Narzędzia help

Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
cannonical link button


Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Tytuł artykułu

AP-MOVPE technology of AIIIBV-N heterostructures for photovoltaic applications

Autorzy Dawidowski, W.  Ściana, B.  Pucicki, D.  Radziewicz, D.  Serafińczuk, J.  Latkowska, M.  Tłaczała, M. 
Treść / Zawartość
Warianty tytułu
Konferencja Proceedings of the European Summer School of Photovoltaics (04-07.07.2012 ; Kraków, Poland)
Języki publikacji EN
EN This paper presents the influence of the AP-MOVPE epitaxial process growth temperature on the optical and structural properties of heterostructures containing InGaAsN quantum wells. The best optical and structural features were observed for MQW structure grown in highest temperature. This structure (sample NI 46) was applied in the test p-i-n solar cell construction. Measured dc I-V characteristics exhibit electrical response under the optical excitation by a discrete laser diode with λ = 980 nm, what confirms the usability of InGaAsN semiconductor compounds in solar cell applications.
Słowa kluczowe
PL ogniwa słoneczne   fotowoltaika  
EN solar cells   photovoltaics  
Wydawca Wydawnictwo SIGMA-NOT
Czasopismo Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
Rocznik 2012
Tom Vol. 53, nr 6
Strony 111--113
Opis fizyczny Bibliogr. 9 poz., wykr.
autor Dawidowski, W.
autor Ściana, B.
autor Pucicki, D.
autor Radziewicz, D.
autor Serafińczuk, J.
autor Latkowska, M.
autor Tłaczała, M.
  • Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Wrocław University of Technology
[1] Kondow M. et al.: GaInNAs: A Novel Material for Long-Wavelength Semiconductor Lasers. IEEE J. Select. Topic Quantum Electron. 3 (719), 1997.
[2] Wei S., A. Zunger: Giant and Composition-Dependent Optical Bowing Coefficient in GaAsN Alloys. Phys. Rev. Lett. 76, 664-667, 1996.
[3] Buyanova I., W. Chen [eds]: Physics and Applications of Dilute Nitrides. Garland Science, 2004.
[4] Erol A. [ed]: Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems: Physics and Technology. Springer, 2008.
[5] Chang P. et al.: InGaP/InGaAsN/GaAs NpN double-heterojunction bipolar transistor. Appl. Phys. Lett. 76, 2262, 2000.
[6] Kurtz S. et al.: InGaAsN solar cells with 1.0 eV band gap, lattice matched to GaAs. Appl. Phys. Lett. 74, 729, 1999.
[7] Gambin V., PhD thesis: Long wavelength luminescence from Galn-NAsSb on GaAs. Stanford University, 2002.
[8] Buyanova I., W. Chen, C. Tu, “Defects in dilute nitrides”, J. Phys.: Condens. Matter 16 S3027, 2004.
[9] Dawidowski W. et al.: Application of InGaAsN in construction of p-i-n solar cell. Elektronika - konstrukcje, technologie, zastosowania, in press.
Kolekcja BazTech
Identyfikator YADDA bwmeta1.element.baztech-article-BWAN-0018-0043