PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Photodiode based on the epitaxial phosphide gallium with increased sensitivity at a wavelength of 254 nm

Treść / Zawartość
Identyfikatory
Warianty tytułu
PL
Fotodioda oparta na epitaksjalnym fosforku galu o zwiększonej wrażliwości przy długości fali 254 nm
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
The paper showsthe results of the development of a photodiode technology based on gallium phosphide structure n+-n-GaP-Au with high sensitivity. It provides the ion etching of the surface of the gallium phosphide before an application of a leading electrodeof gold. The barrier layerof a 20 nm thick gold is applied to thesubstrate in the magnetic field of GaP. When forming the contact with the reverse sideof the indium substrate at 600°C, there occurs the annealing of the gold barrier layer. At the maximum of the spectral characteristics obtained by the photodiode, it has a sensitivity of 0.13A/W, and at a wavelength of 254 nm – about 0.06 A/W. The dynamic range of the photodiode is not less than 107.
PL
Artykuł pokazuje rezultaty rozwoju technologicznegofotodiody opartej na fosforku galu o strukturze n+-n-GaP-Auo wysokiej czułości. Umożliwia to wytrawianie jonowe powierzchni fosforku galu, zanim zastosowana zostanie elektroda przewodząca wykonana ze złota. Złota warstwa barierowa o grubości 20 nm jest nakładana na podłoże GaP w polu magnetycznym. Gdy powstaje stykz tyłu podłoża indowego w temperaturze 600°C, złota warstwa barierowa jest wyżarzana. Przy maksymalnej charakterystyce spektralnej uzyskanej przezfotodiodę, ma ona czułość 0,13 A/W, a przy długości fali 254 nm –około 0,06 A / W. Zakres dynamiczny fotodiody wynosi co najmniej 107.
Rocznik
Strony
36--39
Opis fizyczny
Bibliogr. 11 poz., rys., tab.
Twórcy
Bibliografia
  • [1] Anisimov I.D., Stafeev V.I.: Ultraviolet photodetectors based on wideband compounds. Applied physics 2/1999, 41–44.
  • [2] Bix M.P., Dobrovolsky Y.G., Shabashkevich B.: UV Photodetectors based on gallium phosphide. Applied physics 4/2005, 97–100.
  • [3] Dobrovolsky Y.G.: Photodiode, resistant to ambient lighting. Sensor Electronics and Microsystem Technologies 4/2006, 33–37.
  • [4] Dobrovolsky Y.G., Pidkamin L., Prokhorov G.: Photodiodes on the basis of gallium phosphate with increased sensitivity at a wavelength of 254 nm. Proceedings SPIE 8338/2011, 83380N [http://doi.org/10.1117/12.920931].
  • [5] Dobrovolsky Y.G.: Based on GaP photodiode with high sensitivity in the short-wave UV region of the spectrum. TKEA5/2012, 31–34.
  • [6] Lamkin I.A., Menkovich E.A., Tarasov S.A.: Ultraviolet photodiodes based metal contacts –solid solutions of gallium nitride and aluminum. Scientific and technical statements STU. Physics and mathematics 3/2012, 28–31.
  • [7] Malik A.I.: Optoelectronic properties of heteroijunctions metal oxide-gallium phosphide. Semiconductor Physics and Technology 25(10)/1991, 1891–1695.
  • [8] Malik A.I., Seco A., Fortunator E., Martins R., Shabashkevich B., Piroszenko S.: A new high ultraviolet sensivity FTO-GaP Schottky photodiode fabricated by spray pyrolysis. Semicond. Sci. Technol. 13/1998, 102–107.
  • [9] Nicollian E.H., Brews J.R.: MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology. Wiley, New York 1982.
  • [10] Sah C.T.: Fundamentals of solid-state electronics. World Scientific, 1991.
  • [11] Sze S.M., Ng K.K.: Physics of Semiconductor Devices. 3rd edition. John Wiley & Sons Inc., New Jersey 2006.
Uwagi
Opracowanie rekordu ze środków MNiSW, umowa Nr 461252 w ramach programu "Społeczna odpowiedzialność nauki" - moduł: Popularyzacja nauki i promocja sportu (2020).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-c55809ad-2f2b-4498-9b34-7690b97ca94e
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.