Narzędzia help

Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
first previous next last
cannonical link button

http://yadda.icm.edu.pl:80/baztech/element/bwmeta1.element.baztech-article-BWAN-0008-0018

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Tytuł artykułu

Warstwa azotku krzemu jako warstwa antyrefleksyjna i pasywujaca dla krzemowych ogniw słonecznych

Autorzy Lipiński, M. 
Treść / Zawartość
Warianty tytułu
EN Silicon nitride as antireflection and passivation layer for silicon solar cells
Języki publikacji PL
Abstrakty
PL Przedmiotem pracy jest warstwa azotku krzemu spełniająca rolę warstwy antyrefleksyjnej i pasywującej w krzemowym ogniwie słonecznym. Pokazano również, ze warstwy SiNx o dużej gęstości osadzone metodą LF PECVD są bardziej odpowiednie dla ogniw słonecznych niż osadzone metodą RF PECVD. Zastąpienie warstw TiOx przez warstwy SiNx zwiększyło sprawność ogniw o 11,9%.
EN The paper deals with silicon silicon nitride layers for silicon solar cells application. The silicon layer is deposited by RF and LF PECVD methods. It was shown that high density SiNx layer deposited by LF PECVD are more suited for solar cells than layers deposited by RF PECVD method. The efficiency of solar cells was increased about 11.9% by replacing TiOx ARC by LF PECVD SiNx ARC.
Słowa kluczowe
PL warstwa azotku krzemu   krzemowe ogniwa słoneczne   warstwa antyrefleksyjna  
EN silicon nitride layer   silicon solar cells   passivation   antireflection coating  
Wydawca Wydawnictwo SIGMA-NOT
Czasopismo Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
Rocznik 2011
Tom Vol. 52, nr 4
Strony 62--66
Opis fizyczny Bibliogr. 5 poz., tab., wykr.
Twórcy
autor Lipiński, M.
  • Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN w Krakowie
Bibliografia
[1] Dekkers H. F. W., Carnel L., Beaucarne G., Beyer W.: Diffusion Mechanism Through PECVD SNx:H For A Fast Defect Passivation of mc-Si Solar Cell, Proc. of the 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Barcelona, 2005.
[2] Sinton R. A., Cuevas A., Stuckings M.: Quasi-Steady-State Photoconductance, A New Method for Solar Cell Material and Device Characterization. Proc. of the 25th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 1996, 457-460.
[3] Nagel H., Berge C., Aberle A. G.: Generalised analysis of quasi steady-state and quasi-transient measurements of carrier lifetimes in semiconductors. J. Appl. Phys. 86, (1999) 6218-6221.
[4] Sinton R. A., Cueva A.: A Quasi-Steady-State Open-Circuit Voltage Method for Solar Cell Characterization. Proc. of the 16th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Glasgow, 2000, 1152-1155.
[5] Bierska-Piech B., Wojciech M., Goryczka T., Łągiewka E.: Optymalizacja warunków eksperymentalnych reflektometrii rentgenowskiej. Inżynieria Materiałowa XXVII (2006) 342-345.
Kolekcja BazTech
Identyfikator YADDA bwmeta1.element.baztech-article-BWAN-0008-0018
Identyfikatory