Narzędzia help

Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
first previous next last
cannonical link button

http://yadda.icm.edu.pl:80/baztech/element/bwmeta1.element.baztech-article-BWAN-0008-0016

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Tytuł artykułu

Efektywne wartości współczynnika dyfuzji dla modelu domieszkowania dyfuzyjnego warstwy emiterowej ogniwa słonecznego

Autorzy Filipowski, W.  Waczyński, K.  Wróbel, E.  Skwarek, A.  Drabczyk, K. 
Treść / Zawartość
Warianty tytułu
EN Effective values of difussion coefficient for the model of difusion doping of the solar cell emitter layer
Języki publikacji PL
Abstrakty
PL Prawidłowy model procesu technologicznego daje możliwość przeprowadzenia symulacji, która w sposób wystarczająco dokładny będzie odzwierciedlała proces rzeczywisty. W niniejszej pracy przedstawiono wyniki badań nad efektywnymi wartościami współczynników dyfuzji dla modelu domieszkowania krzemu fosforem, przy założeniu niezależności współczynnika dyfuzji od koncentracji dyfundującej domieszki.
EN The correct model of the technological process gives an opportunity to perform a simulation that reflects the real process accurately enough. This paper presents the results of research on effective values of the diffusion coefficient for the model of phosphorus doped silicon, assuming independency of the diffusion coefficient from the diffusion dope concentration.
Słowa kluczowe
PL ogniwo słoneczne   struktura fotowoltaiczna   warstwa emiterowa   domieszkowanie krzemu   symulacja komputerowa  
EN solar cell   photovoltaic structure   emitter layer   silicon doping   computer simulation  
Wydawca Wydawnictwo SIGMA-NOT
Czasopismo Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
Rocznik 2011
Tom Vol. 52, nr 4
Strony 57--59
Opis fizyczny Bibliogr. 14 poz., tab., wykr.
Twórcy
autor Filipowski, W.
autor Waczyński, K.
autor Wróbel, E.
autor Skwarek, A.
autor Drabczyk, K.
  • Politechnika Śląska, Instytut Elektroniki, Gliwice
Bibliografia
[1] Crank J.: The mathematics of diffusion, Clarendon Press, Oxford 1975.
[2] Bentzen A., Christensen J., Svensson B., Holt A.: Understanding phosphorus emitter diffusion in silicon solar cell processing. Proceedings of the 21th European Photovoltaic Solar Energy Conference, pp. 1388-1391, Germany Dresden 2006.
[3] Campbell S.: The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication. Oxford University Press, New York 2001.
[4] Antoncik E.: Modeling of very high concentration effects on impurity diffusion in semiconductors. Elsevier, Materials & Design, Vol. 22, p. 69-76, February 2001.
[5] Richardson W., Carey G., Mulvaney B.: Modeling phosphorus diffusion in three dimensions. Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, IEEE Transactions, Vol. 11, p. 487-496, April 1992.
[6] Uematsu Masashi: Simulation of boron, phosphorus, and arsenic diffusion in silicon based on an integrated diffusion model, and the anomalous phosphorus diffusion mechanism. Journal of Applied Physics, Vol. 82, p. 2228-2246, September 1997.
[7] Velichko O., Dobrushkin V., Pakula L.: A model of clustering of phosphorus atoms in silicon. Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, vol. 123, pp. 176-180, 2005.
[8] Wolf H.: Półprzewodniki. Wydawnictwa Naukowo-Techniczne, Warszawa, 1975.
[9] French C., Belman D., Kardes D., Hendricks R.: Determination of junction depths for phosphorous diffused in silicon. University/Government/Industry Microelectronics Symposium, 2001. Proceedings of the Fourteenth Biennial, p. 51-59, 17-20 June 2001.
[10] Shaw D.: Atomic diffusion in semiconductors. Plenum Press, London and New York, 1973.
[11] Fair R., Tsai J., A Quantitative Model for the Diffusion of Phosphorous in Silicon and the Emitter Dip Effect. J. Electrochem. Soc. 124(7), p. 1107, 1977.
[12] Tsai J.: Diffusion. VLSI Technology edited by Sze S. M., Bell Laboratories, Incorporated Murray Hill, New Jersey 1983.
[13] Frank H., Snejdar V.: Halbleiter-bauelemente, Band 1-Physic und Technik der Halbleiterwerkstoffe. Akademie-Verlag, Berlin 1964.
[14] Howard B.: J. Elektrochem. Soc., 1957.
Kolekcja BazTech
Identyfikator YADDA bwmeta1.element.baztech-article-BWAN-0008-0016
Identyfikatory