Narzędzia help

Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
first previous next last
cannonical link button

http://yadda.icm.edu.pl:80/baztech/element/bwmeta1.element.baztech-article-BWAN-0008-0009

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Tytuł artykułu

Ocena jakości ogniw fotowoltaicznych z krzemu krystalicznego na podstawie wyznaczonych empirycznie różnymi metodami pomiarowymi wartości rezystancji szeregowej w funkcji temperatury

Autorzy Klugman-Radziemska, E.  Modzelewski, M. 
Treść / Zawartość
Warianty tytułu
EN Quality assessment of photovoltaic crystalline silicon solar cells empirically obtained by different methods of series resistance measuring in a function of temperature
Języki publikacji PL
Abstrakty
PL W niniejszej pracy przedstawiono analizę wpływu wzrostu temperatury na wartość rezystancji szeregowej krystalicznych krzemowych ogniw słonecznych. Na wstępie przedstawiono teoretyczne i praktyczne informacje na temat składników rezystancji szeregowej i jej wpływu na parametry elektryczne ogniw. Dla zbadania wpływu temperatury na wartość rezystancji szeregowej zbudowano dwa stanowiska eksperymentalne, pozwalające na wyznaczanie ciemnych i dynamicznych charakterystyk prądowo-napięciowych ogniw. Na podstawie wyników pomiarów wyznaczono wartość rezystancji szeregowej w funkcji temperatury z zastosowaniem dwóch metod obliczania: metodzie opartej na modelu jednodiodowym, opartej na analizie charakterystyk ciemnych i standaryzowanej metodzie analizy charakterystyk dynamicznych. Wskazano na różnice w otrzymanych za pomocą tych metod wynikach.
EN In this paper the influence of rising temperature on the series resistance values across crystalline silicon solar cells was considered. In introduction theoretical and practical information about origins and impacts of series resistance on quality parameters of crystalline cells were specified in introduction. In order to prove that temperature of the surface of a crystalline silicon solar cells influences series resistance and to examine the magnitude of that influence, two experimental setups, enabling to collect dark and dynamic current-voltage characteristics, were constructed. On the basis of achieved dark and dynamic characteristics of crystalline silicon solar cells, the value of series resistances versus temperatures of different cells were determined in accordance with two different methods of calculation. The diode forward characteristic method based on one-diode equivalent model of photovoltaic cell under dark conditions and standardized method under illumination was chosen. The differences between them were compared.
Słowa kluczowe
PL ogniwa fotowoltaiczne   krzem krystaliczny   rezystancja szeregowa   charakterystyki prądowo-napięciowe  
EN photovoltaic solar cells   crystalline silicon   series resistance   current-voltage characteristics  
Wydawca Wydawnictwo SIGMA-NOT
Czasopismo Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
Rocznik 2011
Tom Vol. 52, nr 4
Strony 38--41
Opis fizyczny Bibliogr. 5 poz., tab., wykr.
Twórcy
autor Klugman-Radziemska, E.
autor Modzelewski, M.
  • Politechnika Gdańska, Wydział Chemiczny
Bibliografia
[1] Kamiński A., Marchand J. J., Laugier A.: Non ideal dark I-V curves behaviour of silicon solar cells. Solar Energy Materials and Solar Cells, Vol. 51, p. 221-231 (1998).
[2] Bashahu M., Habyarimana A.: Review and Test of Methods for Determination of the Solar Cell Series Resistance. Renewable Energy, Vol. 6 No. 2, p. 129-138 (1995).
[3] Radziemska E.: Dark I-U-T measurements of single crystalline silicon solar cells. Energy Conversion and Management, Vol. 46, p. 1485-1494 (2005).
[4] Wolf M., Rauschenbach H.: Series resistance effects on solar cell measurements. Advanced Energy Conversion, Vol. 3, p. 455-479 (1963).
[5] Stutenbaeumer U., Mesfin B.: Equivalent model of monocrystalline, polycrystalline and amorphous silicon solar cells. Renewable Energy, Vol. 18, p. 501-512 (1999).
Kolekcja BazTech
Identyfikator YADDA bwmeta1.element.baztech-article-BWAN-0008-0009
Identyfikatory