Narzędzia help

Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
first previous next last
cannonical link button

http://yadda.icm.edu.pl:80/baztech/element/bwmeta1.element.baztech-article-BWAN-0008-0019

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Tytuł artykułu

Cienkie warstwy ZnO:Al jako przezroczyste i przewodzące elektrody

Autorzy Czternastek, H.  Sokołowski, M. 
Treść / Zawartość
Warianty tytułu
EN ZnO:AI films as transparent and conductive electrodes
Języki publikacji PL
Abstrakty
PL Warstwy ZnO:Al otrzymywano metodą reaktywnego rozpylania magnetronowego tarczy metalicznej o składzie Zn: 3% at. Al w mieszaninie argon-tlen. Do stabilizacji przepływu tlenu do komory roboczej wykorzystano spektroskopię emisyjną plazmy. Przy wartości linii emisyjnej wzbudzonych atomów cynku l Zn / l Zn max = 0,60 warstwy ZnO:AI posiadały wysoko zorientowane ziarna z osią c prostopadłą, do podłoża i najlepsze parametry optoelektroniczne. Optyczne własności najlepszej warstwy były modelowane w obszarze widzialnym i bliskiej podczerwieni stosując prosty i rozszerzony model Drude'go. Tak otrzymany opór ρ (ω) był porównany z pomiarami stałoprądowymi wykonanymi metodą Van der Pauw'a.
EN Al-doped ZnO films were prepared by a dc magnetron sputtering technique from Zn: 3 at.% Al target in an argon-oxygen mixture. Plasma-emission monitoring was used to stabilize oxygen flow to the deposition chamber. ZnO:AI films deposited at a relative intensity of the zinc emission line l Zn / l Zn max (λ = 480 nm) = 0.60 had highly oriented crystallites with c-axis normal to the substrate and the best optoelectronic properties. The optical properties of best Al-doped ZnO film for the visible and near-infrared region were modeled using the simple and extended Drude theory. The resulting resistivity ρ (ω) was compared with dc conductivity carried out in a Van der Pauw configuration.
Słowa kluczowe
PL warstwy ZnO:AI   rozpylanie magnetronowe   elektroda przezroczysta   elektroda przewodząca  
EN A-doped zinc oxide   reactive magnetron sputtering   transparent electrode   conductive electrode  
Wydawca Wydawnictwo SIGMA-NOT
Czasopismo Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
Rocznik 2011
Tom Vol. 52, nr 4
Strony 67--69
Opis fizyczny Bibliogr. 7 poz., wykr.
Twórcy
autor Czternastek, H.
autor Sokołowski, M.
  • Akademia Górniczo-Hutnicza, Katedra Elektroniki, Kraków
Bibliografia
[1] Kołodziej A., Czternastek H., Baranowski W. S., Sokołowski M.: Modelowanie tylnego lustra AI./Ag/ZnO/Si w cienkowarstwowym krzemowym ogniwie słonecznym. Elektronika nr 5 (2010) 95-98.
[2] Depla D., Mathieu S.: Reactive sputter deposition, Springer Series in Materials Science, tom 109, 2008.
[3] Spencer A. G., Howson R. P., Lewin R. W.: Pressure stability in reactive magnetron sputtering. Thin Solid Films, 158 (1988) 141-149.
[4] Heisig et al: Deposition of hard wear-resistant coatings by reactive dc plasmatron sputtering. Thin Solid Films, 118 (1984) 255-270.
[5] Czternastek H.: ZnO thin films prepared by high pressure magnetron sputtering. Opto-Electronics Review, 12(1) (2004) 49-52.
[6] Pflug A., Sittinger V., Ruske F., Szyszka B., Dittmar G.: Optical characterization of aluminium-doped zinc oxide films by advanced dispersion theories. Thin Solid Films, 455-456 (2004) 201-206.
[7] Sernelius B. E.: Dynamical conductivity in the infrared from impurity scattering in a polar semiconductor. Phys. Rev. B 36 (2) (1987).
Kolekcja BazTech
Identyfikator YADDA bwmeta1.element.baztech-article-BWAN-0008-0019
Identyfikatory