e59bded65bd
Identyfikatory
DOI 10.1515/msp-2016-0126