Narzędzia help

Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
first previous next last
cannonical link button

http://yadda.icm.edu.pl:80/baztech/element/bwmeta1.element.baztech-article-BWAN-0008-0007

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Tytuł artykułu

Charakteryzacja metodą XPS warstw azotku krzemu dla ogniw słonecznych

Autorzy Socha, R. P.  Lipński, M.  Hejduk, K. 
Treść / Zawartość
Warianty tytułu
EN XPS characterization of silicon nitride layers for solar cells
Języki publikacji PL
Abstrakty
PL Przedstawiono charakteryzacje powierzchni warstw azotku krzemu przy użyciu spektroskopii fotoelektronów generowanych promieniowaniem X. Warstwy osadzano metodą chemiczną ze wspomaganiem plazmowym PECVD z użyciem generatora niskiej (LF-100 kHz) i radiowej częstotliwości (RF-13,56 MHz). Pokazano, ze warstwy osadzane przy użyciu metody RF PECVD mają większą zawartość fazy krzemowej przy podobnej zawartości fazy i₃N₄. Warstwy nanoszone przy użyciu generatora LF lepiej nadają się więc na warstwy antyrefleksyjne i pasywujące, natomiast warstwy nanoszone przy użyciu generatora RF do wytwarzania struktur wielowarstwowych z krzemowymi krystalicznymi kropkami kwantowymi dla ogniw trzeciej generacji.
EN Surface characterization of the silicon nitride layer using XPS method is presented. The layers were deposited by PECVD method applying low frequency (LF-100 kHz) or radio frequency (RF-13.56 MHz) generators. It was shown that the layers deposited with RF PECVD contain more silicon phase than the layers deposited with LF PECVD for the same contents of Si₃N₄ phase. The LF PECVD SiNx layers are more suitable for ARC and passivation layers whilst the RF PECVD for multilayered structures with silicon quantum dots that are used for third generation solar cells.
Słowa kluczowe
PL azotek krzemu   charakteryzacja XPS   PECVD  
EN silicon nitride   XPS characterization   PECVD  
Wydawca Wydawnictwo SIGMA-NOT
Czasopismo Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
Rocznik 2011
Tom Vol. 52, nr 4
Strony 31--34
Opis fizyczny Bibliogr. 6 poz., tab., wykr.
Twórcy
autor Socha, R. P.
autor Lipński, M.
autor Hejduk, K.
  • Instytut Katalizy i Fizykochemii Powierzchni, Polska Akademia Nauk Kraków
Bibliografia
[1] Lipiński M.: Silicon nanostructures for silicon solar cells. Elektronika 5 (2010) 92-95.
[2] Dekkers H. F. W., Carnel L., Beaucarne G., Beyer W.: Diffusion Mechanism Through PECVD SNx:H For A Fast Defect Passivation of mc-Si Solar Cell. Proc. 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Barcelona, Spain, 2005, 721-724.
[3] Moulder J. F., Stickle W. F., Sobol P. E., Bomben K., Chastain J.: Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy 2nd ed. Perkin Elmer Corporation. 1992 (2nd edition).
[4] Electron Spectroscopy Database; www.lasurface.com
[5] NIST X-ray Photoelectron Spectroscopy Database; http://srdatanist.gov/xps/
[6] Lelievre J.-F., Fourmond E., Kamiński A., Palais O., Ballutaud D., Lemiti M.: Study of the composition of hydrogenated silicon nitride SiNx:H for efficient surface and bulk passivation of silicon Solar Energy Materials & Solar Cells 93(2009) 1281-128.
Kolekcja BazTech
Identyfikator YADDA bwmeta1.element.baztech-article-BWAN-0008-0007
Identyfikatory