Narzędzia help

Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
first previous next last
cannonical link button

http://yadda.icm.edu.pl:80/baztech/element/bwmeta1.element.baztech-article-BWAN-0008-0003

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Tytuł artykułu

Wpływ wewnętrznego lustra na wydajność kwantową fotoogniw wytwarzanych w oparciu o krzemowe warstwy lateralne

Autorzy Cieślak, K.  Olchowik, J. M.  Gułkowski, S. 
Treść / Zawartość
Warianty tytułu
EN Influence of the SiO₂ inner mirror on the epitaxial lateral overgrowth based silicon solar cells
Języki publikacji PL
Abstrakty
PL W pracy przedstawiono rezultaty badań krzemowych ogniw słonecznych, wytwarzanych za pomocą, epitaksji z fazy ciekłej LPE (Liquid Phase Epitaxy). Epitaksja z fazy ciekłej pozwala w ekonomiczny sposób uzyskiwać cienkie monokrystaliczne warstwy, które mają również zastosowania w fotowoltaice. W prowadzonych badaniach zastosowano pewną modyfikację klasycznej metody LPE - wzrost na częściowo maskowanym dielektrykiem podłożu krzemowym. Taki sposób nosi nazwę epitaksji lateralnej ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth) i pozwala na uzyskanie warstw o znacznie mniejszej gęstości defektów w stosunku do gęstości defektów w podłożu wzrostowym [1], co więcej warstwa dielektryka obecna wewnątrz struktury fotoogniwa stanowi lustro dla niezaabsorbowanych fotonow, co pozwala na wydłużenie ich drogi optycznej. W pracy porównano wpływ wewnętrznego lustra z dielektryka SiO₂ na wydajność kwantową, badanych fotoogniw.
EN This work contains research of silicon thin film solar cells obtained from a lateral overgrowth liquid phase epitaxy (LPE). Liquid phase epitaxy is an economic method that enables to produce thin, monocrysallic films for photovoltaic applications. Presented research are based on some modification of the LPE method - it uses partially masked by dielectric, growing silicon substrates. This modification is called epitaxial lateral overgrowth (ELO) and enables to obtain lower defects density in a growing layer comparing to a growing substrate [1]. Moreover dielectric layer inside a solar cell structure forms an inner mirror for photons which are not absorbed in the active layer. This work presents influence of the inner mirror formed from SiO₂ efficiency of the solar cells.
Słowa kluczowe
PL krzemowe cienkowarstwowe ogniwa słoneczne   epitaksja z fazy ciekłej   lateralne warstwy krzemowe   wydajność kwantowa  
EN thin film silicon solar cells   liquid phase epitaxy   epitaxial lateral overgrowth   quantum efficiency  
Wydawca Wydawnictwo SIGMA-NOT
Czasopismo Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
Rocznik 2011
Tom Vol. 52, nr 4
Strony 20--21
Opis fizyczny Bibliogr. 4 poz., wykr.
Twórcy
autor Cieślak, K.
autor Olchowik, J. M.
autor Gułkowski, S.
  • Politechnika Lubelska, Lublin
Bibliografia
[1] Zytkiewicz Z. R.: Laterally overgrown structures as substrates for lattice mismatched epitaxy. Thin Solid Films, 412, 2002, 64-67.
[2] Capper P., Irvine S., Joyce T.: Epitaxial Crystal Growth: Methods and Meaterials in Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials. Springer, 2006.
[3] Zulehner W.: Historical overwiew of silicon crystal pulling development. Material Science and Engineering B, 73, 2003, 7-15.
[4] Suzuki Y., Nishinaga T.: Epitaxial lateral overgrowth of Si by LPE with Sn solution and its orientation dependence. Japanese Journal of Applied Physics, 28, 1989, 440-445.
Kolekcja BazTech
Identyfikator YADDA bwmeta1.element.baztech-article-BWAN-0008-0003
Identyfikatory